회사 블로그 인피니온 IPP60R180P7 고효율 쿨모스TM P7 전력 MOSFET 트랜지스터

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.는 Infineon의 고효율 CoolMOS™ P7 파워 MOSFET인 제품 요약을 공급하고 재활용합니다.

I. 제품 요약 제품 개요

IPP60R180P7은 Infineon이 7세대 Super Junction CoolMOS™ P7 기술을 기반으로 개발한 600V 고전압 N채널 파워 MOSFET입니다. 이전 세대 P6 시리즈의 업그레이드된 후속 제품으로서, 초고변환 효율, 뛰어난 작동 안정성 및 설계 통합 용이성 간의 완벽한 균형을 이루어 산업용 고전압 전력 변환 애플리케이션을 위한 핵심 전력 장치입니다. 이 장치는 1998년부터 반복적으로 최적화된 Infineon의 CoolMOS™ 기술의 장점을 기반으로 입증된 Super Junction (SJ) 공정 아키텍처를 활용합니다. 공정 혁신을 통해 전도 및 스위칭 손실을 크게 줄이는 동시에 장치의 견고성과 간섭 내성을 향상시켜 하드 스위칭 및 공진 스위칭을 포함한 광범위한 주류 전원 공급 장치 토폴로지와 완벽하게 호환됩니다.

의 주요 성능 장점 제품 요약II.

IPP60R180P7 제품 요약

IPP60R180P7은 고전압 파워 MOSFET 분야의 혁신적인 공정 솔루션인 CoolMOS™ P7 7세대 슈퍼 점퍼 기술을 통합하여 기존 MOSFET 및 이전 세대 P6 시리즈에 비해 포괄적인 업그레이드를 제공합니다. 핵심 기술적 이점은 최적화된 슈퍼 점퍼 수직 구조에 있으며, 이는 장치의 단위 면적당 온 저항을 크게 줄여 1 Ω·mm² 미만의 우수한 RDS(on)·A 성능 지표를 달성합니다. 이를 통해 동일한 패키지 크기 내에서 온 저항 손실을 줄이고 전력 밀도를 높일 수 있습니다.

동시에 P7 기술은 게이트 전하 특성에 대한 심층적인 최적화를 거쳤습니다. P6 시리즈에 비해 총 게이트 전하(Qg)가 30% 감소했으며, 밀러 플래토에 해당하는 게이트-드레인 전하(QGD)가 핵심적으로 감소하여 스위칭 전환 시간을 효과적으로 단축하고 스위칭 구동 손실 및 소스에서의 교차 커플링 손실을 줄입니다. 이 장치에는 통합 게이트 저항기가 포함되어 있어 추가적인 외부 댐핑 부품이 필요하지 않습니다. 이는 스위칭 발진을 효과적으로 억제하고 전자기 간섭을 줄이는 동시에 주변 회로 설계를 단순화하고 솔루션 구현의 효율성을 향상시킵니다. 또한, 기술적으로 최적화된 바디 다이오드는 탁월한 정류 견고성을 제공하여 토폴로지 스위칭 및 갑작스러운 부하 변동 중 장치의 작동 안정성을 크게 향상시킵니다.

III. 제품 요약

의 주요 전기 파라미터

정확한 파라미터 튜닝 덕분에 IPP60R180P7은 중고압, 소중형 전력 변환 애플리케이션에 적합합니다. 핵심 정격 파라미터 및 전기적 특성은 다음과 같으며, 모든 파라미터는 산업 등급 표준 테스트를 통해 검증되었습니다:

- 정격 전압(VDS): 600V; 소비자 및 일반 산업용 고전압 버스바 애플리케이션에 적합하며, 전원 변동 및 스파이크 펄스와 같은 교란을 견딜 수 있는 충분한 전압 마진을 제공합니다.

- 온 저항(RDS(on)): 일반 값 180mΩ; 매우 낮은 온 저항은 정상 상태 전도 손실을 크게 줄여 장치 발열을 효과적으로 최소화하고 최대 부하에서 전원 공급 장치 변환 효율을 향상시킵니다.

- 정격 드레인 전류(ID): 18A; 최대 부하 및 단기 과부하 조건에서 작동하는 소중형 전원 공급 장치의 요구 사항을 충족하는 충분한 전류 용량입니다.

- 게이트 전하 특성: 낮은 총 게이트 전하(Qg) 및 낮은 게이트-드레인 전하(QGD), COSS의 저장 에너지가 크게 감소하여 경부하 및 고주파 작동 조건에서 스위칭 효율을 현저하게 최적화합니다.

- ESD 보호 등급: 인체 모델(HBM) 테스트에서 2kV 이상의 정전기 방전 내압, 우수한 정전기 내성을 제공하며 생산, 조립 및 작동 및 유지 보수 중 정전기 손상 위험을 효과적으로 완화합니다.

