첸젠 밍기아다 전자제품 회사전자 부품 분야에서 거의 30 년의 경험을 가진 공급 업체입니다. 회사는 삼성 및 SK 하이닉스 등 여러 브랜드의 메모리 칩을 공급합니다.아래는 주요 메모리 칩 제품에 대한 소개입니다.
주요 제품 라인
1. 삼성 메모리 칩의 전체 범위
밍기아다 일렉트로닉스는 DRAM, NAND 플래시, UFS, HBM 및 eMMC를 포함한 모든 범주를 포함하는 삼성 메모리 칩을 공급합니다.이 기술은 성숙한 프로세스부터 최신 세대의 고성능 솔루션까지:
1고성능 HBM 시리즈
HBM3 아이스볼트: KHBAC4A03D-MC1H (24GB 용량, 12층 스택, 6.4 Gbps 전송 속도, 총 대역폭 819GB/s), 인공지능 훈련, 고성능 컴퓨팅 (HPC) 에 특별히 설계되었습니다.데이터 센터 가속도
HBM2E 플래시볼트: KHAA84901B-JC17, 그래픽 컴퓨팅 및 메타버스 애플리케이션을 위해 높은 대역폭과 낮은 대기 시간을 제공합니다.
2DDR SDRAM 시리즈
DDR4: K4A8G165WC-BCWE (8Gb 용량, 3200Mbps 속도), 서버 및 워크스테이션에 적합; K4A4G045WE-BCRC 스마트 폰 및 산업 제어 시스템에 널리 사용됩니다.
DDR3L: K4B4G0846E-BCMA (4Gb 용량, 1866Mbps 속도, 1.5V 저전력), 자동차 수준의 신뢰성을 위해 검증되었으며 자동차 전자제품, 의료기기 및 산업 자동화에 적합합니다.
K4B4G1646E-BYMA: FBGA-96 패키지에 4Gb DDR3L SDRAM, 캐시 및 멀티태스킹을 지원합니다.
3LPDDR 저전력 시리즈
LPDDR5 uMCP: KM2L9001CM-B518 및 KM8L9001JA-B624 (128GB 용량), LPDDR5 DRAM과 UFS 3.1 플래시 메모리를 통합합니다. 중고급 스마트폰 및 웨어러블 기기용으로 설계되었습니다.높은 대역폭과 낮은 전력 소비의 균형을 제공합니다.
LPDDR4X: K3KL8L80EM-MGCV를 포함한 모델, IoT 단말기에 대한 엄격한 전력 소비 요구 사항을 충족합니다.
4. UFS 플래시 메모리
UFS 31: KLUDG4UHYB-B0EP (128GB), 플래그십 모바일 장치 및 자동차 솔루션에 적합합니다.
UFS 21: KLUBG4G1ZF-C0CQ (512GB), 고성능 모바일 장치 및 차량 내 인포테인먼트 시스템을 위한 6Gbps 대역폭을 지원합니다.
5. eMMC 임베디드 스토리지
EMMC 51: KLMAG1JETD-B041 (128GB), 빠른 시스템 부팅 및 원활한 응용 프로그램 경험을 위해 스마트 폰 및 태블릿에 널리 배포
6NAND 플래시
V-NAND 기술: K4F6E3S4HB-KHCL 임베디드 스토리지 및 자동차 전자 장치에 적합합니다.
2SK 하이닉스 메모리 칩
밍기아다 일렉트로닉스는 SK 하이닉스 고성능 메모리 칩의 장기적이고 안정적인 공급을 유지하고 있으며 주요 제품은 다음과 같습니다.
1. LPDDR4X 시리즈
H9HCNNNBKUMLHR-NMOR: 128GB 대용량, 1.1V 작동 전압에서 4266Mbps 데이터 전송 속도를 지원합니다. FBGA-200 패키지를 사용하여,-40°C~+85°C의 넓은 온도 범위에서 안정적으로 작동합니다.스마트 폰, 태블릿, 노트북 및 서버에 널리 배포되어 고속 데이터 처리, 낮은 전력 소비 및 뛰어난 신뢰성을 제공합니다.
2기업 및 산업 저장소
밍기아다 일렉트로닉스는 또한 SK 하이닉스의 데이터 센터, 기업 SSD 및 자동차 전자 장치에 대한 전문 메모리 솔루션을 공급합니다.높은 내구성 및 안정성에 대한 엄격한 요구 사항을 충족합니다..
3전형적인 응용 분야
• 인공지능 서버 및 데이터 센터: HBM3, DDR4, 기업 SSD
• 자동차 전자기기: 자동차 수준의 DDR3L, eMMC, AEC-Q 인증을 준수하는 UFS
• 스마트 폰 및 모바일 장치: LPDDR5, UFS 3.1, eMMC 5.1
• 산업 제어 및 IoT: SLC NAND, 산업 수준의 DDR, SPI NAND
• 의료기기 및 소비자 전자제품: 높은 신뢰성 DRAM, 저전력 LPDDR 시리즈
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