회사 블로그 재활용 마이크로칩 IGBT 모듈: IGBT 트렌치 3, IGBT 트렌치 4, IGBT 트렌치 5

마이크로칩 IGBT 모듈을 재활용합니다:IGBT 트렌치 3,IGBT 트렌치 4,IGBT 트렌치 5

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재활용 의 장점:

1가격 및 재정적 이점

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급속한 지불: 현금, 송금 및 여러 통화 결제 지원으로 검사 후 24~48시간 이내에 결제가 완료됩니다.

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2전문적인 평가 및 품질 관리

경험 많은 팀: 우리의 엔지니어 팀은 모델 번호, 대량 번호, 포장 유형 및 품질 조건을 신속하게 식별하기 위해 무료 테스트 서비스를 제공합니다.

투명한 가격: 우리는 글로벌 시장 추세, 희소성, 응용 시나리오 및 제품 상태에 기초하여 정확한 요금을 제공합니다.

3제품 카테고리 및 적용 범위

포괄적인 커버리지: 5G, 새로운 에너지, 자동차 등급, 인공지능, 스토리지, 센서, MCU, 통신 IC, 무선 모듈 등

광범위한 응용 분야: 산업, 자동차, 통신, IoT, 소비자 전자, 위성 통신 등

4서비스 및 거래 장점

글로벌 네트워크: 첸젠, 홍콩, 일본, 러시아, 유럽, 미국 및 대만에 있는 사무실을 통해 글로벌 배달 서비스를 제공합니다.

유연한 거래: 현금 구매, 사무실에서 수집, 송금 판매, 송금 장치, 재고 정류 및 재고 관리.

효율적인 프로세스: 문의 → 평가 → 가격 → 물류 → 검사 → 결제

원스톱 서비스: 재고 분류, 재고 목록 조직, 코팅, 물류 및 유통의 종합 처리.

5보안 및 준수

합법적 인 소스: 우리는 준수 사항을 보장하기 위해 제조업체, 유통업체 및 상인과 같은 합법적 인 채널에서 독점적으로 공급합니다.

데이터 보안: 표준화된 데이터 삭제 메커니즘은 고객들의 상업 정보와 사생활을 보호합니다.

I. 기술 기본: 트렌치 IGBT의 주요 장점

전력전자 분야에서 핵심 부품으로,단열 게이트 양극 트랜지스터 (IGBT) 는 MOSFET의 고효율 스위칭 특성을 양극 트랜지스터의 고전압 및 고전류 처리 기능과 결합합니다.산업용 모터 드라이브, 재생 에너지 시스템, 전기 차량 (EV) 및 전력 네트워크에 널리 사용됩니다. 마이크로칩 텐치 3,트렌치 4 및 트렌치 5 모두 트렌치 게이트와 필드 스톱 (트렌치 + FS) 코어 구조를 사용합니다.전통적인 평면 IGBT와 비교하면, 트렌치 구조는 전자 채널을 실리콘 표면에 세로로 방향을 설정함으로써 JFET 구조의 영향을 제거합니다.이것은 표면 채널 밀도를 효과적으로 증가시키고 표면 근처 운반자 농도를 향상시킵니다., 따라서 정전 상태 전압 하락, 전환 속도 및 열 안정성에서 상당한 최적화를 달성합니다.이 IGBT 모듈은 단일 패키지 내에서 여러 IGBT 칩과 자유 바퀴 다이오드를 통합합니다., 콤팩트한 구조, 낮은 전력 손실 및 강한 열 안정성 등의 특징을 제공하여 중 및 고전압 전력 애플리케이션의 주류 선택이됩니다.

기술 진화의 관점에서, 제3세대 제품들 사이의 주요 차이점은 최적화된 칩 구조, 조정된 도핑 농도,포장 프로세스 개선 및 기생물 매개 변수 통제이것은 점차적으로 "저하 손실, 더 높은 전력 밀도 및 더 넓은 응용 범위"의 개발 목표를 실현했습니다.고객들의 시스템 업그레이드와 반복을 용이하게 하기 위해 우수한 호환성을 유지하면서.

