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4N-채널 MOSFET 전력 모듈 획득
MSCSM170HM23CT3AG는 풀 브리지 SiC MOSFET 전력 모듈, 1700V, 124A 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 어레이 모듈입니다.
| 부품 번호: | MSCSM170HM23CT3AG | 전력 손실 TC = 25°C: | 602W(최대) |
|---|---|---|---|
| 드레인 소스 ON 저항(최대): | 22.5mΩ | 게이트-소스 누설 전류(VGS = 20V, VDS = 0V): | 200nA(최대) |
| 내부 게이트 저항(통상): | 2.93Ω | 접합부 대 케이스 열 저항(최대): | 0.25°C/W |
구매 유형
당사는 5G IC, 신에너지 IC, 사물 인터넷 IC, BT IC, 차량 인터넷 IC, 자동차 표준 IC, 기지국 IC, 통신 IC, 인공 지능 IC, 의료 IC, 가전 IC, 음성 IC, 메모리 IC, 센서 IC, 마이크로 컨트롤러 IC, 트랜시버 IC, 휴대폰 IC, 웨어러블 IC, 커넥터, 조명 IC, 커패시터 저항, TO-247, 다이오드 및 삼극관.
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