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회사 블로그 AI 데이터센터 및 AI 서버 전력 MOSFET 시리즈 상세 가이드 — 명지다 전자 원스톱 공급 플랫폼

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AI 데이터센터 및 AI 서버 전력 MOSFET 시리즈 상세 가이드 — 명지다 전자 원스톱 공급 플랫폼
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소개: 인공지능 컴퓨팅 전력의 폭발적인 성장은 서버 전력 공급 아키텍처의 변화를 주도합니다

 

대규모 언어 모델, 생성 AI 및 GPU 클러스터의 대규모 배포로 AI 데이터 센터의 컴퓨팅 용량 수요는 기하급수적으로 증가하고 있습니다.그리고 서버 전원 공급 시스템은 전통적인 12V 아키텍처에서 48V 버스 아키텍처로 포괄적인 업그레이드를 겪고 있습니다.이러한 배경에서, 전력 장치의 선택은 시스템 효율성, 전력 밀도 및 신뢰성을 결정하는 핵심 요소가되었습니다.서버 전원 공급 장치 (PSU) 의 핵심 스위치 장치로, 48V 중간 버스 변환기 (IBC) 및 탑재 된 전압 조절 모듈 (VRM), 전력 MOSFET의 성능은 시스템의 전반적인 에너지 효율에 직접 영향을 미칩니다.

 

첸젠 밍기아다 전자제품 회사 (www.integrated-ic.com1996년에 설립된 이 회사는 전자 부품의 세계적 인 권가를 받은 독립적인 유통업체로, 산업 경험 30년 가까이를 보유하고 있습니다.회사는 홍콩에 지사를 설립했습니다., 일본, 러시아 및 대만, ISO 9001:2014 및 ISO 14001:2014밍기아다는 인피니언, 나비타스, ST, ON 반도체, ROHM, 레네사스, 울프스피드, 마이크로칩 등 세계 유수의 브랜드의 전력 MOSFET 제품을 장기적으로 보유하고 있습니다.인공지능 데이터센터 및 서버 전원 공급 애플리케이션을 위한 원스톱 전력 반도체 솔루션 제공.

 

I. 인공지능 서버 전원 공급 장치의 전력 MOSFET에 대한 기본 요구 사항

인공지능 서버 전원 공급은 일반적으로 PFC (전력 요인 수정) 단계, LLC 공명 변환기 단계, 48V-12V IBC 변환기 단계,그리고 탑재된 VRM전력 MOSFET에 대한 성능 요구 사항은 이러한 단계에 따라 다릅니다.

고전압 AC-DC 스테이지 (PFC/LLC): 600V~650V 이상의 고전압의 CoolMOSTM 초연결 MOSFET 또는 CoolSiCTM/SiC MOSFET을 필요로 한다.낮은 전환 손실과 높은 변환 효율성.

48V 버스 변환 (IBC): 40V~100V로 지정된 중저전압 OptiMOSTM MOSFET를 필요로 하며, 초저전 저항 (RDS(on)) 및 고주파 스위치 기능을 갖는다.

탑재된 VRM 전원 공급 장치: GPU 및 TPU와 같은 AI 가속기 칩에 정확한 코어 전원 공급을 제공하기 위해 고전류, 저전압 MOSFET를 필요로합니다.

BBU (배터리 백업 유닛): 공급 전압이 ±400V, 심지어 800V로 발전함에 따라 SiC MOSFET는 고전압 BBU에서 점점 더 많이 사용됩니다.

 

II. 밍기아다의 전력 MOSFET 제품군에 대한 상세한 개요

1. 인피니온 전력 MOSFET의 전체 범위

밍지아다는 오랫동안 인피니온의 N 채널 전력 MOSFET의 전체 범위를 공급했으며 다음과 같은 핵심 제품을 포함합니다.

(1) OptiMOSTM 시리즈 중저전압 애플리케이션에서 높은 효율을 위한 기준

옵티모스 시리즈는 12V에서 250V의 전압 범위를 커버하고 높은 스위치 효율성과 높은 전력 밀도를 제공하는 인피니온의 중저압 전력 MOSFET의 대표 제품군입니다.밍지다의 주요 상품은:

OptiMOSTM 5: BSC052N08NS5 (80V/5.2mΩ) 및 ISC013N06NM5SC와 같은 모델을 포함하여 60V에서 250V까지 전압 커버리인공지능 서버 및 통신 전원 공급 장치에서 동기 교정용으로 특별히 설계된.

