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제품 상세 정보:
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| 부품 번호: | IMBG65R260M1H | 채널 모드: | 향상 |
|---|---|---|---|
| 제품 카테고리: | MOSFET | 공급 업체 장치 패키지: | PG-TO263-7-12 |
| 장착 유형: | 표면 실장 | 기술: | SIC |
| 강조하다: | 650V MOSFET,6A N채널 실리콘 카바이드 단일 FET,표면은 집적 회로 칩을 탑재합니다 |
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N채널 IMBG65R 실리콘 카바이드 단일 FET MOSFET 트랜지스터 TO-263-8은 가장 높은 시스템 효율성을 단순하고 비용 효율적으로 구현할 수 있도록 합니다.
IMBG65R은 고효율 시스템 애플리케이션을 위해 설계된 650V N채널 MOSFET 트랜지스터입니다.
| 매개변수 | 값 |
|---|---|
| 부품 번호 | IMBG65R260M1H |
| 트랜지스터 극성 | N채널 |
| 채널 수 | 1 채널 |
| Vds - 드레인-소스 항복 전압 | 650 V |
| Id - 연속 드레인 전류 | 6 A |
| Rds On - 드레인-소스 저항 | 346 mOhms |
| Vgs - 게이트-소스 전압 | -5 V, +23 V |
| Vgs th - 게이트-소스 문턱 전압 | 5.7 V |
| Qg - 게이트 전하 | 22 nC |
| 최소 작동 온도 | -55°C |
| 최대 작동 온도 | +175°C |
| Pd - 전력 소산 | 65 W |
| 부품 번호 | 패키지 |
|---|---|
| BGSA12UGL8E6327XTSA1 | TSLP-8 |
| BGA8U1BN6E6327XTSA1 | TSNP-6 |
| TDA5235XUMA1 | TSSOP-28 |
| BGA7H1N6E6327XTSA1 | TSNP-6 |
| OZ8027VGN | SOP-8 |
| LYT0006D | 8-SOIC |
| TPS61500PWPR | HTSSOP14 |
| OPA2333AIDRBR | SON-8 |
| 88Q1111-B0-NYA2A000 | QFN |
| 88E1780-A0-LKJ2C000 | QFP |
| BGB707L7ESDE6327XTSA1 | TSLP-7 |
| BGS18MA12E6327XTSA1 | ATSLP-12 |
| CY8C4248LQI-BL543 | QFN-56 |
| BGSX24MU16E6327XUSA1 | PG-ULGA-16 |
| BGSA14GN10E6327XTSA1 | TSNP-10 |
| BGS14PN10E6327XTSA1 | TSNP10 |
| BGS12PN10E6327XTSA1 | TSNP10 |
| CY8C4127LQI-BL453 | QFN-56 |
| CY8C4248FNI-BL593 | WLCSP-76 |
| CY8C4248FNI-BL583 | WLCSP-76 |
| CY8C4128LQI-BL593 | QFN-56 |
| CYW20734UA2KFFB3G | FBGA-90 |
| CYW88373CUBG | BGA |
| CYW20703UA1KFFB1G | FCBGA-49 |
| BGA6L1BN6E6327XTSA1 | TSNP-6 |
| CYW4343W1KUBG | WLBGA-74 |
| CYW55570MIUBG | BGA |
| CYW89570CWBG | FCFBGA-289 |
| BGS12WN6E6329XTSA1 | PG-TSNP-6 |
| IQDH88N06LM5CGATMA1 | PG-TTFN-9 |
담당자: Sales Manager
전화 번호: 86-13410018555
팩스: 86-0755-83957753
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