회사 블로그 ON 반도체 실리콘 카바이드 모듈 NXH007F120M3F2PTHG EliteSiC, 7 오hm SiC M3S MOSFET, 1200 V

첸젠 밍기다 전자제품 주식회사 (주) 장기 재활용 ON 반도체 실리콘 탄화물 모듈 NXH007F120M3F2PTHG EliteSiC, 7 오hm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 4 패키지 풀 브리지 토폴로지,F2 패키지

소개

NXH007P120M3F2PTHG는 HPS DBC와 함께 7 mohm / 1200 V SiC MOSFET 풀 브리지와 열역을 포함하는 F2 패키지의 전원 공급 모듈입니다.SiC MOSFET 스위치는 M3S 기술을 사용하여 18V-20V 게이트로 구동됩니다..

특징

우수한 FOM [ = Rdson * Eoss ]

15V에서 18V 게이트 드라이브

7 오프 / 1200 V M3S SiC MOSFET 풀 브리지

신청서

DC로 AC 변환

DC-DC 변환

AC-DC 변환

NXH007F120M3F2PTHG 스케마

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