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회사 블로그 ON NTMFS4925NT1G 30V N 채널 전력 MOSFET 트랜지스터

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중국 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 인증
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ON NTMFS4925NT1G 30V N 채널 전력 MOSFET 트랜지스터
에 대한 최신 회사 뉴스 ON NTMFS4925NT1G 30V N 채널 전력 MOSFET 트랜지스터

ONNTMFS4925NT1G30V N 채널 전력 MOSFET 트랜지스터

 

첸젠 밍기다 전자제품 회사, Ltd전문 전자 부품 유통업체로서, 높은 성능의 NTMFS4925NT1G 30V N 채널 전력 MOSFET 트랜지스터를 제공합니다.NTMFS4925NT1GMOSFET 트랜지스터는 우수한 효율성과 전력 처리 능력으로 전원 공급 장치, 모터 드라이브 및 전력 증폭을 전환하는 데 널리 사용됩니다.

 

제품 개요NTMFS4925NT1G
NTMFS4925NT1G는 첨단 MOSFET 기술로 설계된 30V N 채널 전력 MOSFET이며 고효율 전력 변환 및 스위칭 애플리케이션에 최적화되었습니다.

 

에 대한 최신 회사 뉴스 ON NTMFS4925NT1G 30V N 채널 전력 MOSFET 트랜지스터  0

 

주요 기술 매개 변수NTMFS4925NT1G다음을 포함합니다.
정압 등급: 저전압 고효율 애플리케이션 시나리오용 30V 드레인 투 소스 전압 (VDSS)
켜면 저항: 매우 낮은 RDS (켜면), 전형적인 값은 4.9mΩ@VGS=10V에 불과하며, 저항 손실을 크게 줄입니다.
전류 용량: 최대 60A, 최대 240A까지 연속 배수 전류 (ID)
게이트 충전: 48nC 전체 게이트 충전 (Qg)
패키지: DFN5 (5x6mm) 표면 장착 패키지는 열 성능을 최적화하고 PCB 공간을 절약합니다
작동 온도: 극한 환경에서는 -55°C ~ +175°C의 넓은 온도 범위

 

NTMFS4925NT1G경쟁 제품보다 전력 밀도와 효율성 측면에서 상당한 이점을 제공합니다. 낮은 전원 저항은 전도 손실을 크게 줄입니다.최적화된 게이트 드라이브 특성이 전환 손실을 줄이는 동안, 전체 시스템 효율성을 향상시킵니다.

 

의 특징NTMFS4925NT1G
낮은 RDS (동) 으로 전도 손실을 최소화
드라이버 손실을 최소화하기 위해 낮은 용량
전환 손실을 최소화하기 위해 최적화된 게이트 요금
5V, 12V 게이트 드라이버에 최적화
NTMFS4925NT1G 장치는 Pb, 하로겐/브로미네이트 화염 억제 물질이 없으며 RoHSC를 준수합니다.

 

NTMFS4925NT1G응용 분야
NTMFS4925NT1G 30V N 채널 전력 MOSFET는 뛰어난 성능 매개 변수 덕분에 여러 전자 응용 프로그램에서 중요한 역할을합니다.

 

전력 관리 시스템:
DC-DC 변환기 및 전압 조절 모듈 (VRM)
서버, 워크스테이션 및 고급 컴퓨팅 장치용 전원 공급 장치 설계
전력 변환 효율을 향상시키기 위한 고효율 동기 정제 애플리케이션
각종 IC에 정확한 전압을 공급하기 위한 충전점 (POL) 변환기

 

모터 드라이브 및 제어장치:
드론 및 로봇용 브러쉬리스 DC (BLDC) 모터 드라이브
산업 자동화 장비용 서보 모터 제어
전기 도구용 고효율 전력 전환
자동차 보조 시스템 (예를 들어, 전기 창문, 좌석 조정) 의 구동 회로

 

소비자 전자기기 용품:
노트북과 태블릿 컴퓨터의 전력 관리
고전류 LED 드라이버 및 디밍 제어
휴대용 기기용 고효율 전원 스위치
오디오 전력 증폭기의 출력 단계 설계

 

다른 전문 분야:
배터리 관리 시스템 (BMS) 의 충전 및 방하 제어
태양광 발전 시스템의 전력 최적화 장치
통신 인프라에 대한 전력 분배
산업 자동화 장비용 전원 스위치

선술집 시간 : 2025-04-24 14:29:59 >> 뉴스 명부
연락처 세부 사항
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

담당자: Mr. Sales Manager

전화 번호: 86-13410018555

팩스: 86-0755-83957753

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