회사 블로그 밍지아다, 온세미 질화갈륨 FET 및 GaN 전력 집적회로 공급

밍지아다는 반가륨산화물 FET와 GaN 통합 전력을 공급합니다.

첸젠 밍기아다 전자제품 회사∙ 온세미 전력 장치에 특화되어 스팟 공급과 재구매를 포함한 종합 서비스를 제공합니다.우리는 갈륨 나이트라이드 (GaN) FET 및 스마트 GaN 통합 전력 장치의 GaNEXUS TM 시리즈에 전문, 산업용 및 자동차용 호환 모델을 포함한 저전압 40V ∼100V, 고전압 650V ∼700V 강화 모드 GaN HEMT를 포함합니다. 샘플 조달을 지원합니다.소량에서 중량 대량 주문 및 완제품 대량 주문동시에, 우리는 공장의 죽은 재료를 구매합니다.그리고 모든 종류의 산출하기 어려운 온세미 갈륨 나이트라이드 (GaN) 모델에 대한 입찰 요청을 수행합니다..

갈륨나이트라이드 (GaN) FET
세부 사항: GaNEXUS 갈륨 나이트라이드 (GaN) 필드 효과 트랜지스터는 강화 모드 디스크리트 GaN HEMT입니다. 넓은 대역 간격 물질의 특성을 활용하여 빠른 전환을 가능하게합니다.낮은 게이트 및 출력 충전, 그리고 실리콘 전력 트랜지스터에 비해 예외적인 효율성. 이 특성으로 인해 저전압/중전압,고전압 및 초고전압 전력 변환 애플리케이션에서 더 높은 작동 주파수를 달성하기 위해, 자기 구성 요소의 수를 줄이고 전력 밀도를 높입니다.
밍기다 전자제품에서 공급한 모델:
NTBL023N65GN1TXG
NTBL035N65GN1TXG
NTBL050N65GN1TXG
NTBT023N65GN1TXG
NTBT035N65GN1TXG
NTBT050N65GN1TXG

갈륨 나이트라이드 (GaN) 통합 전력 장치
자세한 사항: GaNEXUS 시리즈의 통합 전원 장치에는 GaNEXUS 드라이브, GaNEXUS 스마트 및 GaNEXUS 컨트롤이 포함되어 있습니다.각 제품은 게이트 드라이브를 포함한 다양한 옵션 기능과 함께 GaN 스위치를 통합합니다., 전류 탐지, 보호 및 제어 한 장치로 설계를 단순화하고 기생물 매개 변수를 줄입니다.
밍기다 전자제품에서 공급한 모델:
NCP58933ABLTXG
NCP58933ABTTXG
NCP58934ABTTXG
NCP58934ABLTXG
NCP58935ABLTXG
NCP58935ABTTXG

밍기다 전자제품
공급 서비스
우리는 정품 온세미 가안 FET 및 스마트 통합 전력 장치의 재고를 유지하며, 대량 출처를 추적 할 수 있습니다. 우리는 샘플 조달을 지원하고 크고 작은 대량 주문을 충족시킬 수 있습니다.첸젠과 홍콩에 두 개의 창고가 있습니다., 우리는 배달 시간을 보장합니다.
재활용 서비스
우리는 Onsemi GaN 전력 장치의 전체 범주의 고가치 재활용을 제공합니다.노후화 된 재고 및 폐지 된 장치패키지 종류나 양에 대한 제한이 없습니다. 우리는 전문적인 품질 평가와 검사를 제공하고 효율적인 결제와 함께 기업들의 재고 최적화를 돕습니다.

온세미의 GaN FET 및 GaN 통합 전원 장치에 대한 자세한 정보 또는 샘플 가격에 대한 문의는 Mingjiada Electronics 웹사이트를 방문하십시오.https://www.integrated-ic.com/더 많은 공급 세부 사항.