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회사 블로그 IXYS IXFX230N20T N-채널 인핸스먼트 전력 MOSFET 트랜지스터

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중국 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 인증
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IXYS IXFX230N20T N-채널 인핸스먼트 전력 MOSFET 트랜지스터
에 대한 최신 회사 뉴스 IXYS IXFX230N20T N-채널 인핸스먼트 전력 MOSFET 트랜지스터

IXYS N 채널 인핸스먼트 전력 MOSFET 트랜지스터

 

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., 전자 부품 산업의 선두 공급업체로서 고객에게 IXYS N 채널 인핸스먼트 모드 전력 MOSFET 트랜지스터를 제공합니다. 는 뛰어난 성능 매개변수와 광범위한 응용 분야를 통해 전력 관리 및 전력 변환 시스템의 중요한 구성 요소가 되었습니다.

 

IXFX230N20T

IXFX230N20TIXFX230N20T

 

에 대한 최신 회사 뉴스 IXYS IXFX230N20T N-채널 인핸스먼트 전력 MOSFET 트랜지스터  0

 

사양:

Vds - 드레인-소스 항복 전압: 200V

Id - 연속 드레인 전류: 230A

Rds On - 드레인-소스 저항: 7.5mΩ

Vgs - 게이트-소스 전압: -20V, +20V

Vgs th - 게이트-소스 임계 전압: 3V

Qg - 게이트 전하: 358nC

최소 작동 온도: -55°C

최대 작동 온도: +175°C

Pd - 전력 손실: 1.67kW

채널 모드: 인핸스먼트 모드

단위 중량: 6g

IXFX230N20T

기능:

 

국제 표준 패키징

애벌런치 정격

낮은 RDS(on)

IXFX230N20T

주요 기술 하이라이트:

초고전류 처리 용량: 최대 230A의 연속 드레인 전류(Id)(케이스 온도 Tc에서), IXFX230N20T가 고전력 응용 분야의 요구 사항을 충족할 수 있도록 합니다.

 

우수한 온 상태 특성: 드레인-소스 온 저항(Rds(on))이 7.5mΩ로 낮아 온 상태 손실을 크게 줄이고 시스템 효율을 향상시킵니다.

IXFX230N20T

는 IXYS의 독점적인 HiPerFET 기술 플랫폼을 사용하여 스위칭 속도, 온 저항 및 열 안정성 간의 최적의 균형을 달성하기 위해 장치 구조 및 재료 특성을 최적화합니다. 358nC의 게이트 전하(Qg)는 빠른 스위칭 전환을 보장하는 반면, 3V의 게이트-소스 임계 전압(Vgs th)은 우수한 제어 감도를 제공합니다.

IXFX230N20T

응용 분야:

 

용접 장비 및 플라즈마 커터의 전력 출력 스테이지산업용 전력 시스템:

 

고전력 스위칭 전원 공급 장치(SMPS) 설계, 특히 서버 전원 공급 장치 및 통신 기지국 전원 공급 장치

용접 장비 및 플라즈마 커터의 전력 출력 스테이지태양광 인버터의 DC-AC 변환 회로

 

풍력 발전 시스템의 전력 조절 장치

배터리 에너지 저장 시스템(BESS)의 에너지 관리 모듈

전기 자동차 충전소의 전력 변환 스테이지

기타 고성능 응용 분야:

오디오 증폭기의 출력 스테이지, 특히 전문 등급 고전력 증폭기

 

유도 가열 장비의 공진 회로

펄스 전력 시스템의 고속 스위칭 응용 분야

시험 및 측정 장비의 고전류 부하 스위치

IXFX230N20T

설계 장점:

 

고효율: 낮은 온 저항 및 최적화된 스위칭 특성은 에너지 손실을 줄여 전체 시스템 효율을 향상시킵니다.

높은 신뢰성: TO-247-3 패키지는 우수한 열 성능을 제공하며 넓은 온도 작동 범위와 결합되어 가혹한 환경에서도 안정적인 작동을 보장합니다.

설계 유연성: ±20V의 넓은 게이트 드라이브 전압 범위는 드라이버 회로 설계를 단순화하고 다양한 컨트롤러 출력과 호환됩니다.

 

선술집 시간 : 2025-06-20 14:14:49 >> 뉴스 명부
연락처 세부 사항
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

담당자: Mr. Sales Manager

전화 번호: 86-13410018555

팩스: 86-0755-83957753

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