회사 블로그 밍지아다는 인피니언 질화갈륨(GaN) HEMT(고전자 이동 트랜지스터) — CoolGaN 모델 — 재고 보유

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.는 Infineon GaN HEMT 트랜지스터의 전문 재고 공급업체로서, 재고로 보유하고 있는 새롭고 정품 Infineon CoolGaN™ 시리즈 GaN HEMT 트랜지스터를 제공합니다. 당사의 제품 범위는 40V에서 850V까지의 전체 전압 범위를 포함하며, G3 중전압 시리즈, G5 고전압 시리즈, 양방향 스위치(BDS), 자동차 등급 장치를 포함하여 고속 충전, 데이터 센터, 태양광 인버터, 신에너지 차량 및 산업용 전원 공급 장치 분야의 고객에게 원스톱 GaN 전력 장치 조달 지원을 제공합니다.

I. Mingjiada에서 공급하는 핵심 Infineon GaN HEMT 제품 시리즈

Infineon’s CoolGaN™은 업계에서 중/저전압 및 고전압 애플리케이션을 모두 포함하며 자동차 등급 옵션을 제공하는 몇 안 되는 GaN HEMT 제품 포트폴리오 중 하나입니다. Mingjiada는 다음 시리즈의 재고를 유지하고 있으며 소량 샘플 요청 및 대량 생산 납품을 모두 지원합니다.

1. CoolGaN™ G5 고전압 시리즈 (650V/700V)

게이트 주입 트랜지스터(GIT) 기술을 기반으로 하는 G5 시리즈는 산업 및 신에너지 분야의 고전압 애플리케이션을 위해 설계되었습니다. 기존 실리콘 기반 솔루션에 비해 3%~5%의 효율성 향상을 제공하며 MHz 수준의 고주파 스위칭을 지원합니다. Infineon의 공식 데이터에 따르면 650V G5 제품은 25mΩ에서 140mΩ까지의 온 저항과 최대 70A의 최대 연속 드레인 전류를 특징으로 합니다. 패키지 옵션에는 TOLL, TOLT, DSO TSC, DFN 8×8 및 ThinPAK 5×6이 포함됩니다.

Mingjiada는 다음과 같은 대표적인 G5 모델을 재고로 보유하고 있습니다:

모델 패키지 주요 파라미터

IGT65R025D2 TOLL 650V / 70A / 25mΩ

IGT65R035D2 TOLL 650V / 49A / 35mΩ

IGT65R045D2 TOLL 650V / 38A / 45mΩ

IGT65R140D2 TOLL 650V / 13A / 140mΩ

IGLD65R055D2 DFN 8×8 650V / 28A / 55mΩ

2. CoolGaN™ 600V 산업 등급 시리즈 (e-mode HEMT)

600V e-mode GaN HEMT는 데이터 센터 전원 공급 장치, 서버 SMPS, 통신 정류기 및 무선 충전 애플리케이션을 위한 Mingjiada의 고용량 제품 라인입니다. 이 시리즈는 역 복구 전하가 없는 향상된(정상 차단) 구조, 9ns의 낮은 상승 시간, 13ns의 하강 시간, -55°C ~ +150°C의 작동 접합 온도 범위를 특징으로 합니다.

Mingjiada의 600V 시리즈 대표 모델은 다음과 같습니다:

IGO60R070D1: 600V / 31A / 70mΩ, DSO-20 패키지, 토템폴 PFC 및 고주파 LLC와 같은 하드 스위칭 및 소프트 스위칭 하프 브리지 토폴로지에 적합합니다.

IGOT60R070D1: 탑 쿨링 DSO-20 패키지, 고전력 밀도 열 관리 설계에 적합합니다.

IGLD60R070D1: LSON-8 패키지, 컴팩트 어댑터 및 고속 충전에 설계되었습니다.

IGT60R190D1: HSOF-8 패키지, 190mΩ 등급, 중전력 산업용 전원 공급 장치에 적합합니다.

IGLR60R340D1: 340mΩ 등급, 비용 민감형 보조 전원 공급 장치 및 저전력 애플리케이션에 적합합니다.

IGLR60R260D1: 600V e-mode GaN HEMT, 고주파, 고효율 변환을 위해 설계되었습니다.

IGI60F1414A1L: 600V CoolGaN™ 스마트 전력 스테이지, 통합 게이트 드라이버, 140mΩ, QFN-28 8×8 mm 패키지, 시스템 설계 및 보호 회로를 단순화합니다.

3. CoolGaN™ G3 중전압 시리즈 (40V~120V)

G3 시리즈는 48V 자동차 시스템, USB-C 고속 충전, 모터 드라이브 및 통신 전원 공급 장치와 같은 중저전압 애플리케이션을 위해 설계되었습니다. 1.1mΩ에서 2.3mΩ까지의 낮은 온 저항을 가진 RQFN 5×6 / 3.3×3.3 패키지는 실리콘 기반 MOSFET 레이아웃과 호환됩니다. 40V 양방향 스위치(BDS) 모델은 기존 백투백 MOSFET을 대체하여 PCB 면적을 50%~75% 절약할 수 있습니다.

대표 모델: IGO60R070D1 (저중전압 양방향 스위치 애플리케이션에도 나열됨); 특정 40V/100V G3 모델의 전체 선택 표는 Mingjiada 영업팀에 문의하십시오.

