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회사 블로그 Infineon 게이트 드라이버 재활용: 하프 브리지/하이 사이드/로우 사이드/절연 게이트 드라이버

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중국 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 인증
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Infineon 게이트 드라이버 재활용: 하프 브리지/하이 사이드/로우 사이드/절연 게이트 드라이버
에 대한 최신 회사 뉴스 Infineon 게이트 드라이버 재활용: 하프 브리지/하이 사이드/로우 사이드/절연 게이트 드라이버

Infineon 게이트 드라이버 재활용: 하프 브리지/하이 측/로우 측/절연 게이트 드라이버

 

심천 Mingjiada 전자 유한 공사,전자 부품 재활용 분야에서 20년 이상의 경험을 보유한 전문 서비스 제공업체는 글로벌 비즈니스 네트워크, 전문 기술 팀 및 표준화된 서비스 프로세스를 통해 전자 부품 재활용에 대한 포괄적인 보증을 제공합니다.

 

Mingjiada의 재활용 장점:

첫째, 즉시 현금결제가 가능한 고부가가치 재활용입니다. Mingjiada는 글로벌 공급망 네트워크와 실시간 시장 모니터링을 활용하여 전자 부품에 대해 경쟁이 치열한 업계 견적을 제공하는 동시에 가격 억제나 공제를 엄격히 피합니다. 현금, 계좌이체 등 다양한 결제 방식을 지원해 신속한 결제가 가능하도록 지원함으로써 고객의 묶인 자본을 신속하게 해소하고 재고 회전율 효율성을 최적화할 수 있도록 지원합니다.

 

둘째, 전문적인 테스트와 정확한 평가입니다. 이 회사는 기능 테스트를 수행하고 제품 진위 여부를 확인하기 위해 전용 칩 테스트 팀과 전체 테스트 장비 제품군을 갖추고 있습니다. X-Ray 검사를 통해 웨이퍼 레이어의 무결성을 보장하고 제품 등급을 정확하게 결정하며 공정한 평가를 제공합니다. 우리는 양 당사자의 이익을 보호하기 위해 리퍼브 제품이나 위조 제품을 거부합니다.

 

셋째, 편리한 거래를 위한 글로벌 네트워크입니다. 당사의 재활용 네트워크는 일본, 홍콩, 러시아, 유럽 및 미주 지역에 수거 지점을 두고 국내 및 국제 시장에 걸쳐 있으며 전 세계의 배송을 지원합니다. 현장수거, 택배배송 등 다양한 거래방식을 지원합니다. 프로세스가 간소화되어 고객이 번거로운 절차를 거치지 않고 '신속한 연결과 효율적인 재활용'을 달성합니다.

 

재활용 가이드

Mingjiada Electronics는 최소 수량 요구 사항 없이 전자 부품을 재활용합니다. 우리는 새 제품, 공장에서 밀봉된 품목을 포함한 모든 유형의 제품을 허용합니다. 느리게 움직이는 주식; 잉여 엔지니어링 재료; 해체된 유휴 장비에서 회수된 서비스 가능한 제품. 고객은 신속한 견적을 받기 위해 제품 모델, 수량 및 사양(예: 포장, 주파수, 버전)과 같은 기본 정보만 제공하면 됩니다. 양 당사자가 견적을 확인하면 Mingjiada는 즉시 수집, 테스트 및 결제를 준비하여 전체 프로세스가 완전히 투명하고 관리 가능하도록 보장합니다. 20년 이상의 업계 경험을 바탕으로 Mingjiada는 전 세계 수천 개의 공장 및 무역업체와 장기적이고 안정적인 파트너십을 구축했습니다. 전자부품 재활용 분야에서 '정직성, 전문성, 편의성'으로 탁월한 평가를 받아 고객에게 보다 정확하고 효율적인 재고 솔루션을 제공하고 있습니다.

