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LMG3425R030RQZR Gan Fet 게이트 드라이버 VQFN54는 하프 브리지 Gan 운전자들을 통합했습니다

통합 구동부와 게이트 드라이버 LMG3425R030RQZR GaN FET과 이상적 다이오드 모드 VQFN54 기술 통합 구동부와 보호와 LMG342xR030 GaN FET은 디자이너들이 전력 전자 시스템에서 새로운 수준의 전력 밀도와 효율을 달성할 수 있게 합니다.LMG342xR030은 교환 속도 최고 150 V/ns를 가능하게 하는 실리콘 운전자들을 통합... 더 견해
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