회사 블로그 인피니언 EVAL-2ED1324S12PM1 1200V 하프 브리지 SOI 게이트 드라이버 평가 보드

Infineon 응용 분야】 1200V 하프 브리지 SOI 게이트 드라이버 평가 보드

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.는 Infineon 응용 분야】 평가 보드를 제공하는 전문 전자 부품 공급업체입니다. 이 보드는 1200V SOI 게이트 드라이버와 EasyPIM IGBT7 기술을 통합하여 고전압, 고전력 시스템 개발 프로세스를 크게 단순화합니다.

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EVAL-2ED1324S12PM1 응용 분야】EVAL-2ED1324S12PM1 — 액티브 밀러 클램프 및 1200V EasyPIM™ IGBT 모듈이 있는 1200V 하프 브리지 SOI 게이트 드라이버 IC용 평가 보드.

Infineon EVAL-2ED1324S12PM1 평가 보드는 모터 드라이브 애플리케이션용으로 특별히 설계된 고성능 개발 플랫폼입니다. 이 보드는 핵심적으로 3개의 하프 브리지 SOI 게이트 드라이버 IC(2ED1324S12P)와 TRENCHSTOP IGBT7을 특징으로 하는 1개의 EasyPIM 1B 1200V, 25A 전력 모듈을 통합합니다.

EVAL-2ED1324S12PM1 평가 보드는 EVAL M1 101T 또는 M1 커넥터와 호환되는 다른 제어 보드와 함께 작동하도록 설계되어 Infineon의 IGBT 모듈 및 SOI 게이트 드라이버 기술의 강력한 성능을 완벽하게 보여줍니다.

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EVAL-2ED1324S12PM1 응용 분야】은 전류 감지를 위한 단일 션트 저항, DC 버스 전압 감지 분배기 및 과열 보호를 위한 내부 NTC 서미스터를 포함한 포괄적인 보호 메커니즘을 통합합니다.

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은 온보드 +15V 및 +3.3V 보조 전원 공급 장치를 통합하고 iMOTION 제어 보드의 M1 인터페이스와 호환되어 제어 시스템과의 통합을 크게 단순화합니다.

EVAL-2ED1324S12PM1 응용 분야】 핵심 기능 및 장점】

강력한 구동 능력: 온보드 2ED1324S12P 게이트 드라이버는 각각 360mA 소스 전류와 700mA 드레인 전류를 지원하며, 310ns 및 300ns의 전파 지연 정밀도를 통해 전력 장치 스위칭을 정밀하게 제어할 수 있습니다.

포괄적인 보호 메커니즘: EVAL-2ED1324S12PM1은 저전압 차단, 단락 클램핑 및 데드 타임 제어를 통합하여 관통 고장 조건을 효과적으로 방지합니다. -100V 과도 음전압 내성은 탁월한 안정성과 신뢰성을 제공합니다.

유연한 시스템 통합: EVAL-2ED1324S12PM1 평가 보드는 전류 감지를 위한 단일 션트, DC 링크 전압 측정 회로 및 과열 보호를 위한 NTC 서미스터를 통합하여 포괄적인 모터 드라이브 시스템 평가 요구 사항을 충족합니다.

호환성 설계: 응용 분야】 평가 보드는 M1 인터페이스 커넥터를 통해 iMOTION™ 제어 보드에 원활하게 연결되어 프로토타입 개발 및 시스템 검증을 가속화합니다.

EVAL-2ED1324S12PM1 응용 분야】 주요 구성 요소 및 기술 기능】

2ED1324S12P는 이 평가 보드의 핵심 드라이버 IC 역할을 하며, 1200V SiC MOSFET 및 IGBT 전력 장치용으로 특별히 설계되었습니다.

SOI(Silicon-on-Insulator) 기술을 기반으로 하는 이 게이트 드라이버 IC는 탁월한 과도 전압 내성을 나타내며 전체 작동 온도 및 전압 범위에서 기생 래치업에 대한 강력한 저항성을 보여줍니다.

이 칩은 2.3A 소스 전류와 2.3A 싱크 전류를 제공하며, 액티브 밀러 클램프(AMC), 단락 클램프(SCC) 및 교차 전도 방지 기능을 통합합니다.

DSO-20 패키지에 담겨 충분한 크리피지 및 간격을 유지하여 고전압 애플리케이션에서 안전을 보장합니다.

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EVAL-2ED1324S12PM1 응용 분야】가전 모터 제어: 특히 대형 및 소형 가전 제품의 모터 드라이브, 1kW 미만의 범용 가변 주파수 모터 애플리케이션에 적합합니다.

산업용 드라이브 시스템: 최대 3kW의 출력 정격 및 380V AC 입력 전압으로 이 평가 보드는 대부분의 산업용 모터 제어 시나리오의 요구 사항을 충족합니다.

시스템 프로토타입 제작: 엔지니어에게 모터 제어 알고리즘 및 전력 토폴로지를 신속하게 검증할 수 있는 플랫폼을 제공하여 설계 주기를 크게 단축합니다.

【기술 분석: SOI 기술의 장점】

2ED1324S12P 드라이버에 사용된 SOI 기술은 시스템 성능 향상에 매우 중요합니다.

이 기술은 드라이버에 탁월한 노이즈 내성과 고전압 안정성을 부여합니다. -100V VS 과도 내성은 노이즈가 많은 전력 변환 환경에서 안정적인 작동을 보장하여 오작동을 방지합니다.

표준 CMOS 프로세스와 비교하여 SOI 기술은 또한 기생 효과가 적고 작동 속도가 더 빠릅니다. 이를 통해 드라이버는 나노초 수준의 정밀 제어를 달성할 수 있으며, 이는 최신 고주파 전력 전자 시스템에 매우 중요합니다.