 

에 대한 최신 회사 뉴스 Infineon 게이트 드라이버 재활용: 하프 브리지/하이 사이드/로우 사이드/절연 게이트 드라이버  0

 

I. 로우 측 게이트 드라이버: 간단하고 효율적인 로우 엔드 스위칭 드라이브 솔루션

1. 작동원리 및 주요특징

로우사이드 게이트 드라이버는 구조 측면에서 가장 간단한 전력 드라이버 장치입니다. 드라이버 단자는 전원 장치의 게이트에 연결되고 전원 장치의 소스는 직접 접지됩니다. 드라이버 회로는 전원 접지와 공통 접지를 공유하므로 플로팅 전원 공급 장치 설계가 필요하지 않습니다. 이들의 핵심 장점은 매우 단순한 회로, 저렴한 비용 및 디버깅 용이성에 있습니다. 복잡한 레벨 변환이나 절연 회로가 필요 없이 저전압 신호 증폭과 게이트 충전/방전 기능만 필요합니다.

Infineon의 로우 측 드라이버는 표준 CMOS/LSTTL 로직과 호환되며 3.3V 저전압 제어 시스템용으로 설계되었습니다. 이 제품은 회로 잡음으로 인한 거짓 트리거링을 효과적으로 억제하는 통합 간섭 방지 슈미트 트리거 회로를 갖추고 있습니다. 또한 UVLO(저전압 차단), 과전류 보호, 액티브 게이트 차단과 같은 필수 보호 기능을 통합하여 전력 장치의 안정적인 작동을 보장합니다.

 

2. 주요 제품 및 기술 사양

Infineon의 로우 측 드라이버는 주로 중소 전력 범위의 범용 애플리케이션을 위해 설계되었습니다. 클래식 제품 범위는 다양한 구동 전류 및 채널 구성을 포괄합니다. 단일 채널 및 이중 채널 로우 측 드라이버는 1A ~ 9A 범위의 피크 싱크/소스 전류로 여러 로우 측 스위치에 대한 제어 요구 사항을 충족할 수 있으므로 중소형 전력 MOSFET 및 IGBT를 구동하는 데 적합합니다. 성숙한 제조 공정을 기반으로 하는 이 제품은 전파 지연과 스위칭 손실이 매우 낮아 고주파, 경량 애플리케이션에 이상적입니다.

 

3. 일반적인 응용 시나리오

스위칭 전원 공급 장치의 2차 정류기 드라이브, LED 조명 드라이버, 릴레이/접촉기 스위칭 제어, 저가형 모터 속도 제어 및 자동차 저전압 스위칭 회로를 포함하여 전원 장치가 접지되는 회로 토폴로지에 주로 사용됩니다. 이는 소비자 가전 및 산업용 애플리케이션 모두에서 중소 전력 비절연 회로에 선호되는 드라이브 솔루션입니다.

 

II. 하이 측 게이트 드라이버: 부동 전위를 갖춘 정밀 하이 측 드라이브 솔루션

1. 작동원리 및 주요특징

로우 측 드라이버와 달리 하이 측 게이트 드라이버는 회로 토폴로지에서 부하의 상단과 버스의 고전압 측에 위치한 전력 장치를 구동하는 데 사용됩니다. 전원 장치의 소스는 접지되지 않은 플로팅이므로 저전압 논리 신호를 플로팅 고전압 구동 신호로 변환하려면 레벨 변환 기술이 필요합니다. Infineon의 하이사이드 드라이버에는 SOI(Silicon-on-Insulator) 기술이 탑재되어 있어 음전압에 대한 탁월한 저항력을 제공합니다. 일부 모델은 VS 핀에서 -11V의 DC 네거티브 전압을 견딜 수 있어 스위칭 노이즈로 인한 장치 고장을 효과적으로 억제할 수 있으며, 기존 공정을 사용하여 제조된 제품보다 노이즈 내성과 내구성이 훨씬 뛰어납니다.

이 드라이버에는 전용 레벨 변환 회로와 부동 전압 조정 회로가 통합되어 있어 고전압 버스의 부동 전위에 정확하게 일치시킬 수 있습니다. 또한 UVLO, 단락 보호 및 오류 피드백 기능을 통합하여 고전압 플로팅 드라이브 애플리케이션과 관련된 레벨 오프셋, 잡음 간섭 및 잘못된 스위칭 문제를 해결합니다.

