회사 블로그 인피니온 IDW20G120C5B 1200V 20A 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드

인피니온IDW20G120C5B1200V 20A 실리콘카바이드 쇼트키 다이오드

첸젠 밍기다 전자제품 회사, Ltd.전자 부품의 세계 주요 공급 업체로서 인피니온에 지속적으로 공급하고 있습니다.IDW20G120C5B1200V/20A 5세대 CoolSiCTM 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드

IDW20G120C5B제품 개요 및 기술 특성:

IDW20G120C5B는 인피니온의 CoolSiCTM 시리즈의 5세대 실리콘 탄화물 쇼트키 다이오드이며, 표준 TO-247-3 패키지를 갖추고 있으며,고주파 애플리케이션실리콘 카비드 쇼트키 장벽 다이오드의 최첨단 기술 대표로서,IDW20G120C5B이 제품은 2세대 제품으로 도입된 인피니온의 얇은 웨이퍼 기술을 혁신적인 융합 pn 융합 기술과 통합합니다.다이오드의 급류 능력과 시스템 신뢰성을 크게 향상시킵니다..

기본 매개 변수에서,IDW20G120C5B1200V 반복 역전압 (Vrrm) 및 20A 전류 (If) 의 명목값을 가지고 있으며, 전류 10A에서 전압 하락 (Vf) 은 단지 1.4V이며, 우수한 전도성을 보여줍니다.역전적 특성상, 다이오드는 1200V 역전압에서 매우 낮은 역 누출 전류 (Ir) 를 가지고 있으며 일반적인 값은 6-12μA까지 낮아 효율적인 시스템 작동을 보장합니다.

이 프로젝트의 기술적인 특징IDW20G120C5B실리콘 카비드 쇼트키 다이오드는 주로 다음과 같은 측면으로 반영됩니다.

역 회수 전하가 없습니다 (Qrr=0): 전통적인 실리콘 다이오드와 비교하면 역 회수 손실을 완전히 제거합니다.특히 고주파 스위치 애플리케이션에 적합합니다.

가벼운 전압 전압 온도 의존성: 다른 작동 온도에서 안정적인 성능을 유지합니다.

산업 선도적인 급류 능력 (Ifsm=190A): 단기 과부하 조건에 견딜 수 있습니다.

우수한 열 성능: 효율적인 열 방출을 보장하기 위해 최적화된 포장 디자인을 사용합니다.

의IDW20G120C5B-55°C에서 +175°C까지 폭넓은 작동 온도 범위를 가지고 있으며, 다양한 열악한 환경 조건에서의 응용에 적합합니다.IDW20G120C5B고효율의 전력 변환 시스템에 이상적인 선택입니다.

IDW20G120C5B주요 기술 매개 변수:

역전압 등급 (Vr): 1200V

평균 회전 전류 (Io): 20A (동속)

전압 하락 (Vf): 1.4V @ 10A

역 누출 전류 (Ir): 6μA @ 1200V

전류 (Ifsm): 190A

패키지: TO-247-3 (홀을 통해 장착)

작동 온도 범위: -55°C ~ +175°C

주요 특징IDW20G120C5B:

역 회수 요금이 없습니다 (Qrr=0): 전환 손실을 줄이고 시스템 효율성을 향상시킵니다.

낮은 전압 하락 (Vf): 높은 주파수 스위칭 애플리케이션에 적합한 전도 손실을 줄입니다.

양성 온도 계수 (Vf는 온도와 함께 약간 증가): 평행으로 사용할 때 전류 균형을 돕습니다.

우수한 급류 능력: 시스템 신뢰성을 향상시킵니다.

낮은 EMI 특성: 전자기 간섭에 민감한 애플리케이션에 적합합니다.

IDW20G120C5B제품 핵심 장점 및 응용 분야:

IDW20G120C5B 실리콘 카비드 쇼트키 다이오드는 뛰어난 전기 성능과 시스템 수준의 장점으로 인해 많은 성장 시장 세그먼트에서 강력한 경쟁력을 보여줍니다.전통적인 실리콘 기반 전력 다이오드와 비교하면이 제품은 시스템 효율성, 전력 밀도 및 신뢰성에서 상당한 향상을 달성합니다.

주요 경쟁 장점IDW20G120C5B:

가장 높은 시스템 효율성: 실리콘 탄화물 재료의 뛰어난 특성 및 역 회수 전하가없는 설계 덕분에IDW20G120C5B특히 고주파 애플리케이션에서 스위치 손실을 현저히 감소시킵니다. 테스트 데이터는 이 다이오드를 사용하는 시스템이 전체 효율을 1-3 퍼센트 증가시킬 수 있음을 보여줍니다.고전력 애플리케이션에 대한 상당한 에너지 절감으로 변환.

향상된 전력 밀도: 스위치 손실을 줄이고 열 성능을 최적화하기 때문에 시스템은 더 높은 스위치 주파수를 채택 할 수 있습니다.따라서 수동 구성 요소 (인덕터 및 트랜스포머와 같은) 의 크기와 무게를 줄이고 더 높은 전력 밀도를 달성합니다.이 기능은 공간 제한된 애플리케이션 (전기차와 같은) 에 특히 중요합니다.

시스템 신뢰성 향상: 실리콘 탄화물 물질은 본질적으로 더 높은 작동 온도 능력과 더 나은 열 전도성을 제공합니다.인피니온의 최적화된 포장 기술과 결합하여,IDW20G120C5B장기적인 운영에서 더 안정적인 성능을 보여 전체 시스템 수명을 연장합니다.

전자기 간섭 (EMI) 감소: 역회복 특성의 부재로 스위치 도중 전압 및 전류 진동이 최소화됩니다.따라서 고주파 노이즈 방사선을 줄이고 EMI 필터링 디자인을 단순화합니다..

사용의 전형적인 분야IDW20G120C5B:

태양광 인버터 시스템: 특히 스트링 인버터에서 부스 및 인버터 회로에 적합하며 변환 효율을 크게 향상시키고 시스템 비용을 줄입니다.

전기차 충전장치: 탑재 충전장 (OBC) 과 동전 급충전소를 포함하여실리콘 카비드 다이오드의 고주파 특성이 장비의 크기와 무게를 줄이는 데 도움이되는 경우

산업용 모터 드라이브: 변주 주파수 드라이브 및 서보 드라이브의 직렬기 및 자유 바퀴 회로에서 사용되며 제어 정확성과 에너지 효율을 향상시킵니다.

끊김 없는 전원 공급 장치 (UPS): 고성능 UPS 시스템에서 전통적인 실리콘 다이오드를 대체하여 손실을 줄이고 전력 밀도를 높입니다.

신재생 에너지 생산 시스템: 신재생 에너지 입력의 높은 변동성을 처리 할 수있는 실리콘 카바이드 장치의 풍력 에너지 변환기와 에너지 저장 시스템을 포함하여