회사 블로그 밍기아다 인피니온 IMZC120R007 실리콘 탄화물 MOSFET 대량 공급: 1200V / 7mΩ, TO-247-4 패키지, 첸젠에서 주식 공급

심천 명지다 전자 유한회사 (명지다 전자)는 전자 부품의 전문 재고 유통업체로서, 오랫동안 인피니언의 CoolSiC™ 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 시리즈를 정품으로 공급해 왔습니다. 그중 IMZC120R007 (전체 모델 번호: IMZC120R007M2H)은 인피니언의 2세대 CoolSiC™ 기술 플랫폼의 주력 제품 중 하나입니다. 명지다는 심천에 상시 재고를 보유하고 있으며, 소량 샘플 및 대량 생산 모두에 대한 신속한 배송을 지원하여 고객에게 효율적이고 신뢰할 수 있는 전력 반도체 솔루션을 제공합니다.

I. 제품 개요

 IMZC120R007은 인피니언 테크놀로지스에서 출시한 1200V 실리콘 카바이드(SiC) 전력 MOSFET으로, CoolSiC™ G2(2세대) 시리즈에 속합니다. 고급 트렌치 게이트 기술을 활용하고 SiC 분야의 인피니언의 광범위한 전문 지식을 바탕으로, 이 소자는 매우 낮은 온저항(RDS(on))과 초고속 스위칭 속도를 달성하며, 뛰어난 고온 안정성과 신뢰성을 제공합니다.

이 모델은 TO-247-4핀 패키지(4핀 켈빈 소스)를 사용하며, 이는 기존의 3핀 패키지에 비해 구동 회로의 공통 소스 인덕턴스를 크게 줄이고 스위칭 성능을 현저히 개선하며 스위칭 손실을 감소시켜 고주파, 고효율 전력 변환 애플리케이션에 특히 적합합니다. 명지다 전자는 글로벌 조달 네트워크와 심천 유통 센터를 활용하여 다양한 산업 및 자동차 등급 애플리케이션의 요구를 충족시키기 위해 정품 IMZC120R007 소자의 재고 확보를 보장합니다.

II. 주요 특징 및 장점

매우 낮은 온저항: 일반값 7mΩ(RDS(on)), 최대 9mΩ(25°C에서), 전도 손실을 크게 줄이고 시스템 효율을 향상시킵니다.

높은 차단 전압: 1200V VDS, 고전압 버스바 요구 사항을 충족하며 800V 전기 자동차 및 태양광 시스템에 적합합니다.

낮은 스위칭 손실: SiC 재료의 뛰어난 고주파 특성 덕분에, 동등 사양의 실리콘 기반 IGBT보다 스위칭 손실이 훨씬 낮아 더 높은 스위칭 주파수(수백 kHz까지)를 가능하게 하고 수동 부품의 크기를 줄입니다.

넓은 작동 온도 범위: 접합 온도 최대 175°C, 열악한 환경에서 장기적인 신뢰성 요구 사항을 충족합니다.

TO-247-4 패키지: 켈빈 소스 핀은 구동 회로의 공통 소스 인덕턴스를 제거하여 더 빠른 스위칭 전환과 낮은 링잉을 가능하게 하여 게이트 드라이브 신뢰성을 향상시킵니다.

통합 바디 다이오드: 낮은 역회복 전하량(Qrr)을 특징으로 하여 외부 프리휠링 다이오드 없이 무손실 역방향 전도를 가능하게 합니다(동기 정류 토폴로지에 적합).

높은 애벌랜치 내성: 견고한 애벌랜치 내성을 제공하여 시스템의 견고성을 향상시킵니다.

표준 게이트 드라이브 전압과 호환: 0V ~ 18V 게이트 드라이브 지원(권장 턴온 전압 15V), 기존 드라이버와의 호환성을 보장합니다.

AEC-Q101 자동차 표준(자동차 등급 모델) 준수 또는 산업 등급 신뢰성 요구 사항 충족

III. 상세 사양

IMZC120R007(IMZC120R007M2H)의 주요 기술 사양은 다음과 같습니다:

제품 유형: 실리콘 카바이드 MOSFET

패키지/하우징: PG-TO247-4-U07

채널 수: 1 채널

Vds – 드레인-소스 항복 전압: 1.2kV

Id – 연속 드레인 전류: 201A

Rds On – 드레인-소스 온저항: 20mOhms

Vgs – 게이트-소스 전압: -10V, +25V

Vgs th – 게이트-소스 임계 전압: 5.1V

Qg – 게이트 전하: 176nC

최소 작동 온도: -55°C

최대 작동 온도: +175°C

Pd – 전력 소산: 711W

브랜드명: CoolSiC

구성: 엔핸스먼트

폴 타임: 33.6ns

순방향 트랜스컨덕턴스 – 최소: 60S

라이즈 타임: 21.5ns

시리즈: CoolSiC G2

트랜지스터 극성: N채널

트랜지스터 유형: 1 N채널

유형: SiC MOSFET

일반적인 턴오프 지연: 76.3ns

일반적인 턴온 지연: 32.4ns

IV. 일반적인 애플리케이션

1200V/7mΩ의 뛰어난 성능을 갖춘 IMZC120R007은 효율성, 전력 밀도 및 신뢰성에 대한 극도로 높은 요구 사항을 가진 전력 변환 시스템에 적합하며, 특히 다음을 포함합니다:

전기차 충전 스테이션: DC 고속 충전 모듈의 PFC 및 DC-DC 스테이지, 고효율, 고전력 밀도 설계를 가능하게 합니다.

PV 인버터: 스트링 인버터의 MPPT 및 인버터 스테이지, 시스템 효율을 향상시키고 크기를 줄입니다.

에너지 저장 시스템(ESS): 양방향 DC-DC 컨버터, 효율적인 에너지 변환을 가능하게 합니다.

산업용 전원 공급 장치: 서버 전원 공급 장치, 통신 전원 공급 장치, 전기 도금 전원 공급 장치와 같은 고전력 스위칭 전원 공급 장치

온보드 충전기(OBC) 및 DC-DC 컨버터(자동차 등급 신뢰성 요구 사항 충족)

견인 인버터(보조 또는 주 구동, AEC-Q101 준수 필요)

무정전 전원 공급 장치(UPS) 및 능동 필터(APF)

V. 공급 및 서비스

명지다 전자는 오랫동안 인피니언 IMZC120R007 실리콘 카바이드 MOSFET을 대량으로 공급해 왔습니다. 당사의 심천 창고에는 이 제품들이 상시 재고로 보관되어 있습니다. 저희는 100% 정품, 오리지널 제품을 보장하며 다음과 같은 서비스를 제공합니다:

유연한 조달: 소량 샘플 구매 및 대량 생산 주문 모두 지원

신속한 배송: 심천 재고 보유; 주문 후 24시간 이내 배송

글로벌 물류: 홍콩 및 심천의 창고 네트워크를 활용하여 국내 및 국제 배송 지원

최신 재고, 가격 또는 견적 요청은 명지다 전자 웹사이트(www.hkmjd.com)를 방문하거나 영업팀에 문의하십시오.

연락처 정보:

휴대폰: +86 13410018555

이메일: sales@hkmjd.com

주소: 광동성 심천시 푸티안구 젠중로 구오리 빌딩 1239-1241호

태그: IMZC120R007M2H, IMZC120R007M2, IMZC120R007M, IMZC120R007