회사 블로그 밍기다 공급원 오리지널 CY7C1021DV33-10VXI 고속 SRAM 칩 - 2Mb 10ns 3.3V 정적 무작위 메모리

제품 설명 CY7C1021DV33-10VXI
CY7C1021DV33-10VXI는 고급 CMOS 기술로 제조된 고성능, 저전력 2Mb 고속 정적 무작위 메모리 (SRAM) 칩으로 10ns 고속 액세스 시간 및 3.3V 작동 전압CY7C1021DV33-10VXI는 표준 32 핀 SOIC 패키지에서 사용할 수 있으며 통신 장비, 산업 제어, 의료 기기 및 임베디드 시스템에서 널리 사용됩니다.

우수한 안정성과 신뢰성으로 CY7C1021DV33-10VXI는 고속 데이터 캐시 및 임시 저장에 이상적입니다.저전력 설계 는 배터리 가동 휴대용 장치 에 특히 적합 합니다10ns의 빠른 응답 시간은 고성능 시스템의 요구를 충족시킵니다.

제품 특성의CY7C1021DV33-10VXI
고속 성능: CY7C1021DV33-10VXI는 데이터의 고속 읽기 및 쓰기를 보장하기 위해 10ns의 빠른 액세스 시간을 제공합니다.
저전력 설계: 3.3V 운영 전압은 시스템 전력 소비를 효과적으로 줄입니다.
높은 신뢰성: CY7C1021DV33-10VXI 산업용 온도 범위 (-40°C ~ + 85°C), 혹독한 환경에 적응 할 수 있습니다.
큰 저장 용량: 다양한 요구를 충족시키기 위해 2Mb (256K x 8-bit) 저장 공간.
높은 호환성: CY7C1021DV33-10VXI 완전 정적 작동, 갱신 필요 없습니다, TTL 레벨 인터페이스와 호환됩니다.
표준 패키지: 32-핀 SOIC 패키지, 쉽게 통합 및 용접.

이러한 특징으로 CY7C1021DV33-10VXI는 고속 데이터 처리에 가장 선호되는 솔루션입니다.

사양
모델 번호: CY7C1021DV33-10VXI
메모리 용량: 2Mb (256K x 8bit)
접속 시간: 10 ns
작동 전압: 3.3V ±10%
작동 온도 범위: -40°C ~ +85°C
패키지 유형: 32핀 SOIC
인터페이스 타입: 병렬
데이터 저장 전압: 2.0V (최저)

CY7C1021DV33-10VXI의 사양은 높은 속도, 낮은 전력 소비 및 높은 신뢰성에서 강점을 완전히 보여줍니다.

응용 분야의CY7C1021DV33-10VXI
CY7C1021DV33-10VXI는 다음과 같은 분야에서 널리 사용됩니다.
통신 장비: 라우터, 스위치 및 베이스 스테이션에 데이터 캐시.
산업 제어: PLC 및 모션 제어 시스템에서 고속 데이터 저장을 제공합니다.
의료 기기: 의료 영상 장비에서 실시간 데이터 처리를 지원합니다.
임베디드 시스템: 마이크로컨트롤러와 FPGA를 위한 외부 스토리지 지원을 제공합니다.
소비자 전자제품: HD 비디오 처리 및 게임 콘솔과 같은 고성능 장치에 사용됩니다.

우수한 성능과 광범위한 적용 가능성으로 CY7C1021DV33-10VXI는 많은 산업에서 선택되는 SRAM 칩이되었습니다.

요약
밍기다에서 공급하는 CY7C1021DV33-10VXI는 통신에 적합한 고성능, 저전력 2Mb 고속 SRAM 칩으로 10ns 액세스 시간 및 3.3V 운영 전압이 있습니다.산업용CY7C1021DV33-10VXI는 높은 신뢰성 및 빠른 응답 시간으로 다양한 고속 데이터 저장 요구를 충족시킵니다.

새로운 시스템을 설계하거나 기존 장비를 업그레이드 할 때 CY7C1021DV33-10VXI는 안정적이고 효율적인 솔루션을 제공합니다.당신은 뛰어난 성능과 신뢰성을 선택합니다.!

전문 전자 부품 공급업체로서, Mingjiada Electronics는 공급된 CY7C1021DV33-10VXI가 원본 및 정품으로 다음과 같은 장점을 보장합니다.
100% 원본 채널, 신뢰성 높은 품질을 보장
충분한 재고, 빠르게 배달할 수 있습니다.
CY7C1021DV33-10VXI 기술 지원 서비스 제공
유연한 조달 프로그램, 소량 조달 지원
완벽한 판매 후 보호, 걱정 없이 사용

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