회사 블로그 1EDN8511B: SMPS 및 DC-DC 변환기용으로 특별히 설계된 단일 채널 저변 게이트 드라이버

고효율의 전원 전환 및 전력 변환을 위한 신뢰할 수 있는 선택

현대 스위칭 모드 전원 공급 장치 (SMPS), 전력 요인 수정 (PFC), DC-DC 변환기고성능 게이트 드라이버는 제어 칩과 전원 스위치 장치 (MOSFET 및 GaN와 같은) 사이의 중요한 링크 역할을합니다..1EDN8511B인피니온의 EiceDRIVERTM 시리즈의 이 단선 저측 게이트 드라이버 IC는 소형 SOT-23-6 패키지에 배치되어 있습니다.인상적인 4A 소스 전류와 8A 싱크 전류 드라이브 기능을 제공합니다, OptiMOSTM, CoolMOSTM 및 갈륨 질산 (GaN HEMT) 전원 전환 장치를 구동하는 데 최적화되었습니다.

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1EDN8511B제품 개요

의1EDN8511B인피니온의 EiceDRIVERTM 1EDN 시리즈의 일부분이며, 단 채널의 저측 게이트 드라이버입니다.기존 디자인의 교체와 업그레이드를 촉진하는 것산업용 SMPS, 전기 차량 탑재 또는 탑재 전용 충전기 또는 태양광 마이크로 인버터에서 1EDN8511B는 시스템 효율과 전력 밀도를 크게 향상시킬 수 있습니다.

1EDN8511B주요 기술 사양

드라이브 구성: 단일 채널 하단

출력 전류: 소스 전류 4A / 싱크 전류 8A

작동 전압 범위: 4.5V 20V

전파 지연: 19 ns (보통)

상승/하락 시간: 6.5 ns / 4.5 ns

저전압 차단 (UVLO): 8V (동) / 7V ( 꺼)

작동 온도 범위: -40°C ~ +150°C

패키지: SOT-23-6

입력 타입: 선택 가능한 상태/이버팅

1EDN8511B주요 특징 과 이점

1빠른 전환을 지원하는 특별한 드라이브 기능

출력 단계, 4A 소스 전류와 8A 싱크 전류를 특징으로, 단지 6.5ns의 상승 시간과 4.5ns의 하락 시간을 결합,전원 스위치의 게이트 용량을 빠르게 충전하고 방출 할 수 있습니다., 효과적으로 전환 손실을 줄입니다. 이것은 고 주파수 응용 프로그램에 특히 적합합니다.

2매우 낮은 전파 지연과 높은 정확성

전형적인 전파 지연은 단지 19 ns이며, 지연 정확도는 +6/-4 ns 내에서 제어되며, 멀티 레일 전원 공급 또는 동기 교정 응용 프로그램에서 정확한 타이밍 컨트롤을 보장합니다.

3견고하고 내구성

-10 V 입력 전압 면역: 펄스 트랜스포머를 구동 할 때 중요한 안전 마진을 제공합니다.

5 역류 견고성: TO-220/TO-247 패키지에 MOSFET을 구동 할 때 외부 Schottky 클램핑 다이오드가 제거되어 설계를 단순화하고 비용을 절감합니다.

4독립된 소스/심크 전류 출력

별도의 OUT_SRC 및 OUT_SNK 핀 디자인은 사용자가 외부 저항을 통해 자동으로 켜기 및 끄기 속도를 조절할 수 있습니다.EMI와 전환 손실 사이의 균형의 유연한 최적화를 제공합니다..

5종합적인 저전압 잠금 (UVLO) 보호

1EDN8511B는 8V의 UVLO 켜기 문턱과 7V의 켜기 문턱을 갖추고 있습니다. 그것은 표준 수준의 MOSFET 및 CoolMOSTM 초절단 MOSFET을 구동하도록 특별히 설계되었습니다.가동 시 및 비정상적인 조건 하에서 전력 장치가 안전하고 제어된 상태로 유지되도록 하는 것.

1EDN8511B주요 응용 분야

스위치 모드 전원 공급 장치 (SMPS): 산업용 AC-DC 전원 공급 장치, PC 전원 공급 장치 및 서버 전원 공급 장치에 적합합니다.

전력 요인 수정 (PFC): 높은 전력 요인 요구 사항을 충족시키기 위해 PFC 단계 효율을 향상시킵니다.

DC-DC 변환기: 통신 모듈 전원 공급 장치, 자동차 DC-DC 변환기 및 비 자동차 충전기에 사용됩니다.

저전압 드라이브 및 전력 도구: 작동 효율을 향상시키기 위해 저전압 모터를 구동합니다.

태양광 시스템: 태양광 마이크로 인버터 및 전력 최적화 모듈.

무선 충전 시스템: 고주파 인버터 회로의 핵심 드라이버 부품.

첸젠 밍기다 전자제품에 대해

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결론

4A/8A 피크 전류, 19 ns의 낮은 전파 지연, 넓은 작동 전압 범위,1EDN8511B는 고주파에 대한 이상적인 단일 채널 낮은 측면 게이트 드라이버입니다., 고효율의 전력 변환 설계. 기존 SMPS 설계의 개선 또는 차세대 GaN 전력 시스템 개발,1EDN8511B탁월한 성능을 제공합니다.