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회사 블로그 ON NXH020P120MNF1PG 실리콘 탄화물 MOSFET 반 브릿지 모듈

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중국 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 인증
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제품 설명NXH020P120MNF1PG

NXH020P120MNF1PG20mAh 1200V SiC MOSFET 반브릿지와 F1 모듈에 NTC 열역을 포함하는 SiC MOSFET 모듈입니다.

 

스펙NXH020P120MNF1PG

기술: SiC

장착 방식: FIT 버튼 누르세요

패키지 / 케이스: 모듈

트랜지스터 극성: N 채널

Vds - 배수원 분사 전압: 12kV

id - 연속 배수 전류: 51A

Rds ON - 배수원 저항: 30mOhms

Vgs - 게이트 소스 전압: - 15V, + 25V

Vgs th - 포트 소스 문 전압: 1.8V

최소 작동 온도: - 40C

최대 작동 온도: + 150C

Pd - 전력 분산: 211W

가을 시간: 8.4 ns

상승 시간: 8.8 ns

일반적인 지연 시간: 8.4 ns

정전 지연 시간: 105 ns

일반적인 켜기 지연 시간: 44 ns

 

특징NXH020P120MNF1PG

20m/1200 V SiC MOSFET 반교

테르미스토르

사전 적용 된 열 인터페이스 재료 (TIM) 와 사전 적용 된 TIM 없이 옵션

압축식 핀

 

최종 제품NXH020P120MNF1PG

전기차 충전기

에너지 저장 시스템

태양광 인버터 3단계

끊이지 않는 전력 공급

 

의 적용NXH020P120MNF1PG

태양광 인버터

끊이지 않는 전원 공급 장치

전기차 충전소

산업력

 

도표NXH020P120MNF1PG

에 대한 최신 회사 뉴스 ON NXH020P120MNF1PG 실리콘 탄화물 MOSFET 반 브릿지 모듈  0

선술집 시간 : 2024-12-21 13:13:56 >> 뉴스 명부
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전화 번호: 86-13410018555

팩스: 86-0755-83957753

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