- 작동 온도 범위: 표준 산업 등급 온도 범위, -55°C ~ 150°C의 넓은 온도 범위에서 안정적인 작동이 가능하며 열악한 산업 및 실외 환경에 적합합니다. 제품 요약

IPP60R180P7

의 주요 성능 장점 제품 요약IPP60R180P7

은 온 저항과 스위칭 손실을 동시에 최적화하여 전체 부하 범위에서 고효율 작동을 달성합니다. 낮은 RDS(on) 특성은 장치가 온 상태일 때의 전력 손실을 크게 줄여 최대 부하 조건에서의 과도한 발열 및 낮은 효율 문제를 해결합니다. 최적화된 게이트 전하 및 출력 커패시턴스 특성은 고주파 스위칭 중 동적 손실을 크게 줄여 특히 경부하 조건에서 변환 효율을 향상시켜 전원 공급 장치 에너지 효율 업그레이드 및 저전력 대기 모드에 대한 현재 산업 요구 사항을 완벽하게 충족합니다. 동일한 사양의 경쟁 제품과 비교하여 우수한 RDS(on)·A 품질 계수는 동일한 정격 전력에서 더 작은 장치 크기를 가능하게 하여 소형화 및 고전력 밀도 설계를 촉진합니다.

2. 강력한 토폴로지 적응성, 하드 및 소프트 스위칭 모두에 적합

우수한 정류 견고성과 바디 다이오드 내성 덕분에 이 장치는 하드 스위칭 토폴로지와 공진 소프트 스위칭 토폴로지 모두에 적합합니다. PFC 부스트 및 플라이백 컨버터와 같은 하드 스위칭 회로에서는 스위칭 스파이크 및 발진을 안정적으로 억제하여 전자기 간섭을 줄입니다. LLC 공진 컨버터와 같은 소프트 스위칭 토폴로지에서는 바디 다이오드의 우수한 정류 성능이 역 복구 실패로 인한 장치 손상을 효과적으로 방지하여 전원 공급 장치의 전반적인 신뢰성을 크게 향상시킵니다. 단일 장치로 여러 전원 공급 장치 아키텍처를 수용할 수 있어 부품 선택 및 재고 비용을 절감할 수 있습니다.

3. 높은 견고성, 까다로운 산업 환경에 적합

이 장치는 전체 JEDEC 산업 등급 인증을 통과했으며 엄격한 고저온 사이클링, 습열 및 전압 서지 테스트를 거쳐 작동 조건에 대한 탁월한 적응성을 보여줍니다. 2kV 이상의 ESD 보호 기능을 갖추고 있어 생산, 조립 및 사용 중 정전기 방전을 효과적으로 견뎌 제품 불량률을 줄입니다. 내장된 게이트 저항기 설계는 추가적인 댐핑 저항기가 필요하지 않아 주변 회로를 단순화할 뿐만 아니라 고주파 스위칭 발진을 효과적으로 억제하고 전자기 간섭 및 장치 전압 스트레스를 줄이며 시스템의 전반적인 EMC 성능 및 작동 안정성을 향상시킵니다.

4. 신속한 대량 생산을 위한 사용자 친화적인 설계

CoolMOS™ P7 시리즈는 사용 편의성을 위해 최적화되었으며, 높은 파라미터 일관성과 내결함성을 제공하여 복잡한 드라이버 파라미터 튜닝 없이 최적의 작동 조건을 가능하게 합니다. 컴팩트한 TO-252 표면 실장 패키지는 SMT 자동 대량 생산 공정과 호환되며, 열 성능과 레이아웃 유연성의 균형을 맞춥니다. 이는 전원 공급 장치 솔루션의 R&D 주기를 효과적으로 단축하고 대규모 대량 생산의 요구 사항을 충족합니다. 제품 요약

IPP60R180P7 제품 요약높은 효율성, 안정성 및 다용성의 핵심 장점을 활용하여

IPP60R180P7

은 600V 전압 레벨의 다양한 소중형 고전압 전력 변환 애플리케이션에 널리 사용됩니다. 주요 애플리케이션 영역은 다음과 같습니다:

- 소비자 전자 제품 전원 공급 장치: 고출력 전원 어댑터, 노트북 충전기, 스마트 홈 가전용 스위치 모드 전원 공급 장치 및 TV 전원 모듈로, 소비자 제품의 저전력 소비, 소형화 및 고안정성 요구 사항을 충족합니다.

- 산업용 전력 장비: 산업용 SMPS 스위치 모드 전원 공급 장치, 서버 보조 전원 공급 장치, 통신 인프라용 AC-DC 변환 전원 공급 장치 및 48V 중전압 IBC 전원 시스템으로, 연속적인 최대 부하 산업 작동 조건에 적합합니다.

- 신에너지 및 경량 장비: 경량 전기 자동차용 전원 공급 장치, 태양광 마이크로 인버터 및 에너지 저장 모듈용 보조 전원 공급 장치로, 신에너지 장비의 넓은 작동 조건 및 높은 신뢰성 요구 사항을 충족합니다. 제품 요약VI.

IPP60R180P7 제품 요약600V CoolMOS™ P7 시리즈의 플래그십 장치로서 Infineon의