 

2. 핵심제품 및 기술적 장점

Infineon의 하이사이드 드라이버는 600V ~ 1,200V 범위의 고전압 작동 조건을 지원하고 고전압 MOSFET, IGBT 및 SiC 장치와 호환됩니다. 이 제품은 높은 타이밍 정확도, 낮은 온도 드리프트 및 우수한 전파 지연 일관성을 갖추고 있어 정밀한 고주파 스위칭 제어가 가능합니다. 일부 고급 모델에는 프로그래밍 가능한 데드 타임과 소프트 스위치 기능이 통합되어 있어 고전압 스위칭에서 전압 스파이크와 전자기 간섭을 효과적으로 억제합니다.

 

3. 일반적인 응용 시나리오

단상/3상 인버터용 하이사이드 브리지 암 드라이브, 고전압 벅/부스트 컨버터, 하이사이드 모터 속도 제어 회로, 광전지 마이크로 인버터 및 자동차 고전압 전원 공급 시스템을 비롯한 고전압 하이사이드 스위칭 토폴로지에 널리 사용되며 모두 플로팅 고전압 드라이버가 필요합니다.

 

III. 하프 브리지 게이트 드라이버: 통합 하이 측 및 로우 측 드라이브 솔루션

1. 제품 포지셔닝 및 주요 장점

하프 브리지 게이트 드라이버는 Infineon EiceDRIVER™ 시리즈의 대표적인 범용 제품입니다. 이 제품은 두 개의 독립적인 드라이브 채널(하이 측 및 로우 측)을 단일 칩에 통합하고 하프 브리지 전원 토폴로지를 위해 특별히 설계되었습니다. 개별 하이 측 및 로우 측 드라이버와 비교하여 통합 하프 브리지 드라이버는 두 채널 간의 추가 타이밍 정렬이 필요하지 않습니다. 이 제품에는 전도를 방지하는 하드웨어 인터록 로직이 내장되어 있어 상부 및 하부 브리지 암의 동시 전도로 인한 고장 위험을 완전히 제거하여 회로 설계를 크게 단순화하고 PCB 면적을 줄이고 부품 비용을 낮춥니다.

전체 제품군은 Infineon의 검증된 박막 SOI 기술을 기반으로 하며 간섭에 대한 탁월한 내성, 음전압 허용 오차 및 고전압 안정성을 제공하므로 고주파수, 고전압 및 간섭이 심한 산업 환경에 적합합니다. 입력은 3.3V 로직 레벨과 호환되므로 주류 MCU 및 DSP 제어 시스템에 적합합니다.

 

2. 핵심 핵심 제품 시리즈

- 2ED21xx 시리즈: 2ED2106S06F 및 2ED21091S06F를 포함한 대표적인 모델이 포함된 클래식 600V 고전압 하프 브리지 드라이버. 이 제품은 -11V의 음전압 허용 오차를 지원하고 뛰어난 잡음 내성을 제공하며 중전력 및 고전력 MOSFET 및 IGBT에 적합한 피크 구동 전류를 제공합니다. 이 제품은 산업용 전원 공급 장치 및 가전 제품의 가변 주파수 드라이브와 같은 응용 분야를 포함하여 매우 다재다능합니다.

- 2ED2304S06F: 슈미트 트리거 입력과 고정밀 인터록 로직을 통합하여 교차 전도를 최소화하고 스위칭 안정성을 크게 향상시키는 650V 고전압 하프 브리지 드라이버입니다. 중소전력 고주파 스위칭 전원 공급 장치에 적합합니다.

- IR2214SS: DESAT 단락 감지, 소프트 셧다운, TLTO 온도 잠금 및 오류 보고 등 전체 보호 기능을 통합한 1200V 고전압 하프 브리지 드라이버로, 고전압, 고전력 산업용 인버터 장비용으로 특별히 설계되었으며 IGBT 및 고전압 SiC 장치와 호환됩니다.

- IRS21844S: 1.9A 싱크 전류 및 2.3A 소스 전류의 구동 성능을 갖춘 프로그래밍 가능 데드 타임을 갖춘 600V 범용 하프 브리지 드라이버입니다. 다양한 패키지 옵션으로 제공되며 기존 산업용 가변 주파수 드라이브 및 스위칭 전원 공급 장치 애플리케이션에 적합합니다.

