회사 블로그 ADI HMC441LC3BTR GaAs pHEMT MMIC 중간 전력 증폭기

ADIHMC441LC3BTRGaAs pHEMT MMIC 중량 전력 증폭기

첸젠 밍지아다 전자제품 회사, Ltd.전 세계적으로 유명한 전자 부품 유통업체로서, ADI의 HMC441LC3BTR 갈륨 아르세나이드 pHEMT MMIC 중력 증폭기를 공급하고 있습니다.이 고성능 RF 장치는 6GHz에서 18GHz 주파수 대역에서 예외적인 전기 특성을 보여줍니다., 포인트에서 포인트 라디오 시스템, VSAT 시스템, 군사 전자 전쟁 장비 및 기타 고급 분야에서 광범위한 응용을 찾습니다.

제품 개요 및 기술 사양HMC441LC3BTR:

HMC441LC3BTR는 고효율의 갈륨 아르세나이드 pHEMT (위조 모양의 고전자 이동성 트랜지스터) MMIC (모노리틱 마이크로파 통합 회로) 중간 전력 증폭기입니다.RoHS 규격에 부합하는 납 없는 표면 장착 패키지로이 HMC441LC3BTR 제품은 뛰어난 성능 메트릭과 광범위한 애플리케이션 적응력으로 RF 증폭기 분야에서 유명합니다.

포장에 있어서,HMC441LC3BTR 12VFCQFN (12pin 노출 패드 쿼드 플래트 비 리드) 패키지를 채택하고 있으며 3x3mm의 컴팩트 크기로 전자 장치 디자인에서 소형화 및 높은 통합에 대한 현대적 추세에 맞춰집니다.이 포장은 효율적인 열 관리를 위해 우수한 열 성능을 제공하는 것뿐만 아니라 대용량 표면 장착 제조 공정과도 호환됩니다., 생산 작업 흐름을 크게 단순화합니다.

주요 기술 매개 변수HMC441LC3BTR다음을 포함합니다.

작동 주파수 범위: C 대역, X 대역 및 Ku 대역을 포함하는 6 GHz에서 18 GHz

이득: 14 dB (유형적), 안정적인 신호 증폭 능력을 제공합니다.

포화 출력: +21.5 dBm (약 141 mW), 중량 출력 시나리오에 적합합니다.

추가 전력 효율 (PAE): 27% 에너지 효율에서 비교 가능한 제품을 능가합니다.

1dB 압축점 출력 전력 (P1dB): 20dBm, 충분히 넓은 선형 작동 영역을 보장

소음 수치: 4.5dB, 전력 증폭기 중 가장 낮은 수준

작동 전압: 단일 5V 전원 공급 장치, 시스템 전력 설계를 단순화합니다.

작동 전류: 115mA, 합리적인 전력 소비 조절

설계의 중요한 장점HMC441LC3BTR완전히 통합된 50오hm 매칭 네트워크입니다. 즉 엔지니어들은 이 장치를 적용할 때 복잡한 임피던스 매칭 회로를 설계하거나 외부 구성 요소를 사용할 필요가 없습니다.RF 시스템 설계 프로세스를 크게 단순화, 개발 복잡성을 줄이고 BOM 비용을 줄입니다. 입력 및 출력 포트 모두 DC 차단 디자인을 갖추고 있으며 시스템 통합을 더욱 촉진합니다.

성능 특징 및 설계 장점HMC441LC3BTR:

갈륨 아르세나이드 pHEMT 기술을 기반으로 한 중력 증폭기로서 HMC441LC3BTR는 RF 성능, 통합 및 신뢰성 측면에서 여러 장점을 제공합니다.고주파 애플리케이션에 이상적인 선택.

광대역 성능은HMC441LC3BTR증폭기 6 GHz에서 18 GHz의 연속 작동 주파수 대역은 C 대역 (4-8 GHz), X 대역 (8-12 GHz), Ku 대역 (12-18 GHz) 을 포함한 여러 중요한 RF 주파수 대역을 포함한다.이 광대역 기능은 하나의 장치가 여러 응용 프로그램의 요구를 충족시킬 수 있습니다., 시스템 설계에서 주파수 대역 전환의 복잡성을 크게 줄이는 동시에 재료 관리 및 재고 비용을 줄입니다.

