회사 블로그 인피니온 N 채널 MOSFET IPLT60R024CM8 CoolMOSTM 8세대 600V 전력 트랜지스터

밍기아다 일렉트로닉스는 인피니온 쿨모스 8세대 파워 모스페트 (Infineon CoolMOSTM 8th Generation Power MOSFETs) 의 장기적인 재고 공급과 고부가가치 재구매를 제공합니다.IPLT60R024CM8600V 24mΩ 최고 냉각 TOLT 패키지 N 채널 트랜지스터

제품 개요:IPLT60R024CM8쿨모스TM 8 600V N 채널 전력 MOSFET

의IPLT60R024CM8인피니온의 600V CoolMOSTM 8 시리즈 N 채널 전력 MOSFET이며, CoolMOSTM 7 시리즈의 후속자로 고급 Superjunction 기술을 사용합니다.이 장치는 혁신적인 TOLT (올바닥 냉각 납 없는 트랜지스터) 패키지를 이용, 그것은 상단 냉각 기술을 가진 업계의 첫 번째 표면 장착 고전압 MOSFET로, 특히 높은 전력 밀도 애플리케이션을 위해 설계되었습니다.

쿨모스TM 7 시리즈를 기반으로 쿨모스TM 8 시리즈는 산업 선도적인 온 저항 (RDS(온)) 및 스위칭 성능을 제공하여 다양한 응용 프로그램에서 손실을 크게 줄입니다.시리즈는 빠른 몸 디오드를 통합, 하드 스위칭 및 소프트 스위칭 응용 프로그램을 모두 포함합니다. 이것은 하나의 제품군에서 모든 주요 전력 토폴로지를 지원하여 제품 선택을 단순화 할 수 있습니다.

IPLT60R024CM8매개 변수

ID (@25°C) 최대: 103 A

IDpuls Max: 359A

QG: 122 nC

QG (유형 @10V): 122 nC

RDS (동) (@10V) 최대: 24mΩ

RDS ((on) (@ Tj = 25°C): 20mΩ

VDS 최대: 600V

VGS (th): 4.2V

장착: SMT

포장: TOLT

작동 온도: -55 °C ~ 150 °C

극성: N

IPLT60R024CM8특징

• 산업 선도적인 SJ MOSFET 성능

• 뛰어난 전환 안정성으로 다양한 하드 스위칭 및 소프트 스위칭 응용 프로그램을 충족합니다.

• 융합 된 빠른 보디 다이오드 및 ESD 보호

•.XT 상호 연결 기술을 통해 산업 선도적인 열 성능

IPLT60R024CM8장점

• 산업 선도적인 SJ MOSFET 성능으로 최적의 비용 성능

• 사용 편리성 및 설계 주기가 짧다

• 다중 토폴로지 지원

• R값을 14~42% 감소시켜 열성능을 향상시킵니다.

IPLT60R024CM8잠재적인 응용

• 데이터 센터, AI 서버, 통신 전원 공급 장치

• 마이크로 및 주택용 하이브리드 인버터

• 휴대용 및 주택용 에너지 저장 시스템, UPS

• 전기차 충전, 가벼운 전기차, 전기 포크리프트

• 고전압 고체 분배 시스템

• 가정용 및 전문용 도구

• 충전기, 어댑터, TV 및 게임기 전원 공급 장치

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