회사 블로그 Infineon 1ED020I12-F2 (1200V) 액티브 밀러 클램핑, DESAT 및 단락 회로 클램핑 기능을 갖춘 게이트 드라이버 IC

첸젠 밍기아다 전자제품 회사전문 전자 부품 공급업체로서 인피니온의 실제 재고를 제공합니다.1ED020I12-F2게이트 드라이버 IC, 높은 성능, 매우 신뢰할 수 있는 드라이브 솔루션을 제공합니다.

1ED020I12-F2제품 개요
인피니온 1ED020I12-F2는 1200V 단일 높은 측면 게이트 드라이버 IC로 활성 밀러 클램핑, DESAT 보호 및 단회로 클램핑을 갖추고 있습니다.600V/1200V IGBT에 적합한 DSO-16 광체 패키지를 사용합니다., MOSFET, 그리고 SiC MOSFET.

1ED020I12-F2사양
제품 이름:1ED020I12-F2
브랜드: 인피니온
제품군: 게이트 드라이버 IC
격리 기술: 자기 결합 (핵이 없는 트랜스포머 기술을 기반으로)
격리 전압: 4500Vrms
구동 전압: 1200V
출력 전류: 전형적인 2A 싱크 전류 / 2A 소스 전류 (레일-레일)
출력 피크 전류: 2A
주요 보호 기능: 정확한 DESAT 보호, 활성 밀러 클램핑, 활성 턴 오프 및 단전 클램핑, 저전압 잠금 (UVLO)
전파 지연: 전형적인 170ns (켜기) / 165ns ( 끄기)
공급 전압: 출력 측면: 절대 최대 28V, 12/11V의 UVLO; 입력 측면: 4.5V ~ 5.5V
논리 호환성: 마이크로 컨트롤러에 직접 연결할 수 있는 5V CMOS에 호환되는 모든 논리 핀
패키지: PG-DSO-16 (평체 패키지, 8mm 크레핑 거리)
작동 온도: -40°C ~ 105°C (또는 150°C TJ)

1ED020I12-F2특징 과 이점
통합 보호: 1ED020I12-F2는 DESAT 보호, 활성 밀러 클램핑 및 단회로 클램핑을 통합합니다.이러한 기능은 과류 또는 밀러 효과 용량으로 인한 의도하지 않은 전도 또는 단회로로 인한 IGBT 손상을 효과적으로 방지합니다., 시스템 신뢰성을 크게 향상시킵니다.
견고한 드라이브 용량: 이 1ED020I12-F2 드라이버는 2A 소스 전류와 2A 싱크 전류를 공급하여 스위치 손실을 줄이기 위해 전력 장치의 빠른 전환을 가능하게합니다.
높은 노이즈 면역: 1ED020I12-F2는 100 kV/μs까지의 일반 모드 일시 면역 (CMTI) 을 갖추고 있으며 소란한 전력 전자 환경에서 안정적인 작동을 보장합니다.
콤팩트 안전 패키지: 1ED020I12-F2에 사용되는 PG-DSO-16 광체 패키지는 8mm 크레핑 거리를 제공하여 고전압 애플리케이션의 안전 요구 사항을 충족시킵니다.

전형적 사용법
의1ED020I12-F2IGBT 및 SiC MOSFET와 같은 구동 전력 장치에 이상적으로 적합하며, 일반적으로 다음 부문에서 발견됩니다.
AC 및 브러쉬 없는 DC 모터 드라이브
태양광 인버터, 끊김 없는 전원 공급 장치 (UPS)
산업용 구동 시스템, 상업용 및 농업용 차량
용접 장비
고전압 DC/DC 변환기

그림 1. 전형적인 응용1ED020I12-F2

그림 2. 블록 다이어그램1ED020I12-F2

연락처
비즈니스 문의: 첸 씨
전화: +86 13410018555 / 86-755-83294757
이메일: sales@hkmjd.com
회사 주소: 둥둥성 첸젠 시의 푸티안 구 신아시아 구오리 빌딩 1239-1241 객실
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