전문적인 전자 부품 공급업체로서, Mingjiada Electronics는 이제 Infineon의1EDC60H12AH높은 측면 단일 채널 게이트 드라이버 IC, 고전압 애플리케이션을 위해 설계된 첨단 CT (Coreless Transformer) 기술을 갖춘 EiceDRIVERTM 시리즈 제품입니다.1EDC60H12AH우수한 성능과 신뢰성으로 인해 전력 전자 분야에서 중요한 위치를 차지합니다. .
1EDC60H12AH제품 개요
1EDC60H12AH는 인피니온의 EiceDRIVERTM 제품군의 1200V 고전도 단일 채널 게이트 드라이버 IC로, PG-DSO-8-59 패키지로 UL1577 인증을 받은 감전 단열을 갖추고 있다.1EDC60H12AH는 600V/650V/1200V IGBT를 구동하도록 설계되었습니다., MOSFET 및 SiC MOSFET, 별도의 출력 핀에서 최대 10A의 출력 전류를 제공합니다.
입력 논리 핀에 스케일된 CMOS 임계 레벨로, 1EDC60H12AH는 3V에서 15V의 넓은 입력 전압 범위를 지원하며 3.3V 마이크로 컨트롤러와 직접 인터페이스를 할 수 있습니다.시스템 설계가 크게 단순화됩니다..1 1EDC60H12AH는 코어리스 트랜스포머 기술을 통해 격리 장벽을 통해 데이터 전송을 달성하여 높은 신뢰성과 신호 전송의 간섭에 대한 면역을 보장합니다.
1EDC60H12AH제품 특성
1EDC60H12AH 게이트 드라이버 IC는 고전압 드라이브 응용 프로그램에서 우수한 기능을 갖습니다.
고전압 격리 능력: 1EDC60H12AH는 UL1577 인증으로 고전압 응용 프로그램의 안전을 보장하기 위해 1초 동안 VISO=3000V까지 격리 테스트 전압을 갖습니다.1200V 코어리스 트랜스포머 격리 기술은 1EDC60H12AH가 고전압 환경에서 안정적으로 작동 할 수 있습니다..
강력한 운전 능력: 1EDC60H12AH는 10A (출력 전류) 및 9.4A (심전류) 까지의 전형적인 피크 전류로 레일-레일 출력을 제공합니다.고전력 장치의 빠른 전환을 가능하게 하는1EDC60H12AH는 독립적인 소스 및 싱크 출력 핀을 가지고 있으며 더 유연한 드라이브 디자인을 허용합니다.
빠른 반응 성능: 1EDC60H12AH는 10ns의 최대 상승 시간 및 9ns의 최대 떨어지는 시간을 가지고 있으며, 전력 장치의 효율적인 전환을 보장합니다.1EDC60H12AH는 120ns의 켜기 전파 지연과 125ns의 켜기 종료 전송 지연을 가지고 있습니다., 시스템 타이밍 제어 최적화.
넓은 작동 범위: 1EDC60H12AH는 3V에서 15V의 넓은 입력 전압 범위를 지원하며 광범위한 제어 신호 수준과 호환됩니다.1EDC60H12AH는 -40°C ~ 125°C의 온도 범위에서 작동합니다 (일부 출처에서는 150°C의 접합 온도까지 나타냅니다), 가혹한 환경 응용에 적합합니다.
첨단 패키지 기술: 1EDC60H12AH는 300ml 폭의 몸체 PG-DSO-8-59 패키지에 패키지되어 있으며, 고전압 격리 요구 사항을 충족시키기 위해 8mm 크리페이지 거리를 제공합니다.1EDC60H12AH의 패키지 디자인은 열 분비를 최적화합니다., 최대 400mW의 전력 소모와 함께
1EDC60H12AH제품 매개 변수
자극기 수: 1 개의 드라이버
출력 수: 1 출력
출력 전류: 6A
공급 전압 - 최소 3.1V
공급 전압 - 최대: 17V
구성: 뒤집기, 뒤집지 않는
상승 시간: 10 ns
떨어지는 시간: 9 ns
최소 작동 온도: - 40 C
최대 작동 온도: + 125 C
로직 타입: CMOS
가동 전류: 650 uA
출력 전압: 13V ~ 35V
Pd 전력 분산: 25mW, 400mW
1EDC60H12AH잠재적인 응용
AC 및 브러쉬 없는 DC 모터 드라이브
고전압 DC/DC 변환기 및 DC/AC 인버터
인덕션 난방 공명 응용
UPS 시스템, 용접 및 태양광
1EDC60H12AH블록 다이어그램
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