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STGW80H65DFB 통합 회로 칩 트렌치 게이트 필드 스톱 고속 HB 시리즈 IGBT 트랜지스터

집적 회로 칩
May 29, 2025
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태그:
#집적 회로 칩 24-pqfn #TUSB1002ARGER 듀얼 채널 선형 #집적된 칩 QFN24
Brief: Discover the STGW80H65DFB Integrated Circuit Chip, a high-speed HB Series IGBT Transistor with a trench gate field-stop structure. Ideal for photovoltaic inverters and high-frequency converters, this 650V 80A device offers optimal efficiency with low saturation voltage and safe paralleling capabilities.
Related Product Features:
  • 고효율을 위한 고급 트렌치 게이트 필드 스톱 구조.
  • 650V collector-emitter breakdown voltage and 80A collector current.
  • 꼬리 전류를 최소화한 고속 스위칭 시리즈.
  • Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6V (typ.) @ IC = 80A.
  • Positive VCE(sat) temperature coefficient for safer paralleling.
  • 일관된 성능을 보장하는 촘촘한 매개변수 분포.
  • Very fast soft recovery antiparallel diode for enhanced reliability.
  • Operating temperature range: -55°C to 175°C (TJ).
질문과대답:
  • What is the maximum junction temperature of the STGW80H65DFB?
    The maximum junction temperature is TJ = 175°C.
  • What applications is the STGW80H65DFB suitable for?
    It is ideal for photovoltaic inverters and high-frequency converters.
  • Does the STGW80H65DFB support safe paralleling?
    Yes, its slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution enable safe paralleling.
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