 

3. 일반적인 응용 시나리오

가변 주파수 에어컨, 인덕션 호브, 스위칭 전원 공급 장치, DC-DC 컨버터, 단상 인버터, 저전압 서보 모터 드라이브 및 자동차 하프 브리지 전원 회로를 포함한 하프 브리지 토폴로지 애플리케이션을 포괄적으로 다룹니다. 이는 가전제품 및 산업 자동화 분야에서 가장 널리 사용되는 게이트 드라이버 카테고리입니다.

 

IV. 절연 게이트 드라이버: 신뢰성이 높은 전기 절연 드라이브 솔루션

1. 기술적 포지셔닝 및 핵심가치

절연 게이트 드라이버는 Infineon의 고급 전력 드라이브 포트폴리오의 핵심 제품입니다. 칩 레벨 전기 절연 기술을 통해 저전압 제어 측과 고전압 전원 측 사이의 완전한 전기 절연을 달성함으로써 고전압 누화, 접지 전위 교란 및 공통 모드 간섭으로 인한 제어 시스템의 손상을 완전히 방지합니다. 비절연형 드라이버에 비해 더 높은 안전성, 간섭에 대한 내성, 신뢰성을 제공하므로 고전압, 고잡음 및 높은 안전 수준 애플리케이션을 위한 필수 구성 요소입니다.

Infineon의 절연형 드라이버는 접합 절연과 용량성 절연이라는 두 가지 주요 기술 접근 ​​방식으로 분류됩니다. 전체 EiceDRIVER™ 2EDi 시리즈 절연 제품은 초고공통 모드 과도 내성(CMTI)을 특징으로 하며 일부 고급 모델은 150V/ns에 도달하여 GaN 및 SiC와 같은 고주파수, 넓은 밴드갭 장치의 고속 스위칭 조건에 완벽하게 적합합니다.

 

2. 핵심 제품 및 기술 하이라이트

- 2EDi 듀얼 채널 절연 시리즈: 하프 브리지 토폴로지를 위해 특별히 설계된 듀얼 채널 절연 드라이버이며 전체 CoolMOS™, CoolSiC™ 및 CoolGaN™ 전력 장치와 호환됩니다. 이 제품은 하드 스위칭 및 소프트 스위칭 토폴로지를 모두 지원하여 전력 변환 효율성을 최적화하고 공칭 및 비정상 조건 모두에서 안정적인 작동을 보장합니다.

- 2EDB8259Y: GaN용으로 특별히 설계된 고성능 절연 드라이버로, 5A/9A의 높은 피크 싱크 및 소스 전류, 38ns의 초단거리 전파 지연, 최소한의 온도 드리프트 및 타이밍 오류, 매우 높은 CMTI 내성을 특징으로 합니다. 고주파, 고출력 신에너지 장비에 적합합니다.

- 1ED3131MU12H: 연면 거리가 넉넉한 DSO-8 와이드 바디 패키지로 제공되는 소형 단일 채널 절연 드라이버입니다. 독립적인 싱크/소스 전류 출력, 입력 필터링, 능동 차단 및 단락 클램핑 기능을 통합하여 고전압 IGBT 및 SiC MOSFET 드라이브 애플리케이션에 적합합니다.

- 2EDL8034G4B: 고집적 및 콤팩트한 폼 팩터를 특징으로 하는 120V 접합 절연 하이 측 및 로우 측 드라이버로 중소 전력 범위의 고주파 절연 드라이브 애플리케이션에 적합합니다.

 

3. 일반적인 응용 시나리오

광전지 인버터, 에너지 저장 변환기, 신에너지 차량 전자 제어 시스템, 산업용 서보 드라이브, 고전압 가변 주파수 드라이브, 의료용 전원 공급 장치 및 철도 운송 전력 시스템을 포함하여 높은 신뢰성, 높은 안전성 및 강력한 간섭에 대한 저항이 요구되는 산업 및 신에너지 응용 분야에 중점을 둔 이러한 장치는 고전압 항복, 전자기 간섭 및 누설 전류와 관련된 안전 위험을 효과적으로 완화합니다.

선술집 시간 : 2026-09-18 16:21:47 >> 뉴스 명부
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