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GaN IC

중국 GaN IC

반 브리지 드라이버 GaN IC IGI60F1414A1L IGI60F1414A1LAUMA1 범용

범주:PMIC 가득 찬 하프 브리지 드라이버

시리즈:쿨간티엠

애플리케이션:범용
FET 운전자 LMG3411R070RWHR Gan 파워 아이씨 파워 분배 스위치 Ｐ 채널 32VQFN

비율 - 입력:출력:1:1

인터페이스:논리, PWM

전압 - 공급 (Vcc/Vdd):9.5V ~ 18V
통합된 LMG3410R070RWHR GaN IC 전원 스위치 운전자 p 채널 GaN 운전자

출력 구성:높은 쪽

출력 유형:P-채널

전압 - 부하:480V (맥스)
LMG3422R030RQZR GaN FET 600V 통합된 고립된 GaN 게이트 드라이버

출력 전류:1.2A

공급 전압 - 민:7.5 Ｖ

공급 전압 - 맥스:18V
LMG3411R150RWHR Gan 구동기 집적회로 6A VQFN32 배전 스위치 IC n채널

전압 - 부하:480V (맥스)

전압 - 공급 (Vcc/Vdd):9.5V ~ 18V

경향 - 출력 (맥스):6A
현명한 LMG3410R150RWHR GaN IC 150 모흠 Gan FET 드라이버 부하 드라이버

인터페이스:논리, PWM

전압 - 부하:480V (맥스)

전압 - 공급 (Vcc/Vdd):9.5V ~ 18V
MOSFET GaN IC LMG3422R050RQZR 반 브리지 드라이버 범용 VQFN54

출력 구성:하프 브리지

애플리케이션:범용

경향 - 출력 / 채널:1.2A
통합된 LMG3425R050RQZR Gan Mosfet 드라이버 실리콘 드라이버 Gan Fet 드라이버

작동 온도:-40' Ｃ ~ 125' Ｃ (TJ)

공급 전압:7.5 Ｖ ~ 18 Ｖ

상승 시간:2.5 나노 초
IMZA120R014M1HXKSA1 GaN IC 1200V Gan FET 트랜지스터 14 모흠 SiC 트렌치 MOSFET TO247

FET은 타이핑합니다:엔-채널

소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요:1200 Ｖ

브그스 (맥스):+20V, -5V
LMG3425R030RQZR Gan Fet 게이트 드라이버 VQFN54는 하프 브리지 Gan 운전자들을 통합했습니다

구성:뒤집으면서, 반전시키지 않기

패키지 / 건:VQFN-54

공급 전압:7.5 Ｖ - 18 Ｖ
TP65H300G4JSGB GaN IC SuperGaN FET 650V 갈륨 질산 FET PQFN56 GaN FET

Minimum Order Quantity:10

가격:Contact for Sample

Packaging Details:Standard package
TP65H300G4LSGB GaN IC GaN FETs 650V SuperGaN FET PQFN88 GaN 전력 디스크리트

Minimum Order Quantity:10

가격:Contact for Sample

Packaging Details:Standard package

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통합된 LMG3410R070RWHR GaN IC 전원 스위치 운전자 p 채널 GaN 운전자

LMG3422R030RQZR GaN FET 600V 통합된 고립된 GaN 게이트 드라이버

LMG3411R150RWHR Gan 구동기 집적회로 6A VQFN32 배전 스위치 IC n채널

현명한 LMG3410R150RWHR GaN IC 150 모흠 Gan FET 드라이버 부하 드라이버

MOSFET GaN IC LMG3422R050RQZR 반 브리지 드라이버 범용 VQFN54

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