회사 블로그 밍지아다는 르네사스 MOSFET 장치를 공급하며, REXFET-1 N채널 파워 MOSFET을 공급합니다.

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밍지아다 일렉트로닉스는 르네사스 REXFET-1 시리즈 N채널 파워 MOSFET 디바이스를 공급합니다. 이 시리즈는 혁신적인 분할 게이트 기술을 활용하며, 주로 48V 시스템 애플리케이션을 위해 설계되었으며 80V, 100V, 150V와 같은 전압 등급을 포함합니다. 밍지아다 일렉트로닉스는 주력 모델 재고를 보유하고 있으며 소량 샘플 및 대량 주문 모두를 지원합니다. 효율적인 물류 시스템을 통해 신속한 제품 배송을 보장합니다.

르네사스의 REXFET 파워 MOSFET은 고급 분할 게이트 기술을 사용하여 설계되어 낮은 온 저항(RDS(on))과 우수한 성능 지수(FOM)를 제공함으로써 시스템 손실을 줄이고 까다로운 애플리케이션에서 전력 밀도를 향상시킵니다. 르네사스 일렉트로닉스의 REXFET-1 절연 게이트 기술은 낮은 RDS(on)와 스위칭 성능을 우선시하는 애플리케이션에 특히 적합하며, 고전력 및 고주파 애플리케이션에 이상적인 선택입니다.

주요 기술 특징
REXFET-1 시리즈의 핵심 장점은 다음과 같은 측면에서 반영됩니다:
초저온 저항(RDS(on)): 기존 공정 대비 온 저항 약 30% 감소
개선된 게이트 전하(Qg): 게이트 전하 특성 약 10% 개선으로 더 빠른 스위칭 속도에 기여
분리형 게이트 트렌치 구조: 게이트 구조 최적화를 통해 커패시턴스와 게이트 전하를 줄이면서 온 저항을 낮추어 더 높은 스위칭 속도와 낮은 전력 소비 달성
높은 신뢰성: 중전압 애플리케이션에 최적화되어 초저온 저항과 높은 신뢰성 제공

밍지아다 일렉트로닉스는 다음을 포함하되 이에 국한되지 않는 [르네사스] REXFET-1 N채널 파워 MOSFET을 공급합니다:
RBE019N10R1SZPW
RBA015N10R1SBPW
RBE039N15R1SZQ4
RBE039N15R1SZPW
RBE034N15R1SZQ4
RBE210N10R1SZN2
RBE111N10R1SZN2
RBE067N10R1SZN6
RBE037N10R1SZN6
RBE029N10R1SZN6
RBE015N10R1SZQ4
RBE015N10R1SZPV
RBE034N15R1SZPW

RBA500N10EHWT-2UA01
RBA300N10EHPF-5UA02
RBA300N10EANS-3UA02
RBA190N15YANS-3UA04
RBA160N10EANS-4UA03
RBA130N10EANS-4UA04
RBA80N10EANS-4UA07
RBA40N10EANS-5UA11
RBA20N10EANS-5UA21

밍지아다 일렉트로닉스 비즈니스 서비스
공급 서비스: 르네사스 REXFET-1 N채널 파워 MOSFET 전체 라인을 브랜드 신품 및 오리지널 포장 상태로 재고 보유하고 있습니다. R&D용 소량 구매 및 대량 공장 주문 모두를 처리하며, 심천 및 홍콩 창고에서 신속하게 출고됩니다.
재활용 서비스: 르네사스 REXFET-1 시리즈 및 기타 르네사스 파워 MOSFET에 대해 높은 가격을 제공합니다. 신품, 공장 밀봉 재고를 받으며, 엔지니어의 전문적인 평가, 투명한 견적 및 효율적인 결제 처리를 제공합니다.

르네사스 REXFET 파워 MOSFET에 대한 자세한 정보 또는 가격 문의는 밍지아다 일렉트로닉스 웹사이트(https://www.integrated-ic.com/)를 방문하여 더 많은 공급 정보를 확인하십시오.