회사 블로그 인수 모스페트스 트랜지스터, 마이크로컨트롤러 IC, 메모리용 IC, 센서 ic

인수 모스페트스 트랜지스터, 마이크로컨트롤러 IC, 메모리용 IC, 센서 ic

특별한 재활용 과정 :
1. 당신은 단순히 IC / 모듈 주식을 분류하고 모델, 브랜드, 제조 일, 양, 기타 등등을 확인할 수 있습니다.
2. 팩스 또는 이메일에 의해 당신의 저장소 목록을 우리의 심사 팀에게 보내세요.
3. 당신이 구매를 받을 때 전문가들 중 하나로부터 제공하세요 그러면 우리는 특별한 교역 방법과 배달을 협상하고 합의에 도달할 수 있습니다.
4. 단지 우리는 대리인들과 무역업자들과 공장과 같은 정규 채널로부터 재순환하고, 불규칙한 소식통들을 받아들이지 않습니다.

인수 MOSFET 트랜지스터 NTH4L022N120M3S 엔-채널 1200V 68A 352W TO-247-4L

제품 설명
NTH4L022N120M3S 탄화규소 (SiC) MOSFET이 1200V M3S 평탄구조 SiC MOSFET의 가족입니다. NTH4L022N120M3S는 쾌속 전환 애플리케이션에 대해 최적화됩니다. 플레너 기술은 게이츠에 확실히 부정 게이트 전압 드라이브와 함께 일하고, 스파이크를 끕니다. 이러한 MOSFET은 18V 게이트 드라이브에 의해서 구동될 때 최적의 성능을 특징으로 하 그러나 또한 15V 게이트 드라이브와 잘 작동합니다.

특징
Typ. VGS = 18 Ｖ에 있는 = 22 Ｍ (의) RDS
저스위칭 손실 (Typ. 한 40,800 V)에 있는 EON 490 Ｊ
100% 쇄도는 시험을 받았습니다
이 장치는 예외 7a와 할라이드 자유롭고 로에스 순응합니다,
(제2 수준 상호 연결에) Pb-프리 2LI

전형적인 애플리케이션
태양 인버터
전기자동차 충전소
UPS (무정전 전원장치)
에너지 저장 시스템
SMPS (스위치 모드 전력 공급기)