IQEH80NE2LM7UCGSC 융합회로 칩 25V OptiMOSTM 7 전력 트랜지스터 282A 연속 배수 전류와 800 uOhms 저항

Name: IQEH80NE2LM7UCGSC 융합회로 칩 25V OptiMOSTM 7 전력 트랜지스터 282A 연속 배수 전류와 800 uOhms 저항
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: IQEH80NE2LM7UCGSC
Availability: InStock

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IQEH80NE2LM7UCGSC 융합회로 칩 25V OptiMOSTM 7 전력 트랜지스터 282A 연속 배수 전류와 800 uOhms 저항

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제품 상세 정보:

원래 장소:	중국
브랜드 이름:	Original Factory
인증:	Lead free / RoHS Compliant
모델 번호:	IQEH80NE2LM7UCGSC

결제 및 배송 조건:

최소 주문 수량:	10
가격:	Contact for Sample
포장 세부 사항:	PG-WHTFN-9
배달 시간:	5-8 근무일
지불 조건:	T/T,L/C,웨스턴 유니온

접촉

IQEH80NE2LM7UCGSC 융합회로 칩 25V OptiMOSTM 7 전력 트랜지스터 282A 연속 배수 전류와 800 uOhms 저항

설명

부품 번호:	IQEH80NE2LM7UCGSC	트랜지스터 폴라릿:	n 채널
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	25 Ｖ	Id - 연속 드레인 전류:	282A
Rds On - 드레인 소스 저항:	800uΩ	Pd - 전력 손실:	107 w
강조하다:	25V 집적 회로 칩 , 282A 연속 배수 전류 전력 트랜지스터 , 800 uOhms 배수원저항 OptiMOSTM 7

IQEH80NE2LM7UCGSC 통합 회로 칩 25V OptiMOSTM 7 전력 트랜지스터 PG-WHTFN-9

IQEH80NE2LM7UCGSC 통합 회로 칩 25V OptiMOSTM 7 전력 트랜지스터 PG-WHTFN-9

제품 개요

IQEH80NE2LM7UCGSC는 데이터 센터, 서버, AI 시스템 등에 응용 프로그램 최적화된 성능을 제공하는 OptiMOSTM 7 25V 전력 트랜지스터입니다. 포트폴리오에는 두 가지 기술 변종이 포함되어 있습니다.:우수한 밀러 비율, FOM 및 RDS ((on) 10) 와 함께 하드 스위칭 토폴로지에 최적화된 제품, 그리고 극저 RDS ((on) 45) 및 FOMQg를 갖춘 소프트 스위칭 토폴로지에 최적화된 제품.

기술 사양

매개 변수	가치
시리즈	OptiMOSTM 7
FET 타입	N 채널
기술	MOSFET (금속산화물)
소스 전압 (Vdss)	25V
전류 - 연속 배수 (Id) @ 25°C	43A (Ta), 282A (Tc)
구동 전압 (최대 Rds ON, 최소 Rds ON)	4.5V, 10V
Rds ON (Max) @ Id, Vgs	0.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (최대) @ Id	2V @ 279μA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs	37nC @ 10V
Vgs (최대)	±16V
입력 용량 (Ciss) (Max) @ Vds	3900pF @ 12V
전력 분산 (최대)	2.5W (Ta), 107W (Tc)
공급자의 장치 패키지	PG-WHTFN-9-1
패키지 / 케이스	9-PowerWDFN

주요 특징

N-채널, 논리 레벨 동작
매우 낮은 전압 저항 RDS (전압)
하드 스위칭 토폴로지에 최적화
최고의 FOMoss 성능을 위해 최적화
우수한 밀러 비율 dv/dt 경직성
우수한 열 저항 특성
신뢰성 검증 100% 계곡
하드 및 소프트 스위치 최적화 옵션
하드 스위치: 우수한 밀러 비율, FOM, RDS (동) 10
소프트 스위치: 초저 RDS (동) 45, FOMQg
+175°C 분기 온도

전체 평점

5.0

이 공급자에 대한 50개의 리뷰를 바탕으로

평점 스냅샷

모든 등급의 분포는 다음과 같습니다.

