회사 블로그 인피니온 N 채널 전력 MOSFET BSZ440N10NS3G OptiMOSTM3 전력 트랜지스터, 100V

밍기다 전자 핫 판매: 인피니온 N 채널 전력 MOSFETBSZ440N10NS3G, OptiMOSTM3 전력 트랜지스터, 100V

BSZ440N10NS3G제품 설명
인피니언 BSZ440N10NS3G N 채널 전원 MOSFET는 100V 등급 OptiMOSTM3 시리즈 전력 트랜지스터이다. BSZ440N10NS3G는 PG-TSDSON-8 패키지에 패키지되어 있으며, 콤팩트한 크기 (3.3 × 3.3 × 1.1mm)이 BSZ440N10NS3G는 RoHS 및 AEC-Q101 표준을 준수하여 산업 및 자동차 전자 응용 분야에 적합합니다.

BSZ440N10NS3G제품 특성
낮은 켜기 저항: RDS (켜기) 는 3.8 밀리오프 (유례) 로 낮으며, BSZ440N10NS3G는 전력 손실을 크게 줄이고 시스템 효율성을 향상시킵니다.
빠른 스위칭 기능: BSZ440N10NS3G는 현대적인 효율적인 전력 변환의 요구를 충족시키는 고 주파수 운영 시나리오를 지원합니다.
높은 급류 능력: BSZ440N10NS3G는 손상없이 짧은 기간 동안 더 큰 급류에 견딜 수 있습니다.
내장된 역 다이오드: BSZ440N10NS3G는 추가 부품의 필요성을 줄이고 회로 설계를 단순화합니다.
RoHS 준수: 환경 친화적이며 글로벌 시장 응용에 적합합니다.
패키지 유형: BSZ440N10NS3G는 PG-TSDSON-8 패키지를 사용하여 설치 공간을 줄이는 동시에 열 및 전기 성능을 향상시킵니다.

의BSZ440N10NS3G다음의 특징이 있습니다.
초저전압 저항: RDS (전압) = 3.8 mΩ @ Vgs = 10 V
빠른 전환 능력: Qg = 9.1 nC @ 10 V
높은 전류 용량: Id = 18 A @ 25°C
넓은 작동 온도 범위: -55°C ~ +150°C
내장된 역 다이오드

주요 매개 변수
주요 매개 변수BSZ440N10NS3G다음을 포함합니다.
배수 소스 전압 (VDS): 100V
연속 배수 전류 (Id): 18A
펄스 드레인 전류 (Idp): 660A
포트 소스 전압 (Vgs): ±20V
임계 전압 (Vgs ((th)): 2.7V
입력 용량 (Ciss): 640pF

전형적 사용법
BSZ440N10NS3G는 다음과 같이 널리 사용됩니다.
스위치 전원 공급 장치 (SMPS)
DC-DC 변환기
모터 드라이브
배터리 관리 시스템
산업용 전원 공급

Mingjiada Electronics는BSZ440N10NS3G우수한 성능 매개 변수와 신뢰성으로,BSZ440N10NS3G전력전자 설계에 이상적인 선택입니다.

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