Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.는 전화: +86 13410018555 고성능 N 채널 HEXFET 전력 MOSFET를 장기간 안정적으로 공급합니다.
전화: +86 13410018555 제품 개요
IRF6894MTRPBF는 Infineon Technologies에서 출시한 고성능 N 채널 MOSFET입니다. 이 전력 장치 모델 IRF6894MTRPBF는 고급 HEXFET 기술을 사용하여 뛰어난 전기적 성능을 제공합니다.
Mingjiada Electronics의 핵심 제품인 IRF6894MTRPBF는 1.3mΩ의 초저 온 저항으로 시장에서 널리 인정받고 있습니다. 25V의 드레인-소스 전압 정격으로 중저전압 응용 분야에 이상적인 선택입니다. IRF6894MTRPBF는 DirectFET MX 패키지를 사용합니다. 이 독특한 패키지 디자인은 열 성능을 향상시킬 뿐만 아니라 PCB 풋프린트를 줄여줍니다.
IRF6894MTRPBF
전화: +86 13410018555
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
• 연속 드레인 전류 (Id): 32A (Ta), 160A (Tc)
• 온 저항 (Rds(on)): 1.3mΩ @ 33A, 10V
• 게이트 구동 전압: 4.5V ~ 10V
• 작동 온도 범위: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 패키지 유형: DirectFET™ MX 표면 실장
상세 기술 사양
제조사: Infineon Technologies
부품 번호:
IRF6894MTRPBF
전화: +86 13410018555
기술 플랫폼: HEXFET®, DirectFET™
항복 전압 (V_DSS): 25V (최소)
온 저항 (R_DS(on)): 1.3mΩ @ V_GS=10V, I_D=20A (일반)
연속 드레인 전류 (I_D): 200A @ T_C=100°C, 320A @ T_C=25°C
펄스 드레인 전류 (I_DM): 750A @ T_pulse=10μs, V_GS=10V
게이트 임계 전압 (V_GS(th)): 1.6V ~ 2.5V (일반 2.0V)
게이트 구동 전압 (V_GS): 권장 +10V, 최대 ±20V
총 게이트 전하 (Q_g): 26nC @ V_GS=0V~10V
게이트-소스 전하 (Q_gs): 12nC
게이트-드레인 전하 (Q_gd): 6nC
입력 커패시턴스 (C_iss): 6800pF @ V_DS=12.5V
출력 커패시턴스 (C_oss): 1800pF @ V_DS=12.5V
역전달 커패시턴스 (C_rss): 360pF
역 회복 전하 (Q_rr): 120nC (일반)
애벌런치 에너지 (E_AS): 600mJ (단일 펄스)
애벌런치 전류 (I_AR): 200A
작동 온도: -55°C ~ +175°C (접합 온도)
패키지 유형: DirectFET™ Medium Can
패키지 치수: 7.0mm × 6.0mm × 0.7mm
핀 수: 7+1 (7개의 기능 핀 + 1개의 열 패드)
열 저항 (R_thJC): 0.5°C/W (하단) + 1.2°C/W (상단)
AEC-Q101: Grade 0 통과
RoHS 상태: RoHS3 준수, Pb-Free
RoHS 상태: RoHS3 준수, Pb-Free
할로겐 프리: 예
IRF6894MTRPBF
전화: +86 13410018555
IR의 차세대 실리콘 기술 사용
12V 입력 동기식 벅 애플리케이션에 최적의 효율 제공
IRF6894MTRPBF
전화: +86 13410018555
차세대 서버, 데스크탑 컴퓨터 및 노트북 PC
구매 정보
부품 번호:
IRF6894MTRPBF
전화: +86 13410018555
장치 유형: N 채널 HEXFET MOSFET
기술 플랫폼: DirectFET™ Medium Can
AEC-Q101: Grade 0 통과
RoHS 상태: RoHS3 준수, Pb-Free
최소 주문 수량: 유연한 지원, 샘플 제공
가용성: 재고 있음, 당일 배송
가격대: 구매 수량에 따른 계층별 가격
IRF6894MTRPBF
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