5 별

100%

4 별

3 별

2 별

1 별

모든 리뷰

RUBY

Canada Mar 31.2026

도움 이 될 것 입니다 (99)

I received the package today. The goods are as described by the seller.DC:2025+ New and Original. This was a very satisfying shopping experience.

Winya

Finland Jan 13.2026

도움 이 될 것 입니다 (425)

Good quality, exactly as described. Will buy again.

Zaria

Austria Mar 14.2025

도움 이 될 것 입니다 (3652)

*"Industrial temperature grade (-40°C to 100°C) as specified. Tested in harsh environment, works perfectly. Genuine part. Will buy again."*

태그:

담당자: Sales Manager

전화 번호: 86-13410018555

팩스: 86-0755-83957753

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기능: 내려오다

출력 구성: 긍정적으로

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기능: 다기능 제어기

배터리 화학: 리튬 이온

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결함 예방: 과온

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속도: 슈퍼스피드(SS)

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부품 번호: TAS5805MPWPR

공급 전압 - 최소: 3V

공급 전압 - 최대: 3.6V

작동 온도(최소): -25°C

NCP51200 전압 조절기 IC NCP51200MNTXG IC 칩 자료 비율 종결 규제

부품 번호: NCP51200MNTXG

출력 수: 1

전압 - 출력: 0.5V ~ 1.8V

전압 - 입력: 2.375V ~ 3.5V

부문 번호	패키지
RGWSX2TS65GC13	TO-247G
RGTV00TK65GVC11	TO-3PFM
RGS30TSX2HRC11	TO-247N
RGTV80TK65DGVC11	TO-3PFM
RGTH00TK65DGC11	TO-3PFM
RGW60TS65EHRC11	TO-247-3
RGW00TK65DGVC11	TO-3PFM
RGW80TS65DHRC11	TO-247-3
RGS30TSX2DGC11	TO-247-3
RGTV00TK65DGC11	TO-3PFM
IKW75N65ET7XKSA1	PG-TO247-3
RGS50TSX2GC11	TO-247-3
RGW00TS65DHRC11	TO-247-3
RGWX5TS65HRC11	TO-247-3
IKZA40N65RH5XKSA1	TO-247-4
RGS50TSX2DGC11	TO-247-3
IXA33IF1200HB	TO-247-3
RGWX5TS65EHRC11	TO-247-3
RGW00TS65CHRC11	TO-247-3
IXGH40N120C3D1	TO-247-3
IKZA75N65SS5XKSA1	TO-247-4
IHW25N140R5LXKSA1	TO-247-3
RGW40NL65DHRBTL	TO-263-3
RGW60NL65HRBTL	TO-263-3
IHW30N110R5XKSA1	TO-247-3
IKB30N65EH5ATMA1	TO-263-3
IKB30N65ES5ATMA1	TO-263-3
RGS30NL65DHRBTL	TO-263-3
RGW50NL65DHRBTL	TO-263-3
STGWA15H120DF2	TO-247-3

IQEH80NE2LM7UCGSC 융합회로 칩 25V OptiMOSTM 7 전력 트랜지스터 282A 연속 배수 전류와 800 uOhms 저항

IQEH80NE2LM7UCGSC 융합회로 칩 25V OptiMOSTM 7 전력 트랜지스터 282A 연속 배수 전류와 800 uOhms 저항

IQEH80NE2LM7UCGSC 융합회로 칩 25V OptiMOSTM 7 전력 트랜지스터 282A 연속 배수 전류와 800 uOhms 저항

25V 집적 회로 칩

282A 연속 배수 전류 전력 트랜지스터

800 uOhms 배수원저항 OptiMOSTM 7

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집적 회로 칩 24-pqfn,

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