II. 마이크로 칩 IGBT 트렌치 3: 성숙하고 안정적인 엔트리 레벨 솔루션

주요 기술 특성

마이크로칩의 엔트리 레벨 트렌치 IGBT로, IGBT 트렌치 3는 2001년경 출시되었다.신뢰성 및 비용 관리, 중저전압, 중저주파수 애플리케이션에 대한 비용 효율적인 솔루션을 제공합니다. 최적화된 채널 디자인을 통해그 칩 구조는 작동 상태 전압 하락을 효과적으로 감소시킵니다 (VCE(sat)), 전통적인 평면 IGBT에 비해 훨씬 낮은 전도 손실을 초래합니다. 또한 필드 스톱 레이어를 도입하면 운반기 저장 효과를 줄입니다.이전 세대 제품과 비교하여 전환 속도를 향상시키고 턴 오프 꼬리 전류를 어느 정도 억제합니다..

포장 디자인 측면에서, 트렌치 3 모듈은 표준화된 패키지를 사용 (SP1F 및 SP3F와 같이), 다양한 토폴로지를 지원 (일체 스위치, 반 브릿지 등),중저전압 범위를 커버합니다., 중저전력 애플리케이션에 적합한 전류 등급을 갖추고 있으며, 우수한 다재다능성과 교환성을 제공합니다.모듈은 낮은 전자기 간섭 (EMI) 방사선과 낮은 게이트 전하를 갖추고 있습니다., 복잡한 버퍼 회로의 필요성을 제거하는 간단한 드라이브 회로 디자인을 가능하게하여 시스템 설계 비용과 복잡성을 줄입니다.

주요 장점

- 탁월한 신뢰성: 장기적인 시장 검증으로 입증 된 -40 °C에서 125 °C 운영 온도 범위에서 안정적인 전기 성능을 제공합니다.간섭에 강한 면역력, 높은 신뢰성 요구 사항의 산업용 용도로 적합합니다;

- 제어 가능한 비용: 성숙한 칩 제조 및 포장 프로세스를 사용하여 비용 성능에 대한 분명한 이점을 제공합니다.중저가급 전력 장비에 대용량 배치에 적합하게 만드는;

- 간단한 드라이브: 게이트 드라이브 전압은 산업 표준에 부합하며, 낮은 드라이브 손실과 복잡한 드라이브 보호 회로의 필요성이 없으며, 이로 인해 시스템 설계가 단순화됩니다.

- 안정적인 매개 변수: VCE (sat) 는 긍정적 인 온도 계수 (PTC) 특성을 나타내며, 현재 출력 용량을 확장하기 위해 여러 장치의 병렬 연결을 용이하게합니다.

전형적 사용법

IGBT 트렌치 3는 주로 중저주파, 중저전력 전력 전자 애플리케이션에 적합합니다. 대표적인 시나리오는 다음과 같습니다.

- 소형 산업용 모터 드라이브 (예를 들어, 팬, 물 펌프, 컨베이어 벨트 모터)

- 끊김 없는 전원 공급 장치 (UPS) 및 작은 스위치 전원 공급 장치

- 산업용 난방 및 일반 용접 장비

- 초등 수준의 태양광 인버터 및 소규모 에너지 저장 시스템

III. 마이크로칩 IGBT 트렌치 4: 고효율, 다재다능 한 주류 솔루션

주요 기술 특성

2007년에 마이크로칩의 트렌치 IGBT 시리즈의 후속 제품으로 출시된 IGBT 트렌치 4는 현재 가장 널리 채택된 제품 세대입니다.트렌치 3 설계의 포괄적 인 최적화를 나타냅니다.핵심 개선은 칩의 뒷면 구조에 초점을 맞추고 있습니다.드리프트 영역의 두께를 줄이고 뒷쪽 P-에미터와 N 버퍼 층의 도핑 농도와 배출 효율을 최적화함으로써, 운반자의 이동성이 더욱 향상되었으며, 전도 및 전환 손실의 균형있는 최적화를 달성했습니다.

