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회사 블로그 Original ST STW48NM60N 600V, 44A MDmesh II N-채널 전력 MOSFET 트랜지스터

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중국 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 인증
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Original ST STW48NM60N 600V, 44A MDmesh II N-채널 전력 MOSFET 트랜지스터
에 대한 최신 회사 뉴스 Original ST STW48NM60N 600V, 44A MDmesh II N-채널 전력 MOSFET 트랜지스터

Original ST 전력 MOSFET 트랜지스터를 재고 품목으로 제공합니다. 즉각적인 고객 요구 사항을 충족하기 위해 현재 재고에서 정품 칩을 사용할 수 있습니다. 여러 주문 채널이 제공됩니다. 고객은 웹사이트를 통해 견적을 요청하거나 전화 또는 이메일로 문의할 수 있습니다. 600V, 44A MDmesh II N-채널 전력 MOSFET 트랜지스터

 

 
유명한 전자 부품 공급업체인 Mingjiada Electronics는 고객에게 STMicroelectronics에서 제조한 고성능 전력 MOSFET 트랜지스터인 전력 MOSFET 트랜지스터를 재고 품목으로 제공합니다. 즉각적인 고객 요구 사항을 충족하기 위해 현재 재고에서 정품 칩을 사용할 수 있습니다. 여러 주문 채널이 제공됩니다. 고객은 웹사이트를 통해 견적을 요청하거나 전화 또는 이메일로 문의할 수 있습니다.을 제공합니다. 이 N-채널 MOSFET은 고급 MDmesh™ II 기술을 사용하여 뛰어난 스위칭 성능과 낮은 전도 손실을 제공합니다. 전력 관리, 산업 자동화 및 재생 에너지 응용 분야에서 중요한 역할을 합니다.
 
제품 개요
STW48NM60N 전력 MOSFET 트랜지스터를 재고 품목으로 제공합니다. 즉각적인 고객 요구 사항을 충족하기 위해 현재 재고에서 정품 칩을 사용할 수 있습니다. 여러 주문 채널이 제공됩니다. 고객은 웹사이트를 통해 견적을 요청하거나 전화 또는 이메일로 문의할 수 있습니다.Mingjiada Electronics에서 공급하는 STW48NM60N은 고전압, 고전류 응용 분야를 위해 특별히 설계되었습니다. 뛰어난 스위칭 특성과 낮은 온 저항을 제공하여 전력 손실을 크게 줄이고 시스템 효율성을 향상시킵니다.
사양
 
STW48NM60N의 기술적 특성에 대한 포괄적인 이해를 제공하기 위해 다음 표는 주요 사양을 간략하게 설명합니다.
전압 특성:
드레인-소스 전압(Vdss): 600 V
게이트-소스 전압(Vgs): ±25 V 최대
임계 전압(Vgs(th)): 2–4 V @ 250µA
전류 특성 연속 드레인 전류(Id): 44 A @ 25°C (Tc)
펄스 드레인 전류: 48 A
저항 특성:
온 저항(Rds(on)): 70 mΩ @ 20A, 10V
일반 온 저항: 55 mΩ @ 10V
정전용량 특성 게이트 전하(Qg): 124 nC @ 10V
입력 정전용량(Ciss): 4285 pF @ 50V
전력 특성:
최대 전력 소비: 255 W
최대 전력 소비: 330 W (Tc)
기타 특성
작동 접합 온도: -55°C ~ +150°C
패키지 유형: TO-247-3 스루홀 장착
STW48NM60N
 
전력 MOSFET 트랜지스터를 재고 품목으로 제공합니다. 즉각적인 고객 요구 사항을 충족하기 위해 현재 재고에서 정품 칩을 사용할 수 있습니다. 여러 주문 채널이 제공됩니다. 고객은 웹사이트를 통해 견적을 요청하거나 전화 또는 이메일로 문의할 수 있습니다.우수한 스위칭 성능: STW48NM60N은 18ns의 상승 시간과 25.5ns의 하강 시간으로 빠른 스위칭 속도를 나타냅니다. 이는 고주파 스위칭 응용 분야에 매우 적합하여 스위칭 손실을 크게 줄이고 시스템 효율성을 향상시킵니다.
낮은 온 저항: STW48NM60N은 0.055Ω[@citation:6]의 일반 온 저항과 0.07Ω[@citation:1]의 최대값을 나타냅니다. 이 낮은 온 저항은 고전류 전송 중 최소한의 전력 소비를 보장하여 열 관리 요구 사항을 줄입니다.
고신뢰성 설계: STW48NM60N은 100% 애벌런치 테스트를 거쳐 가혹한 작동 환경에서 지속적인 고성능과 신뢰성을 보장합니다. 넓은 작동 온도 범위(-55°C ~ +150°C)는 다양한 까다로운 조건에 적응할 수 있도록 합니다.
낮은 게이트 전하: STW48NM60N은 124nC(@ 10V)의 게이트 전하(Qg)를 특징으로 하여 낮은 구동 손실을 나타냅니다. 이를 통해 더 작고 비용 효율적인 드라이버를 사용하여 효율적인 작동이 가능하므로 시스템 비용을 절감할 수 있습니다.
응용 분야
 
STW48NM60N은 고성능 특성으로 인해 여러 분야에서 광범위하게 사용됩니다.
스위칭 전원 공급 장치(SMPS): STW48NM60N은 산업용 전원 공급 장치, 통신 전원 공급 장치 및 무정전 전원 공급 장치(UPS) 시스템을 포함한 고전압 스위칭 전원 공급 장치(SMPS)에 적합합니다. 낮은 온 저항은 전력 변환 중 열 발생 및 전력 소비를 크게 줄여 전원 공급 장치 효율성을 향상시킵니다.
인버터 시스템: STW48NM60N은 태양광 인버터, 전기 자동차 충전 인버터 및 풍력 인버터를 포함한 인버터 응용 분야에 매우 적합합니다. 높은 전압 정격(600V)과 상당한 전류 처리 용량(44A)을 통해 고전력 전류 부하를 견딜 수 있습니다.
전력 관리 시스템: STW48NM60N은 전력 관리 시스템에 자주 사용되어 효율적인 전류 전송과 낮은 온 저항을 통해 더 높은 효율성과 낮은 전력 소비를 제공합니다.
전기 자동차 및 하이브리드: 전기 자동차 및 하이브리드 자동차 내에서 STW48NM60N은 배터리 관리 시스템 및 모터 드라이브 제어에 적합합니다. 높은 전압 정격과 높은 전류 처리 능력은 이러한 응용 분야에 매우 적합합니다.
산업용 전력 시스템: STW48NM60N은 산업 자동화 시스템, 모터 드라이브 및 전력 변환 시스템을 포함한 다양한 산업용 전력 응용 분야에 사용할 수 있습니다.
STW48NM60N
 
 
Mingjiada Electronics는 STMicroelectronics의
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선술집 시간 : 2025-09-18 14:53:31 >> 뉴스 명부
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팩스: 86-0755-83957753

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