회사 블로그 밍지다 전자 STW58N60DM2AG 자동차 등급 N 채널 전력 MOSFET (600V/50A)

STW58N60DM2AG 제품 설명

STW58N60DM2AG는 STMicroelectronics의 차량용 N 채널 전력 MOSFET으로, 고급 MDmesh™ DM2 기술을 특징으로 하며, 낮은 온 저항(RDS(on) = 0.052Ω 일반)과 높은 스위칭 효율을 제공합니다. STW58N60DM2AG는 TO-247-3 패키지로 제공되며, AEC-Q101 자동차 인증을 준수하며, -55°C ~ 150°C의 가혹한 환경에서도 안정적으로 작동하여 자동차 전자 시스템의 장기적인 신뢰성을 보장합니다.

전문 전자 부품 공급업체인 Mingjiada Electronics는 STW58N60DM2AG를 새롭고 정품 포장으로 제공하며, 100% 정품임을 보장하며, 최소 주문 수량은 1개입니다. STW58N60DM2AG는 전기 자동차(EV), 온보드 충전기(OBC), 산업용 전원 공급 장치와 같은 고전력 응용 분야에 특히 적합합니다.

제품 특징

다음은 STW58N60DM2AG의 주요 특징입니다:

고성능 스위칭 기능

600V 드레인-소스 전압(Vdss), 고전압 전력 시스템에 적합

50A 연속 드레인 전류(Id), 향상된 피크 전류 기능

낮은 온 저항(RDS(on) = 60mΩ @ 25A, 10V), 전력 손실 감소

자동차 등급 신뢰성

AEC-Q101 인증, 자동차 전자 장치(예: OBC, DC-DC 컨버터)에 적합

360W 최대 전력 소비(Pd), 열 성능 최적화 1

최적화된 게이트 드라이브

게이트 전하(Qg) 90nC @ 10V로 낮아 스위칭 손실 감소

게이트 드라이브 전압(Vgs) 범위 ±25V, 다양한 드라이브 회로와 호환

낮은 입력 커패시턴스(Ciss = 4100pF @ 100V), 고주파 스위칭 성능 향상

다음은 STW58N60DM2AG는 고속 복구 바디 다이오드 특성, 극도로 낮은 게이트 전하 및 입력 커패시턴스, 100% 애벌런치 테스트 보증을 특징으로 합니다. STW58N60DM2AG의 제너 보호 및 극도로 높은 dv/dt 내구성은 가혹한 환경에서도 안정적인 작동을 보장합니다.

다음은 STW58N60DM2AG의 주요 기술 파라미터입니다:

제조사: STMicroelectronics

패키지: TO-247-3 (스루홀 마운팅)

드레인-소스 전압(Vdss): 600V

연속 드레인 전류(Id): 50A @ 25°C

온 저항(RDS(on)): 60mΩ @ 25A, 10V

게이트 전하(Qg): 90nC @ 10V

전력 소비(Pd): 360W (Tc)

작동 온도 범위: -55°C ~ 150°C (TJ)

임계 전압(Vgs(th)): 5V @ 250μA

입력 커패시턴스(Ciss): 4100pF @ 100V

펄스 드레인 전류: 200A

STW58N60DM2AG는 TO-247 패키지로 제공되며, 스루홀 마운팅 방식이며, 튜브 포장으로 배송됩니다. STW58N60DM2AG는 RoHS 표준을 준수하며, 습도 민감도 레벨(MSL)은 레벨 1(무제한)입니다.

일반적인 응용 분야

다음은 STW58N60DM2AG가 널리 사용되는 분야입니다:

자동차 전자 시스템

온보드 충전기(OBC)

DC-DC 컨버터

전기 자동차(EV) 전력 관리 시스템

산업용 전원 공급 장치

고효율 컨버터

브리지 토폴로지

ZVS 위상 시프트 컨버터

기타 고전력 응용 분야

태양광 인버터

고주파 컨버터

산업 제어 시스템

STW58N60DM2AG는 높은 신뢰성과 고성능이 요구되는 응용 분야에 특히 적합합니다. STW58N60DM2AG의 MDmesh™ DM2 기술은 스위칭 응용 분야에서 에너지 손실을 크게 줄여줍니다.

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담당자: Mr. Chen

전화: +86 13410018555 (Mr. Chen)

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