인수 트랜지스터, 인수 전자 부품, 인수 메모리 ics와 BT 칩
센즈헨 밍지아다 전자공학 주식회사.
(그러나 제한되) 5G, 새로운 에너지, 사물인터넷, 자동차, 자동차 규격 기기, 기지국, 통신, 인공지능, 고주파 주파수, 가전 제품류, 사이리스터, 의료팀, 산업, BT 5.0, 이더넷, 센서, 광학 모듈, 와이파이인 DC / DC, LPWA, GNSS,와 IGBT의 인터넷을 포함하여 우리는 다양한 분야에서 사용된 모듈의 광범위한 일련을 구입합니다.
(그러나 한계를 두) 다음을 포함하여 우리는 또한 다양한 전자 부품과 IC 공급 과다를 구입합니다 5G IC, 신 에너지 IC, 사물인터넷 IC, BT IC, 차량 IC의 인터넷, 자동차 규격 IC, 기지국 IC, 통신 ics, 인공지능 IC, 의학 IC, 가전 제품 IC, 음성 IC, 메모리 ics, 센서 ics, 마이크로컨트롤러 IC, 송수신기 IC, 휴대폰 IC, 착용할 수 있는 IC, IC을 밝힌 연결기, 축전기 저항기, TO-247, 다이오드와 3극 진공관.
인수 트랜지스터
| 액크비슬션 모델 | FDMT80060DC |
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FET은 타이핑합니다
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엔-채널
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기술
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MOSFET (금속 산화물)
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소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요
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60 Ｖ
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경향 - 25' Ｃ에 있는 연속배수 (Id)
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43A (Ta), 292A (Tc)
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구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다)
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8V, 10V
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Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds
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43A, 10V에 있는 1.1mOhm
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Id에 있는 Vgs(th) (맥스)
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250uA에 있는 4.5V
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게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다
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10 Ｖ에 있는 238 nC
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브그스 (맥스)
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±20V
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Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스)
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30 Ｖ에 있는 20170 pF
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전력 소모 (맥스)
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3.2W (Ta), 156W (Tc)
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작동 온도
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-55' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ)
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증가하는 타입
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표면 부착
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패키지 / 건
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8-PowerVDFN
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특별한 재활용 과정
1. 당신은 단순히 IC / 모듈 주식을 분류하고 모델, 브랜드, 제조 일, 양, 기타 등등을 확인할 수 있습니다.
2. 팩스 또는 이메일에 의해 당신의 저장소 목록을 우리의 심사 팀에게 보내세요.
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4. 단지 우리는 대리인들과 무역업자들과 공장과 같은 정규 채널로부터 재순환하고, 불규칙한 소식통들을 받아들이지 않습니다.
담당자: Mr. Sales Manager
전화 번호: 86-13410018555
팩스: 86-0755-83957753
