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회사 블로그 pSemi PE42722B-Z HaRP™ 기술이 향상된 반사형 단극 쌍투 RF 스위치

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중국 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 인증
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pSemi PE42722B-Z HaRP™ 기술이 향상된 반사형 단극 쌍투 RF 스위치
에 대한 최신 회사 뉴스 pSemi PE42722B-Z HaRP™ 기술이 향상된 반사형 단극 쌍투 RF 스위치

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.는 정품, 원본 pSemi의 장기적인 재고를 유지PE42722B-Z반사성 단일극 이중 투사 (SPDT) RF 스위치

 

PE42722B-Z제품 설명
PE42722B-Z는 HaRPTM 향상된 반사 단극 이중 투사 (SPDT) RF 스위치입니다. 그것은 DOCSIS 3.0/3를 포함한 케이블 애플리케이션에 특별히 설계되었습니다.1pSemi의 UltraCMOS® 프로세스 기술을 사용하여 개발된 이 장치는 높은 선형성과 뛰어난 RF 성능을 제공합니다.

 

사양
제품 모델:
PE42722B-Z
제조사: pSemi
제품 설명: 반사 SPDT RF 스위치 UltraCMOS® 및 HaRPTM 기술로 강화
스위치 구성: SPDT (Single Pole Double Throw)
주파수 범위: 5MHz ~ 1.794GHz
삽입 손실: 0.85 dB (기반)
상태 밖 격리: 29 dB (기반)
기술 특성: UltraCMOS®, HaRPTM 기술 강화
패키지 종류: 32핀 5x5mm QFN
작동 온도: -40°C ~ +85°C

 

PE42722B-Z기능적 특징
고성능 RF 특성: PE42722B-Z는 5MHz에서 1.794GHz까지의 광범위한 주파수 범위에서 뛰어난 성능을 제공하며 일반적인 삽입 손실은 0.85 dB 및 29 dB의 전형적인 종료 격리이것은 신호가 PE42722B-Z를 통과 할 때 최소한의 신호 손실과 효과적인 격리를 보장합니다.
첨단 HaRPTM 기술: PE42722B-Z에 통합된 HaRPTM 기술은 선형성을 크게 향상시키고 하모닉 반사를 줄여 우수한 신호 무결성을 제공합니다.
UltraCMOS® 프로세스: 특수 실리콘-온-이솔레이터 (SOI) 기술을 사용하여 제조됩니다.PE42722B-Z는 갈륨 아르세나이드 (GaAs) 의 성능을 CMOS 프로세스의 비용 효율성과 결합합니다..
환경 친화적: PE42722B-Z는 친환경 표준을 준수하고 습도에 민감합니다.

 

전형적 사용법
넓은 주파수 범위와 높은 선형성으로,
PE42722B-Z다양한 RF 애플리케이션에 이상적으로 적합합니다.
케이블 TV 네트워크 장비: 텔레비전 튜너, 셋톱 박스 (STB) 및 DOCSIS 호환 케이블 고객 시설 장비 (CPE) 에 적합합니다.
광대역 통신 시스템: 디지털 텔레비전 (DTV), 디지털 비디오 레코더 (DVR) 및 고주파 신호 전환을 요구하는 다른 응용 프로그램에서 사용할 수 있습니다.
테스트 및 측정 장비: 다양한 RF 테스트 플랫폼을 위한 보편적 광대역 RF 스위치로 사용됩니다.

 

PE42722B-Z, Mingjiada Electronics에서 사용할 수 있으며, 뛰어난 성능과 광범위한 응용 범위로 인해 RF 통신 및 광대역 장비에 이상적인 선택을 나타냅니다.

 

그림 1 •PE42722B-Z기능 도표

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당신이 pSemi의 조달에 관심이 있거나 필요PE42722B-Z, 다음 채널을 통해 Mingjiada Electronics에 문의하십시오:
연락처: 첸 씨
전화: +86 13410018555
이메일: sales@hkmjd.com
주소: 서울특별시 서초구 서초동 신아시아 구리빌딩 1239-1241
웹사이트:
www.integrated-ic.com

선술집 시간 : 2025-10-10 11:08:19 >> 뉴스 명부
연락처 세부 사항
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

담당자: Mr. Sales Manager

전화 번호: 86-13410018555

팩스: 86-0755-83957753

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