회사 블로그 인피니온 IPB60R045P7 600V CoolMOSTM P7 N 채널 전력 MOSFET 트랜지스터

인피니온IPB60R045P7600V CoolMOSTM P7 N 채널 전력 MOSFET 트랜지스터

현대 전자 산업에서, 전력 MOSFET 트랜지스터는 전력 관리,산업 제어 및 자동차 전자기기인피니온의 CoolMOSTM P7 시리즈는 시장에서 뛰어난 성능과 신뢰성으로 매우 선호됩니다.첸젠 밍기아다 전자제품 회사세계적으로 유명한 전자 부품 유통업체로서 오랫동안 Infineon IPB60R045P7 CoolMOSTM P7 N 채널 전력 MOSFET 트랜지스터를 공급해 왔습니다.고객들에게 고품질의 제품과 전문적인 서비스를 제공하는 것.

인피니온IPB60R045P7CoolMOSTM P7 제품 개요

1,제품 설명IPB60R045P7

IPB60R045P7 600V CoolMOSTM P7 초연결 MOSFET는 600V CoolMOSTM P6 시리즈의 후속자입니다. 설계 과정에서 사용 편의와 높은 효율의 필요성을 계속 균형있게합니다.클래스 최고 RonxA와 CoolMOSTM 7세대 플랫폼의 본질적으로 낮은 게이트 충전 (QG) 은 높은 효율성을 보장합니다..

2,분양IPB60R045P7

트랜지스터 극성: N 채널

채널 수: 1 채널

Vds - 배수원 분사 전압: 120V

id - 연속 배수 전류: 61 A

Rds ON - 배수원 저항: 45mOhms

Vgs - 게이트 소스 전압: - 20V, + 20V

Vgs th - 포트 소스 문 전압: 1.7V

Qg - 게이트 충전: 90 dC

최소 작동 온도: - 55C

최대 작동 온도: + 150C

Pd - 전력 분산: 201W

채널 모드: 강화

구성: 싱글

가을 시간: 5 ns

상승 시간: 5 ns

정전 지연 시간: 28 ns

일반적인 켜기 지연 시간: 10 ns

단위 무게: 4g

3,IPB60R045P7인피니온의 쿨모스TM P7 시리즈의 고성능 N 채널 전력 MOSFET 트랜지스터로, 다음과 같은 주요 특성을 가진 첨단 MOSFET 기술을 갖추고 있습니다.

고전압 능력: IPB60R045P7는 최대 650V의 높은 배수 소스 전압 (Vdss) 을 가지고 있으며, 고전압 응용 시나리오에 적합합니다.

낮은 전원 저항: IPB60R045P7의 극히 낮은 전원 저항은 전도 손실을 크게 줄이고 전반적인 효율성을 향상시킵니다. 15.9A 전류와 10V 드라이브 전압에서켜기 저항 (Rds On) 은 45mOhm에 불과합니다., 효율적으로 전력 소비를 줄입니다.

높은 전류 운반 용량: IPB60R045P7는 25 °C에서 48A의 연속적 배수 전류 (Id) 로 높은 전력 요구 사항을 충족합니다.

빠른 스위칭 성능: CoolMOSTM P7 플랫폼의 슈퍼 융합 기술 덕분에IPB60R045P7 장치는 고주파 스위칭 애플리케이션에 매우 낮은 게이트 전하 (QG) 및 스위칭 손실을 가지고 있습니다..

폭 넓은 온도 범위: IPB60R045P7는 가혹한 환경에서 -55 °C에서 150 °C 온도 범위에서 작동합니다.

통합된 ESD 보호: IPB60R045P7의 내장된 제너 다이오드는 최대 2kV의 정전 전압 방출 (ESD) 보호를 제공하여 장치의 신뢰성을 향상시킵니다.

최적화된 패키지 설계: IPB60R045P7는 다양한 응용 시나리오의 요구를 충족시키기 위해 구멍과 표면 장착을 위한 다양한 패키지 (예를 들어 D2PAK) 를 지원합니다.

4,기술적 장점IPB60R045P7

고효율 설계: IPB60R045P7는 RDS (on) 및 QG의 품질 요인 (FOM) 을 최적화함으로써 더 높은 효율을 달성합니다.특히 PFC 및 LLC와 같은 하드 및 소프트 스위치 토폴로지에 적합합니다..

사용 편의: 통합 된 게이트 저항 (RG) 은 진동 감도를 줄이고 설계 흐름을 단순화합니다.그 낮은 울림 경향과 우수한 보스 다이오드 견고성으로 설계 복잡성을 더욱 감소시킵니다..

우수한 열 성능: 낮은 스위치 및 전도 손실은 장치가 고온 환경에서 안정적인 작동을 유지할 수 있도록하여 높은 전력 밀도 설계에 적합합니다.

5,기능 및 이점IPB60R045P7

600V P7는 훌륭한 FOM RDS (동) xEoss 및 RDS (동) xQG를 가능하게합니다.

사용 편의성

ESD 견고성 ≥ 2kV (HBM 클래스 2)

통합된 게이트 레지스터 RG

탄탄한 보스 다이오드

구멍과 표면 장착 패키지의 광범위한 포트폴리오

표준 등급 및 산업 등급 부품 모두 제공됩니다.

우수한 FOMs RDS ((on) xQG / RDS ((on) xEoss 더 높은 효율성을 가능하게

사용 편의성

ESD 장애가 발생하지 않도록 함으로써 제조 환경에서의 사용 편리성

통합된 RG는 MOSFET 진동 감도를 감소시킵니다.

MOSFET는 PFC 및 LLC와 같은 하드 및 공명 스위칭 토폴로지 모두에 적합합니다.

LLC 토폴로지에서 볼 수 있는 몸 다이오드의 하드 커미팅 중에 우수한 견고성

다양한 최종 애플리케이션 및 출력 용량에 적합합니다.

소비자 및 산업용 용품에 적합한 부품

6,의 적용IPB60R045P7

산업용 전원 공급 장치: 서버 전원 공급 장치, 통신 장비 및 산업용 SMPS를 포함하여, 높은 성능과 신뢰성은 가혹한 산업 환경의 요구를 충족시킵니다.

소비자 전자: IPB60R045P7는 TV 전원 공급 장치, 어댑터 및 충전기에 적합하며 소형화 및 고성능 설계 목표를 달성하는 데 도움이됩니다.

새로운 에너지: IPB60R045P7의 높은 성능과 낮은 손실 특징은 태양광 인버터와 전기 차량 충전소에서 완전히 입증되었습니다.

7,약품의 개요IPB60R045P7