회사 블로그 Nexperia GaN 제품 재활용:GaN 양방향 스위치,GaN FET

Nexperia GaN 제품 재활용:GaN 양방향 스위치,GaN FET

첸젠 밍기아다 전자제품 회사전자 부품 재활용 분야에서 선도적인 회사이며 모든 종류의 전자 부품 재활용에 특화되어 있습니다.우리는 글로벌 고객에게 효율적이고 준수된 재고 처분 솔루션을 제공합니다., 재원을 신속하게 회수하고 창고 관리를 최적화 할 수 있도록 지원합니다.

재활용 과정

세부 정보를 제출하십시오: 모델 번호, 양, 상태 및 사진과 함께 이메일 또는 전화로 재활용 할 라티스 평가 보드의 세부 사항을 제공하십시오.

정확한 가격: 우리의 전문가 팀은 일반적으로 12 ~ 24 시간 이내에 평가를 완료하고 경쟁적인 가격을 제공합니다.

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I. 넥스페리아 GaN 바이-디렉션 스위치

넥스페리아 GaN 양방향 스위치는 양방향 전류 제어 및 양방향 전압 차단 애플리케이션을 위해 특별히 개발된 혁신적인 전력 장치입니다. It revolutionises the traditional bidirectional circuit design—which involves ‘two silicon MOSFETs connected back-to-back in series’—by leveraging the inherent properties of GaN to achieve native bidirectional conduction and voltage withstand capabilities이것은 시스템 아키텍처를 크게 단순화하고, 부품 비용과 PCB 발자국을 줄여 배터리 관리, 로드 스위칭, 회로 보호에 대한 핵심 업그레이드 컴포넌트를 만듭니다.

1핵심 기술 및 제품 장점

전통적인 실리콘 기반의 양방향 회로 솔루션에 비해 Nexperia의 GaN 양방향 스위치는 포괄적인 성능 장점을 제공합니다.이 장치들은 고유의 양방향 전기적 특성을 가지고 있습니다., 양방향 전류 유도와 전압 차단을 가능하게 하는이것은 완전히 장치 일치 오류의 문제와 전통적인 시리즈 구성과 관련된 기생 자원의 축적을 제거합니다.둘째, GaN의 높은 전자 이동성을 활용하여, 기기는 매우 낮은 저항 (RDS)) 및 극저수 전도 손실을 특징으로 합니다.효율적으로 운영 온도 상승을 줄이고 시스템 열 관리 요구 사항을 완화합니다..

또한, 이 일련의 스위치는 초고속 스위칭 응답 시간을 제공하며, 고주파 운영 조건에서 실리콘 기반 장치보다 훨씬 낮은 손실을 제공합니다.이것은 고주파 전력 변환 디자인을 지원합니다.이 장치들은 매우 높은 통합을 특징으로 하며, 단일 칩이 이중 MOSFET 아키텍처를 대체하며,바로 구성 요소의 수를 줄이는 것입니다.PCB 레이아웃을 단순화하고 생산 및 조립 비용을 낮추고 회로 고장의 확률을 낮추고이 제품은 뛰어난 열 안정성과 간섭에 대한 면역을 제공합니다.RoHS, 납 없는 및 REACH 환경 준수 요구사항을 충족하는 동시에 까다로운 산업 및 자동차 애플리케이션에 적합합니다.

2주요 제품 모델 및 사양 특징

넥스페리아는 저전압 GaN 쌍방향 스위치 제품의 개발에 우선 순위를 두고 있으며, 플래그십 모델인 GANB4R8-040CBA는고성능 애플리케이션이 장치는 40V 전압 등급, 단지 4.8mΩ의 전형적인 온 저항 및 매우 낮은 저항 손실을 특징으로합니다.그것은 향상된 회로 안전성을 제공하며 광범위한 제어 스위칭 애플리케이션에 적합합니다.이 장치는 2.1mm × 2.1mm 와이퍼 레벨 칩 스케일 패키지 (WLCSP) 에 위치하고 있습니다.이는 필요한 공간을 최소화하고 휴대용 소비자 전자제품 및 소규모 에너지 저장 장치와 같은 공간 제한 애플리케이션에 이상적으로 적합합니다..

3주요 응용 시나리오

넥스페리아의 GaN 쌍방향 스위치는 다양한 쌍방향 전력 제어 시나리오에 정확하게 맞춤화되어 있으며, 핵심 애플리케이션은 세 가지 주요 영역에 걸쳐 있습니다.배터리 관리 시스템 (BMS)리?? 이온 배터리 충전 및 방출의 쌍방향 제어, 그리고 역 연결 보호에 사용됩니다. 이들은 전통적인 이중 MOSFET 보호 회로를 대체합니다.보호 반응 속도를 향상시키는 동시에 디자인을 단순화합니다.둘째, 스마트 로드 스위치, 휴대용 기기, 스마트 가정 애플리케이션 및 소규모 산업 부하의 양방향 켜고 끄는 제어에 사용되며, 저손실 전력 전환을 가능하게 합니다.회로 역 보호 및 전류 제한 애플리케이션저전압 에너지 저장 모듈, 웨어러블 장치 및 자동차 저전압 회로에 적합하며 효율적이고 안정적인 회로 보호 및 전력 조절을 제공합니다.

