회사 블로그 밍자다 공급 인피니온 CY7C25632 및 CY7C25652 72Mbit QDR II+ 동기 SRAM 메모리

첸젠 밍기아다 전자제품 회사[인피니언] SRAM (정형 무작위 액세스 메모리) 의 공급자, CY7C25632 및 CY7C25652 72Mbit QDR® II+ SRAM 동기 SRAM 장치와 함께 4바이트 번스트 아키텍처를 갖추고 있습니다.밍기아다 일렉트로닉스는 주류 모델의 재고를 유지하고 소량 샘플과 대용량 주문을 지원합니다.효율적인 물류 시스템을 바탕으로 빠른 제품 배달을 보장합니다.

CY7C25632 CY7C25652 72Mbit QDR® II+ SRAM (static random-access memory)

1. 세부 사항: CY7C25632KV18 및 CY7C25652KV18는 QDR II+ 아키텍처를 이용한 1.8V 동기 파이프 라인 SRAM입니다. QDR II 아키텍처와 유사하게,QDR II+ 아키텍처는 두 개의 독립된 포트로 구성됩니다.: 메모리 배열에 액세스하기 위한 읽기 포트와 쓰기 포트. 읽기 포트에는 읽기 작업을 지원하기 위해 전용 데이터 출력 핀이 있습니다.기록 포트에는 기록 작업을 지원하기 위해 전용 데이터 입력 핀이 있습니다..

2구성:

2.5 사이클의 읽기 시차

CY7C25632KV18 4M × 18

CY7C25652KV18 2M × 36

3주요 특징:

고 대역폭을 위한 550 MHz 시계 주파수

2.5 클럭 사이클의 읽기 사이클 지연으로 사용할 수 있는 버전

×18 및 ×36 구성으로 제공됩니다.

가장 최신 데이터를 제공하는 완전한 데이터 일관성

원자 VDD = 1.8V ± 0.1V; I/O VDDQ = 1.4V에서 VDD

1.5V 및 1.8V I/O 공급 전압을 지원합니다.

HSTL 입력 및 변동 HSTL 출력 버퍼

165 볼 FBGA 패키지 (13 × 15 × 1.4 mm) 에 제공됩니다.

Mingjiada Electronics에서 공급한 선택된 모델:

CY7C25632KV18-550BZC

CY7C25652KV18-550BZXC

CY7C25632KV18-550BZXI

CY7C25652KV18-550BZXI

CY7C25632KV18-500BZC

CY7C25652KV18-500BZC

CY7C25652KV18-500BZI

CY7C25632KV18-500BZXC

CY7C25652KV18-500BZXC

CY7C25632KV18-500BZXI

CY7C25632KV18-450BZC

CY7C25652KV18-450BZI

CY7C25652KV18-450BZXC

CY7C25632KV18-450BZXI

CY7C25632KV18-400BZC

CY7C25652KV18-400BZC

CY7C25652KV18-400BZI

CY7C25652KV18-400BZXC

CY7C25632KV18-400BZXI

CY7C25652KV18-400BZXI

[인피네온] CY7C25632에 대한 자세한 정보 CY7C25652 72Mbit QDR® II+ 동기 SRAM 또는 샘플 가격에 대해 문의하려면 Mingjiada Electronics 웹 사이트를 방문하십시오 (https://www.integrated-ic.com/공급에 대한 자세한 사항