OptiMOSTM 6: 전전압 60V에서 200V까지 전체 전압 커버링, 전 세대와 비교하여 30% 감소 된 온 저항과 품질 요인의 상당한 개선.100V 시리즈는 온 저항의 18% 감소와 주요 품질 요소의 최대 42% 개선.

OptiMOSTM 7/8: 첨단 구리 금속화 프로세스와 300mm 웨이퍼 기술을 사용하여, RDS (동) 은 40V 변종에 25% 감소하고 80V/100V 변종에 40% 감소합니다.

 

(2) 쿨모스TM 시리즈 (CoolMOSTM Series) 고전압 초연결 MOSFET

쿨모스TM 시리즈는 슈퍼 융합 MOSFET 기술을 사용하며 고효율의 스위치 전원 공급에 적합합니다. 밍기다는 C3, C7, G7 시리즈를 포함한 전체 제품군을 공급합니다.예를 들어 IPT60R050G7 (600V CoolMOSTM G7), PFC, 서버 전원 공급 장치 및 산업 SMPS에 널리 사용됩니다. Mami Electric는 5.5kW AI 서버 전원 공급 장치에 Infineon의 CoolMOSTM 8 장치를 통합하여 높은 효율을 달성했습니다.,높은 전력 밀도와 높은 신뢰성

 

(3) CoolSiCTM 시리즈 ∙ 실리콘 탄화물 MOSFET

쿨시크TM MOSFET는 1200V/1700V까지의 전압 등급을 지원하는 실리콘 카바이드 기술을 활용하며 175°C의 접합 온도에서 작동할 수 있으며 저항 손실이 매우 낮습니다..밍지아다는 전체 쿨시시CTM 제품군을 공급하고 있으며, 이는 인공지능 서버 전원 공급 장치의 PFC 단계 및 고전압 DC-DC 변환 단계에서 상당한 이점을 제공합니다.

 

(4) CoolGaNTM 시리즈 √ 갈륨 나이트라이드 트랜지스터

CoolGaNTM 시리즈는 갈륨 나이트라이드 (GaN) 기술을 기반으로하며, 제로 역 회수 전하와 초고 스위칭 주파수를 갖추고 있습니다.CoolGaNTM 장치는 전력망에서 칩에 이르는 전체 체인 전체에 고효율의 전력 공급을 지원합니다.인공지능 컴퓨팅 인프라의 높은 전력 밀도 요구 사항을 충족합니다.

 

(5) StrongIRFETTM 시리즈

StrongIRFETTM 시리즈는 비용 효율적인 중간 및 저전압 MOSFET 라인업으로 위치하고 있으며, 뛰어난 내구성 및 산사태 보호 기능을 제공합니다.StrongIRFETTM 2 시리즈는 최대 100V의 VBRDSS를 갖추고 있습니다, 최소 RDS (동) 1.2mΩ, -55 °C에서 175 °C까지의 작동 온도 범위.

 

2NAVITAS GeneSiC 시리즈의 SiC MOSFET

밍지아다는 오랜 기간 동안 독보적인 트렌치 보조 평면 게이트 기술을 활용한 Navitas GeneSiC 시리즈의 실리콘 카바이드 MOSFET을 공급해 왔습니다. 이들은 주로 두 가지 시리즈로 나뉘어 있습니다:

Gen-3 Fast (G3F) 시리즈: 가장 빠른 스위치 속도와 가장 높은 효율을 필요로 하는 애플리케이션을 위해 특별히 설계되어 있으며, 고주파를 목표로 합니다.인공지능 데이터 센터 서버 전원 공급 장치와 같은 높은 전력 밀도 시나리오, 전기 차량 탑재 충전기 (OBC) 및 빠른 DC 충전 스테이션. 전압 등급은 650V 및 1200V이며, D2PAK-7L, TOLL 및 TO-247-4와 같은 패키지 옵션이 있습니다.