전력 성능의 측면에서,HMC441LC3BTR포화출력 +21.5dBm와 압축점 출력 20dBm 1dB를 제공하며 14dB 가이드와 결합하여 훌륭한 선형 가이브 블록 또는 드라이버입니다.27%의 전력 추가 효율 (PAE) 은 탁월합니다., 즉 더 많은 DC 전력이 유용한 RF 출력 전력으로 변환되어 시스템 열 분산 요구 사항을 줄입니다. 전통적인 실리콘 기반 증폭기와 비교하면,이 장치는 갈륨 아르세나이드 pHEMT 기술을 기반으로 효율성 측면에서 상당한 이점을 제공합니다., 주파수 특성과 온도 안정성

시스템 통합의 편의성은 HMC441LC3BTR의 또 다른 주요 하이라이트입니다. 완전히 통합 된 50 오hm 입력 / 출력 매칭은 외부 매칭 네트워크 설계의 필요성을 제거합니다.동전 차단 입력/출력 포트가 편향 회로 설계를 단순화하는 동안. 표면 장착 패키지 (SMT) 는 현대 PCB 조립 프로세스와 완전히 호환됩니다. 이러한 특징은 함께 장치를 "plug-and-play" RF 솔루션으로 만듭니다.제품 개발 주기를 크게 줄이는 것.

신뢰성 관점에서, 갈륨 아르세나이드 pHEMT 기술 자체는 고온 작동 능력과 우수한 방사능 저항을 제공합니다.ADI의 엄격한 품질 관리 시스템과 결합, 이것은HMC441LC3BTR가혹한 환경에서도 안정적으로 작동합니다.공급된 모든 장치가 공장에서 직접 생산된 정품 제품이며 완전한 품질 추적 서비스를 제공하는 것을 보장합니다..

사용의 전형적인 분야HMC441LC3BTR:

포인트에서 포인트 라디오 통신 시스템에서 HMC441LC3BTR는 일반적으로 중간 주파수 (IF) 또는 전파 주파수 (RF) 대역에서 드라이버 증폭기로 사용됩니다.그 넓은 대역폭 특성은 여러 주파수 대역에서 작동하는 마이크로 웨브 링크 시스템에 특히 적합합니다., 그것의 우수한 선형성은 256QAM 또는 1024QAM과 같은 높은 계층의 변조 신호의 고품질 전송을 보장합니다. 14 dB의 이득은 전송 경로 손실을 효과적으로 보상합니다.시스템 전체 신호/소음 비율을 높이는 것.

위성 통신 시스템, 특히 VSAT (Very Small Aperture Terminal) 장비는 이 증폭기의 또 다른 핵심 응용 시나리오를 나타냅니다.쿠 대역 (12-18 GHz) 위성 통신, HMC441LC3BTR는 다운링크에서 업 컨버터 다음의 파워 드라이브 스테이지 또는 저소음 증폭기 다음의 가이드 스테이지로 사용될 수 있습니다.안정적인 성능과 컴팩트한 패키징으로 공간 제한된 VSAT 터미널 장비에 특히 적합합니다.

군용 전자 시스템은HMC441LC3BTR전자 전쟁 (EW) 및 전자 대책 (ECM) 장비에서이 증폭기는 간섭 신호 생성 체인 또는 수신기 전면 끝에서 사용할 수 있습니다.그 광대역 특성으로 인해 여러 위협 주파수를 커버할 수 있습니다., 갈륨 아르세나이드 (GaAs) 기술의 고유 방사능 저항은 가혹한 전자기 환경에서 신뢰성을 향상시킵니다.

또한,HMC441LC3BTR믹서기에 대한 로컬 오시레이터 (LO) 드라이버로 사용하기에 매우 적합합니다. 슈퍼 헤테로다인 수신기 아키텍처에서믹서기의 LO 포트를 운전하려면 좋은 변환 효율을 보장하기 위해 충분한 전력이 필요합니다., 또한 시스템 노이즈 성능을 저하시키는 것을 피하기 위해 낮은 단계 노이즈를 요구합니다. 증폭기의 높은 선형성 및 중간 전력 수준은 LO 운전에 이상적인 선택이됩니다.

시험 및 측정 장비의 경우,HMC441LC3BTR신호 소스 출력 단계의 보충 증폭기로 작용하거나 수신 채널에서 필요한 이득을 제공할 수 있습니다.6에서 18 GHz의 넓은 대역폭 커버리는 테스트 시스템에 필요한 증폭기의 수를 줄입니다., 기기 설계의 단순화.