트렌치 3에 비해 트렌치 4의 최대 허용된 접합 온도는 125°C에서 150°C로 증가했으며, 전류 운반 능력이 크게 향상되었습니다.전환 손실은 약 18% 감소했습니다., 및 턴 오프 꼬리 전류가 크게 감소하여 고 주파수 작동 조건에서 효율성 장점을 더욱 두드러지게합니다.트렌치 4 모듈은 더 다양한 패키지 유형을 지원합니다 (예를 들어 34mm D1, 62mm D3 / D4 등), 1700V까지 확장 된 전압 등급과 10A에서 900A까지의 전류 사양으로 더 다양한 토폴로지에 적합합니다.그들은 또한 매우 낮은 방황 인덕턴스 및 켈빈 발사자 / 소스 디자인을 특징, 운전을 용이하게 하고 시스템 신뢰성을 더욱 향상시킵니다.

일부 트렌치 4 모듈은 또한 SiC Schottky 다이오드를 통합하여 강한 온도 독립성으로 역 회수 및 전향 회수 특성을 0으로 달성합니다시스템 손실을 더욱 줄이고 고주파 운영 성능을 향상시킵니다.또한 모듈에는 실시간 온도 모니터링을 위한 내장 온도 조절기가 탑재되어 최적화된 열 관리를 촉진하고 장치의 사용 수명을 연장합니다.

주요 이점

- 향상된 효율성: 송도 및 스위칭 손실 모두 트렌치 3에 비해 현저히 감소하고 있으며, 고주파 작동 중에서도 명확한 효율성 이점이 있습니다.효율적으로 시스템 에너지 소비를 낮추는;

- 높은 전력 밀도: 같은 부피 내에서 더 높은 전력 출력을 가능하게 하는 높은 작동 단절 온도와 향상된 전류 운반 용량,

- 강한 호환성: 전압 및 전류 사양의 광범위한 적용, 여러 토폴로지를 지원, 트렌치 3 모듈의 직접 교체를 허용하고 시스템 업그레이드를 촉진;

- 향상된 신뢰성: 뛰어난 열 안정성 및 방해에 대한 면역을 특징으로하며 dv/dt 면역은 15 kV/μs로 향상되어 더 까다로운 운영 환경에 적합합니다.

- 설계 유연성: SiC 다이오드와 하이브리드 통합을 지원하여 효율성과 비용을 균형을 맞추기 위해 애플리케이션 요구 사항에 따라 다양한 구성의 선택이 가능합니다.

일반적인 응용 시나리오

높은 효율성과 다재다능성 덕분에 IGBT 트렌치 4는 중고 주파수 및 중고 전력 애플리케이션에서 널리 사용됩니다. 일반적으로 다음을 포함합니다.

- 중~대역량 산업용 모터 드라이브 (예를 들어 기계 도구, 크레인, 압축기)