Gen-3 Rugged (G3R) 시리즈: 극심한 견고성과 높은 신뢰성에 초점을 맞추고, 더 높은 돌풍 저항 전압과 더 강력한 단회로 기능을 갖추고 있으며, 전압 등급은 1,200V 및 1700V

 

3. STMicroelectronics 전력 MOSFET 및 SiC MOSFET

밍지아다는 ST 전력 MOSFET 및 실리콘 카비드 (SiC) MOSFET의 전체 범위를 보유하고 있습니다. ST의 전력 MOSFET은 100V에서 1,700V까지의 고장 전압 범위를 커버합니다.고전압 MDmesh/STMESH 트렌치 시리즈와 저전압 STripFET 시리즈를 포함하여ST 즈 SiC MOSFET는 650V에서 2,200V까지 확장 된 전압 범위를 제공하며 뛰어난 스위칭 성능과 단위 면적 당 극히 낮은 전압 저항을 제공합니다.전형적인 응용 프로그램은 서버 및 통신 전원 공급 장치입니다., 마이크로 인버터와 빠른 충전

 

4다른 핵심 브랜드

밍지아다는 또한 다음과 같은 브랜드의 전력 MOSFET 제품을 공급합니다.

ONSEMI: 전기차 견인 인버터 및 고전압 전력 변환용으로 특별히 설계된 EliteSiC 실리콘 카바이드 MOSFET.

ROHM: N 채널 전력 MOSFET, 자동차 등급 MOSFET 및 SiC MOSFET. ROHM 즈 750V SiC MOSFET 즈 SCT4013DLL 즈는 AI 서버 전력 공급 장치의 BBU에 채택되었습니다.

르네사: 자동차 및 산업용 전력 MOSFET

울프스피드: 650V에서 1700V까지 전 전압 범위를 다루는 SiC MOSFET 및 SiC 전력 모듈.

마이크로칩: 모든 전압 등급에 걸쳐 실리콘 탄화물 MOSFET; 650V 시리즈는 서버 전원 공급 장치와 같은 중고전압 애플리케이션에 적합합니다.

토시바: 높은 신뢰성 MOSFET.

 

III. 밍지다의 서비스 장점

광범위한 재고 가용성: 첸젠과 홍콩의 두 개의 창고 센터를 통해 200만 개 이상의 인기 모델의 재고를 유지하며, 같은 날 주문, 다음 날 배송을 지원합니다.

품질 보장: 모든 제품은 100% 정품이며 ISO 9001 및 ISO 14001 표준에 인증되어 있으며 신뢰할 수있는 품질을 보장하기 위해 끝에서 끝까지 테스트됩니다.

유연한 조달: 우리는 모든 것을 지원합니다. 작은 팩 샘플 (하나의 단위에서 시작) 에서 대용량 생산 주문에 이르기까지 모든 단계에서 고객의 요구를 충족시킵니다.

급속한 배송: 표준 주문은 1~3일 이내에 배달됩니다. 긴급 주문은 4시간 이내에 발송되고 24~48시간 이내에 배달됩니다.

 

결론

인공지능 컴퓨팅 인프라의 급속한 발전을 배경으로효율적이고 신뢰할 수 있는 전력 MOSFET는 서버 전력 공급 시스템에서 높은 전력 밀도와 에너지 효율을 달성하는 데 필수적입니다.전력 MOSFET 제품의 포괄적인 범위와 함께 Infineon, Navitas, ST, ON Semiconductor, ROHM 및 Wolfspeed와 같은 세계 유수의 브랜드를 포괄합니다.광범위한 재고 가용성 및 빠른 배달 능력과 결합, Mingjiada Electronics는 AI 데이터 센터 및 서버 전원 공급 애플리케이션에 대한 원 스톱 전력 반도체 조달 솔루션을 제공하기 위해 최선을 다하고 있습니다.

 

저희와 연락

전화: +86 13410018555 (첸 씨)

이메일: sales@hkmjd.com

주소: 방 1239~1241, 신아시아 구리 빌딩, 젠존 로드, 푸티안 구,?? 진

선술집 시간 : 2026-08-22 10:26:30 >> 뉴스 명부
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