회사 블로그 MACOM GaN 제품 재활용: GaN MMIC, GaN 전력 증폭기

MACOM GaN 제품 재활용: GaN MMIC, GaN 전력 증폭기

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.,중국의 선도적인 전자 부품 재활용 서비스 제공업체로서, 광범위한 업계 경험과 글로벌 재활용 네트워크를 활용하여 전문적인 재활용 서비스를 제공하고, 고객이 재고 자산을 최적화하고 현금 흐름을 개선하도록 돕습니다.

재활용 제품 포함:5G 칩, 신에너지 IC, IoT IC, Bluetooth IC, 차량 네트워킹 IC, 자동차 등급 IC, 통신 IC, 인공 지능 IC 등. 또한, 회사는 메모리 IC, 센서 IC, 마이크로컨트롤러 IC, 트랜시버 IC, 이더넷 IC, WiFi 칩, 무선 통신 모듈, 커넥터 및 기타 전자 부품을 공급합니다.

재활용 과정:

1. 상담: 처분해야 할 재고 전자 부품이 있는 경우, 판매하려는 IC/모듈 목록을 이메일로 보낼 수 있습니다.

2. 현장 재활용: 당사는 전문 직원을 파견하여 현장에서 재고 전자 부품을 수집하고 부품의 예비 테스트 및 분류를 수행합니다.

3. 견적: 회사는 재활용 부품의 유형, 수량 및 품질과 같은 요소를 기반으로 해당 재활용 가격을 제공합니다.

4. 정산: 양 당사자가 합의에 도달하면 배송을 위해 특정 거래 방법을 협상할 수 있습니다.

MACOM 질화 갈륨 MMIC 제품

MACOM의 GaN MMIC 제품 포트폴리오는 업계 성능의 최첨단을 나타냅니다. GaN-on-SiC(탄화 규소 기반 GaN) 및 GaN-on-Si(실리콘 기반 GaN) 공정 기술을 채택하여 MACOM은 위상 배열 레이더에서 위성 통신 및 정밀 테스트 및 측정 장비에 이르기까지 다양한 응용 분야를 위한 차세대 시스템 아키텍처를 지원합니다.

MACOM의 GaN MMIC 제품은 주로 다음 범주를 포함합니다.:

GaN 분산 증폭기

초광대역 성능: DC에서 40GHz 이상 주파수 대역을 커버하며, 우수한 이득 평탄도(일반 값 ±1dB 이내)를 제공하여 전자전, 광대역 통신, 테스트 및 측정과 같은 응용 분야의 광대역 요구 사항을 충족합니다.

고전력 밀도: GaN 재료의 높은 항복 전압 특성을 활용하여 동일한 칩 면적에서 기존 GaAs 장치보다 3-5배 높은 출력 전력을 제공하며, 일반적인 전력 밀도는 4-6W/mm에 이릅니다.

우수한 선형성: OIP3는 일반적으로 35dBm을 초과하여 복잡한 변조 신호의 고충실도 증폭에 적합합니다.

온도 안정성: 내장된 온도 감지 및 보상 회로는 -40°C ~ +85°C의 넓은 온도 범위에서 안정적인 성능을 보장합니다.

소형 패키징: 주로 QFN 또는 세라믹 표면 실장 패키징을 사용하며, 시스템 통합이 용이하도록 소형 크기를 제공합니다.

질화 갈륨 프론트 엔드 모듈

고도로 통합된 설계: 단일 모듈은 송수신 기능(LNA, PA, 스위치 등)을 통합하여 보드 공간과 상호 연결 손실을 줄입니다.

우수한 전력 효율: 최대 30-45%의 전체 효율로 시스템 전력 소비 및 열 요구 사항을 줄입니다.

광대역 커버리지: UHF에서 Ka 밴드까지 여러 주파수 대역 구성을 지원합니다.

높은 선형 성능: 최적화된 회로 설계는 복잡한 변조 신호에서 모듈 선형성을 보장하며, 우수한 ACLR 및 EVM 메트릭을 제공합니다.

단순화된 시스템 설계: 내장된 매칭 네트워크 및 바이어스 회로는 외부 부품 수를 줄입니다.

이러한 고급 GaN MMIC 제품은 일반적으로 5G 통신 기지국(특히 밀리미터파 대역의 대규모 MIMO 능동 안테나 시스템), 군사 레이더 시스템(X-밴드 및 Ku-밴드 위상 배열 레이더용 TR 모듈), 위성 통신 터미널(휴대용 및 차량 탑재 장치) 및 중요한 응용 분야의 전자전 장비에서 발견됩니다.

MACOM GaN 전력 증폭기

GaN 전력 증폭기는 MACOM의 MMIC 제품 라인에서 가장 기술적으로 진보되고 응용 가치가 높은 제품 범주입니다. 이러한 제품은 GaN 재료의 높은 항복 전계 강도 및 높은 전자 포화 속도 특성을 최대한 활용하여 기존 반도체 재료가 일치하기 어려운 마이크로파 주파수 대역에서 높은 전력 출력과 효율을 달성합니다.

MACOM GaN 전력 증폭기의 주요 유형:

기술 성능 특징

높은 출력 전력: C-밴드에서 수백 와트의 펄스 전력 출력을 달성하고 X-밴드에서 수십 와트의 연속파 전력을 달성하며, 전력 밀도는 GaAs 및 Si LDMOS 장치보다 훨씬 높습니다.

고효율 작동: 고조파 튜닝 및 엔벨로프 트래킹과 같은 고급 기술을 활용하여 50-60%의 전력 부가 효율(PAE)을 달성하여 시스템 에너지 소비를 크게 줄입니다.

광대역 기능: 순간 대역폭은 중심 주파수의 10-15%에 도달하여 광대역 신호 증폭을 지원하고 주파수 대역 전환의 필요성을 줄입니다.

높은 신뢰성: 평균 고장 시간(MTTF)이 100만 시간을 초과하여 항공 우주 및 방위 응용 분야의 엄격한 요구 사항을 충족합니다.

온도 안정성: 접합 온도 작동 범위는 최대 225°C이며, 고온에서 성능 저하가 최소화되어 고전력 밀도 응용 분야에 적합합니다.

일반적인 응용 분야

레이더 시스템: 군사 화력 통제 레이더, 기상 레이더 및 항공 교통 관제 레이더의 최종 단계 전력 증폭으로 탐지 범위 및 해상도 향상

5G 매크로 기지국: 3.5GHz 및 4.9GHz 대역의 고전력 원격 무선 장치(RRU)로, GaN PA는 높은 효율을 제공하여 기지국 에너지 소비 및 운영 비용을 절감합니다.

위성 통신: 지상국용 고전력 증폭기(HPA)로 Q/V 밴드에서 고처리량 위성 통신 지원

전자전 시스템: 고전력 재밍 송신기의 핵심 구성 요소로 적의 통신 및 레이더 시스템의 효과적인 억제 가능

산업 가열: 재료 처리 및 식품 가공 산업 등에서 사용되는 마이크로파 에너지 응용 분야의 전원