- 고효율의 AC/DC 및 DC/AC 변환기, 고주파 인버터 장비

- 중~대형 태양광 인버터 및 에너지 저장 컨버터

- 전기차 및 충전소 보조 전원 공급 장치

- 높은 신뢰성 전력 시스템과 AC 스위치

IV. 마이크로칩 IGBT 트렌치 5: 향상된 성능의 고급 솔루션

주요 기술 특성

IGBT 트렌치 5는 트렌치 4를 기반으로 마이크로칩이 출시한 고성능, 고급 버전으로 2013년에 시장에 출시되었다. 핵심 최적화는 ′′더 높은 전력 밀도에 초점을 맞추고,더 적은 손실과 더 나은 열 관리그 중 가장 중요한 혁신은 구리 접착 표면 공정을 채택하여 전통적인 알루미늄 층을 두꺼운 구리 층으로 대체하는 것입니다.구리의 전류 운반 능력과 열 능력은 알루미늄보다 훨씬 높기 때문에, 이것은 모듈이 더 높은 접합 온도와 더 높은 출력 전류에서 작동 할 수있게합니다. 동시에 칩 두께는 추가로 감소했습니다.기생충 저항과 인덕턴스를 현저히 낮추는, 그리고 전환 성능과 열 안정성을 크게 향상시킵니다.

칩 아키텍처 측면에서, 트렌치 5는 트렌치 게이트 디자인과 도핑 분포를 더욱 최적화합니다. VCE (sat) 는 트렌치 4에 비해 감소합니다.그리고 전환 손실 (Eon+Eoff) 이 크게 감소합니다.그것은 10 kHz에서 40 kHz의 중간 스위칭 주파수에서 최대 효율을 달성하며 꼬리 전류가없는 부드러운 전류 붕괴 특성을 갖추고 있으며, 결과적으로 EMI 간섭이 낮습니다.또한, 트렌치 5 모듈은 기생물 매개 변수를 최소화하고 dv/dt 제어성을 향상시키기 위해 내부 라우팅 및 포장 프로세스를 최적화합니다.복잡한 버퍼 회로의 필요성을 제거하여 비용 절감과 동시에 시스템 설계를 단순화합니다..

트렌치 5 모듈은 넓은 전압 범위 (1700V까지) 와 높은 전류 출력을 지원합니다. 그 패키지는 트렌치 4와 호환됩니다.열관리 성능이 뛰어나고 열대저축력이 낮으며그것은 온도 방조기에 직접 장착 될 수 있으며 시스템 열 효율을 더욱 향상시키고 고 전력, 고 주파수 애플리케이션에 적합합니다.

주요 이점

- 극히 낮은 손실: 온 상태 및 스위치 손실은 트렌치 4에 비해 현저히 감소하며, 중~고 주파수에서 특히 눈에 띄는 효율성 향상이 나타납니다.효율적으로 시스템 열압력을 완화합니다.;

- 극도로 높은 전력 밀도: 최적화된 두꺼운 구리 포장 및 칩 디자인은 모듈이 컴팩트한 발자국 내에서 더 높은 전류 출력을 제공 할 수 있습니다.더 높은 작동 단절 온도, 고전력 애플리케이션에 적합합니다;

- 우수한 EMI 성능: 뛰어난 부드러운 스위치 특성, 꼬리 전류가 없으며, 복잡한 EMI 억제 회로의 필요성을 제거하는 낮은 전자기 간섭

- 높은 사용 편의성: 최적화된 게이트 드라이브 디자인은 하나의 게이트 저항을 지원하여 제너 다이오드 및 게이트 콘덴서와 같은 추가 부품의 필요성을 제거합니다.따라서 회로 복잡성을 줄입니다.;

- 우수한 호환성: 패키지는 트렌치 4와 호환되며 직접 교체 및 업그레이드를 허용하여 고객의 사전 설계 투자를 보호합니다.또한 응용 프로그램의 경계를 더욱 확장하기 위해 하이브리드 SiC 구성을 지원합니다..

전형적인 응용 시나리오

IGBT 트렌치 5는 주로 효율성과 신뢰성에 대한 매우 엄격한 요구 사항이있는 고 주파수, 고 전력 애플리케이션에 적합하며 일반적으로 다음을 포함합니다.

- 고전력 산업용 모터 드라이브 및 고주파 인버터

- 대규모 태양광 인버터 및 중앙 에너지 저장 컨버터

- 전기차 견인 시스템 및 고전압 충전소

- 고주파 인덕션 난방 장비 및 고급 용접 장비

- 전력 저장 장치와 스마트 전력 장비