회사 블로그 원본 TI UCC21550BQDWRQ1 자동차 강화 된 격리 듀얼 채널 게이트 드라이버

원본 TI UCC21550BQDWRQ1 자동차 강화 된 격리 듀얼 채널 게이트 드라이버

설명
UCC21550BQDWRQ1는 프로그램 가능한 정전 시간 및 넓은 온도 범위를 갖춘 격리 된 듀얼 채널 게이트 드라이버입니다. 장치는 전력 MOSFET을 구동하기 위해 4A 최고 당기 전류와 6A 최고 충전 전류를 사용합니다.SiC, GaN, 그리고 IGBT 트랜지스터

UCC21550BQDWRQ1는 두 개의 낮은 측면 드라이버, 두 개의 높은 측면 드라이버 또는 반 브리지 드라이버로 구성될 수 있습니다.입구 쪽은 최소 125V/ns의 공통 모드 일시 면역 (CMTI) 으로 5kVRMS 격리 계층으로 두 출력 드라이버에서 격리됩니다..

특징
유니버설: 이중 채널 저쪽, 이중 채널 고쪽 또는 반 브릿지 드라이버
AEC-Q100 표준에 따라 다음의 특성을 갖는다.
장치 온도 레벨 1
HBM ESD 클래스 H2
CDM ESD 클래스 C4B
분기 온도 범위: -40 °C ~ +150 °C
최대 4A 최고 당기 전류 및 6A 최고 충전 전류 출력
일반 모드 일시적 면역 (CMTI) 125V/ns 이상
최대 25V VDD 출력 드라이브 전력
5V 또는 8V VDD UVLO 옵션
스위치 파라미터:
33ns 전형적인 번식 지연
5ns 최대 펄스 너비 왜곡
10μs 최대 VDD 켜기 지연
모든 전원 공급 장치에 대한 UVLO 보호
전력 타이밍을 위한 빠른 비활성화

신청서
자동차 배터리 충전기
고전압 DC/DC 변환기
자동차 HVAC, 보디 전자제품