회사 블로그 Mingjiada는 ROHM Trench-Structure SiC MOSFET, 실리콘 카바이드 MOSFET 공급

밍지아다 공급 ROHM 트렌치 구조 SiC MOSFET, 실리콘-카비드 MOSFET

첸젠 밍기아다 전자제품 회사[ROHM] SiC (실리콘 카바이드) MOSFET의 장기 공급자, TO-247-4L, TO-247N, TO-263-7L, TO-263-7LA, TO-263CA-7LSHYAD, TO-3PFM, TOLL, TSC3PAK 및 기타 많은 포장 시리즈를 포함합니다.Mingjiada Electronics는 소량 샘플과 대용량 주문을 지원합니다., 그리고 효율적인 물류 시스템에 의존하여 빠른 제품 배달을 보장합니다.

SiC (실리콘카바이드) MOSFET
원칙적으로, SiC MOSFET는 스위치 과정에서 꼬리 전류를 생성하지 않으며, 낮은 스위치 손실로 고속 작동을 가능하게합니다.낮은 저항과 컴팩트한 칩 크기는 용량 및 게이트 충전을 낮추는 결과를 가져옵니다.또한, SiC는 열 저항의 최소한의 증가와 같은 훌륭한 물질 특성을 가지고 있습니다.그리고 실리콘 (Si) 장치에 비해 패키지 소형화 및 에너지 효율성 측면에서 우수한 장점을 제공합니다., 온도 상승에 따라 온도 저항이 두 배 이상 증가 할 수 있습니다.

ROHM 4세대 SiC MOSFET
새로 출시 된 4세대 SiC MOSFET는 산업 선도적인 낮은 저항을 달성하면서 단회로 저항 시간을 향상시킵니다.낮은 전환 손실을 특징으로하고 15V의 게이트 소스 전압을 지원합니다., 장비의 추가 에너지 절감에 기여합니다.

밍지아다는 오랫동안 TO-247-4L 패키지에 [ROHM] SiC (실리콘 카바이드) MOSFET을 공급해 왔으며, 그 중에서도 다음을 포함하고 있습니다.
SCT3030AR
SCT3030ARHR
SCT3060AR
SCT3060ARHR
SCT3080AR
SCT3080ARHR
SCT4013DR
SCT4013DRHR
SCT4026DR
SCT4026DRHR
SCT4036DR
SCT4036DRHR
SCT4045DR
SCT4045DRHR
SCT4065DR
SCT4065DRHR
SCT4018KR
SCT4036KR
SCT4036KRHR
SCT3040KR
SCT304OKRHR
SCT4050KR
SCT405OKRHR
SCT4062KR
SCT4062KRHR
SCT3080KR
SCT308OKRHR
SCT4090KR
SCT409OKRHR
SCT3105KR
SCT3105KRHR

ROHM의 SiC (실리콘 카바이드) MOSFET에 대한 자세한 정보 또는 샘플 가격에 대한 문의는 Mingjiada Electronics 웹사이트를 참조하십시오.https://www.integrated-ic.com/공급에 대한 자세한 사항