4. CoolGaN™ 양방향 스위치(BDS) - 단일 칩 양방향 전도/차단

Infineon’s CoolGaN™ BDS는 업계 최초의 단일 칩, 통합 강화 모드 양방향 GaN 장치입니다. 이는 기존의 "4개 장치 병렬" 양방향 스위치 아키텍처를 단일 장치로 대체하여 자재 명세서 및 PCB 풋프린트를 크게 줄입니다.

Mingjiada에서 공급하는 대표 모델:

IGLT65R055B2: 850V 서지 내성을 갖춘 TOLT(Top-Out-Through) 패키지의 650V 고전압 산업 등급 BDS; 양방향 충전 스테이션, 에너지 저장 PCS, 솔리드 스테이트 회로 차단기 및 양방향 DC-DC 컨버터에 적합합니다.

IGK080B041S: 자동차 및 소비자 전자 제품의 소형화된 양방향 스위칭 애플리케이션을 위해 설계된 칩 스케일 패키지의 40V 저전압 범용 BDS.

5. CoolGaN™ 자동차 등급 시리즈 (100V/600V, AEC-Q101)

Infineon은 자동차 48V 시스템 및 온보드 충전을 위한 AEC-Q101 인증 GaN HEMT를 출시했습니다. Mingjiada는 존 컨트롤러, 메인 DC-DC 컨버터, 고성능 보조 시스템 및 Class D 오디오 앰프에 적합한 100V 자동차 등급 시리즈를 제공합니다. 또한 자동차 표준(IGOT60R070D1AU, IGO60R070D1AU 등)을 충족하는 600V e-mode GaN HEMT를 공급합니다.

II. Infineon GaN HEMT 조달을 위해 Mingjiada를 선택해야 하는 이유

제조업체 직거래, 새 제품 및 정품. Mingjiada의 모든 Infineon CoolGaN™ 제품은 제조업체 또는 공인 채널에서 직접 공급되므로 리퍼비시 또는 불량 신품이 없습니다. 각 칩은 품질 검사를 거쳐 전력 장치의 장기적인 신뢰성을 보장합니다.

재고 보유, 빠른 배송. Shenzhen과 Hong Kong의 이중 창고 간의 조정된 운영은 인기 있는 CoolGaN™ 모델에 대한 전략적 안전 재고를 유지합니다. 국내 배송은 48시간 이내에 발송되며, R&D 샘플과 대량 생산 주문 간의 유연한 전환을 지원하여 고객의 시장 출시 시간을 크게 단축합니다.

대량 구매로 인한 가격 경쟁력. Infineon과의 깊은 파트너십과 대량 구매의 이점을 활용하여 Mingjiada는 계층적 가격 책정 및 장기 가격 고정 서비스를 제공하여 고객이 GaN 솔루션 구현 단계에서 BOM 비용을 제어할 수 있도록 지원합니다.

III. 일반적인 애플리케이션 시나리오

Infineon’s CoolGaN™ GaN HEMT는 이미 Mingjiada의 고객 기반에서 다음과 같은 핵심 시나리오에 채택되었습니다:

고속 충전 및 어댑터: 600V e-mode 및 G3 중전압 장치는 고주파 QR 플라이백, 토템폴 PFC 및 USB-C PD 전원 공급 장치에 사용되어 컴팩트하고 고전력 밀도 설계를 가능하게 합니다.

데이터 센터 및 서버 전원 공급 장치: 650V G5 시리즈는 Titanium 등급 서버 SMPS 및 고전압 DC 전력 분배에 사용되며, 실리콘 기반 슈퍼 점퍼 MOSFET보다 스위칭 손실이 훨씬 낮습니다.

PV 인버터 및 에너지 저장: G5 650V 장치는 스트링 인버터 및 에너지 저장 PCS의 DC-AC 스테이지에 사용되어 효율성을 98% 이상으로 높입니다.

신에너지 차량: 100V/600V 자동차 등급 GaN은 OBC, DC-DC 컨버터 및 48V 존 컨트롤러에 사용되며 AEC-Q101 신뢰성 요구 사항을 충족합니다.

산업용 모터 드라이브 및 솔리드 스테이트 회로 차단기: BDS 양방향 스위치는 모터 정/역방향 제어, 솔리드 스테이트 릴레이 및 양방향 전력 변환에 사용되어 단일 칩 아키텍처로 토폴로지를 단순화합니다.

IV. GaN HEMT 선택 및 견적 문의는 Mingjiada에 문의하십시오

위 모델의 현재 재고 가용성을 확인하거나, 전체 선택 표를 얻거나, 무료 샘플을 요청하려면 Mingjiada Electronics에 문의하십시오:

담당자: Chen 씨

전화/위챗: +86 0755-83294757 / 13410018555

이메일: sales@hkmjd.com

주소: Rooms 1239~1241, New Asia Guoli Building, Zhenzhong Road, Futian District, Shenzhen, Guangdong Province

Mingjiada는 또한 Infineon의 GaN 전용 게이트 드라이버(GaN EiceDRIVER™ 시리즈 등) 및 SiC MOSFET을 공급하여 GaN+SiC 하이브리드 솔루션을 위한 원스톱 주문을 지원합니다.