회사 블로그 밍지아다, Navitas GeneSiC 시리즈 SiC MOSFET 공급, G3F 및 G3R 실리콘 카바이드 MOSFET 공급

밍지아다 공급 Navitas GeneSiC 시리즈 SiC MOSFET, 공급 G3F 및 G3R 실리콘 탄화물 MOSFET

첸젠 밍기아다 전자제품 회사Navitas의 오랜 공급자입니다 GeneSiC 시리즈의 실리콘 카비드 (SiC) MOSFET 제품. 다음 세대 전력 반도체 산업의 리더로서,나비타스 젠시시 (GeneSiC) 시 (SiC) 장치는 고전압에서 새로운 성능 기준을 설정했습니다., 고 주파수 및 높은 신뢰성 응용 프로그램

밍기아다 일렉트로닉스가 공급하는 Navitas SiC MOSFET는 주로 두 개의 시리즈로 나뉘어 있으며 각각은 다른 응용 시나리오에 최적화되었습니다.
나비타스 젠시C MOSFET 시리즈는 전통적인 평면 또는 트렌치 게이트 구조를 사용하지 않고, 대신 독특한 트렌치 지원 평면 게이트 기술을 사용합니다.이 혁신적 인 설계 는 평평 한 게이트 의 견고성 과 트렌치 게이트 의 성능 이점 을 결합 합니다.
13세대 빠른 (G3F) 시리즈: 속도와 효율성의 궁극적인 추구
G3F 시리즈는 가장 빠른 스위치 속도와 가장 높은 효율을 요구하는 애플리케이션에 특별히 설계되었습니다.이 시리즈는 주로 고 주파수 작동과 초고 전력 밀도를 필요로하는 시스템을 대상으로합니다.인공지능 데이터센터 서버 전원 공급 장치, 전기차 탑재 충전기 (OBC) 및 빠른 DC 충전소 등이 있습니다.
주요 특징: 초저하 전환 손실, 최적화 된 하드 전환 성능.
전압 등급: 주로 650V (400V 배터리 아키텍처) 및 1200V (800V 배터리 아키텍처) 에서 사용할 수 있습니다.
패키지 유형: D2PAK-7L (TO-263-7), TOLL (TO-Leadless) 및 TO-247-4와 같은 산업 표준 패키지를 포함합니다.
2Gen-3 Rugged (G3R) 시리즈: 견고함과 신뢰성을 위한 강력한 방어
G3R 시리즈는 극심한 견고성과 높은 신뢰성에 초점을 맞추고 있으며, 매우 까다로운 내구성 요구 사항이있는 산업 시나리오에 적합합니다.이 시리즈의 장치는 일반적으로 더 높은 계곡 견딜 수있는 능력과 더 강한 단절 저항을 특징으로합니다..
주요 특징: 시스템 안정성을 높이기 위해 매우 낮은 전원 저항, 빠르고 신뢰할 수있는 보스 다이오드 및 높은 임계 전압.
전압 등급: 1200V 및 더 높은 전압 등급 (예: 1700V) 을 적용한 모델로 고전압 산업용의 요구 사항을 충족합니다.
전형적인 응용 분야: 태양광 인버터, 끊김 없는 전원 공급 장치 (UPS), 산업용 모터 드라이브 및 견인 시스템

밍지아다 일렉트로닉스는 다음과 같은 제품을 포함한 Navitas SiC MOSFET 제품의 장기 공급업체입니다.
G3F40MT12K
G3F09MT12FB2
G3F17MT12FB2
G3F135MT12J
G3F18MT12FB4
G3F20MT12J
G3F18MT12K
G3F20MT12K
G3F25MT06J
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G3F33MT06J
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G3F34MT12K
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G3F45MT06D
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