II. 넥스페리아 GaN 현장효과 트랜지스터 (GaN FETs)

넥스페리아 GaN 현장효과 트랜지스터는 GaN HEMT 기술에 기반한 보편적인 양방향 전력 전환 장치이다. 그들은 두 가지 주요 기술 아키텍처로 분류된다:엔하인먼트 모드 (E-mode) 및 코먼 소스 캐스코드 (Cascode), covering the full voltage range from low voltage (<80V), medium voltage (80~200V), high-voltage (650 V) ranges. They are fully compatible with a wide range of high- and low-power applications. 그들은 다양한 고전력 및 저전력 애플리케이션과 완전히 호환됩니다.소비자 전자제품 포함산업용 전력, 서버 컴퓨팅, 재생 에너지, 태양광, 통신 전력,그리고 전통적인 실리콘 MOSFET을 대체하고 전력 공급 효율과 전력 밀도를 향상시키는 핵심 구성 요소입니다..

1핵심 기술 아키텍처와 장점

넥스페리아의 GaN FET는 독점적인 고전압 GaN HEMT 기술을 성숙한 저전압 실리콘 MOSFET 프로세스와 결합하여 높은 성능과 높은 신뢰성을 모두 제공합니다.전체 제품군은 정상적으로 종료된 증강 모드 디자인을 사용합니다.이것은 단순한 회로 제어와 높은 안전성을 보장하며 전통적인 실리콘 모스페트 드라이브 로직과 호환됩니다.중요한 회로 수정 없이 원활한 교체와 업그레이드를 허용합니다..

이 장치들은 매우 낮은 역전도 손실을 가지고 있으며, 산업 선도적인 소프트 스위칭 성능을 가지고 있습니다.그들은 높은 주파수 운영 조건에서 스위칭 손실을 효과적으로 감소시킵니다.또한, 그들은 넓은 게이트 드라이브 전압 범위를 제공합니다.일반 전원 공급 드라이버 IC와 호환되는 단순하고 다재다능한 드라이브 디자인을 가능하게 합니다.제품 범위는 DFN, TO-247, TOLL 및 CCPAK와 같은 주류 옵션을 포함하여 다양한 패키지 유형에서 제공됩니다.컴팩트 소비자 애플리케이션과 고전력 산업 애플리케이션의 요구에 맞게또한, 극히 낮은 기생물 매개 변수, 더 빠른 스위칭 속도, 그리고 감소된 전자기 간섭으로, 이 기기는 고주파, 컴팩트한 디자인을 가능하게 합니다.

2전체 제품 포트폴리오와 주요 모델

넥스페리아의 GaN FET 제품 포트폴리오는 전압 및 전력 애플리케이션의 전체 범위를 다루고 있으며, 세 가지 주요 제품 그룹으로 분류됩니다.주요 대량 생산 모델은 뛰어난 성능과 뛰어난 호환성을 제공합니다..

(1) 고전압 650V 클래스 GaN FET

중~고력 산업 및 신에너지 애플리케이션을 위해 주로 설계되었으며, 핵심 모델에는 GAN140-650EBE, GANC035-650VSH 및 GAN039-650NBB가 포함됩니다.GAN140-650EBE는 8mm × 8mm DFN 패키지를 140mΩ의 저항으로 사용합니다.; it offers high versatility and is suitable for a wide range of medium- to high-voltage conventional power conversion equipment; 그것은 높은 다재다능성을 제공하며, 중-에서 고전압의 전통적인 전력 변환 장비의 광범위한 범위에 적합합니다;GANC035-650VSH는 TO-247-4 고전력 패키지를 사용하며 35mΩ만큼 낮은 저항을 가집니다.GAN039-650NBB는 CCPAK1212 패키지를 사용하며,콤팩트한 형태 요소와 매우 낮은 손실을 제공합니다.고밀도 고전압 전원 공급 설계에 적합합니다.

(2) 중저전압 GaN FET

80V까지의 저전압 애플리케이션을 커버하는 이들은 주로 소비자 전자제품, 빠른 충전 및 소규모 에너지 저장 시나리오를 대상으로 합니다.저저하 저항과 초고속 스위칭 속도 덕분에그들은 모바일 폰 급속 충전기, 어댑터 및 휴대용 전원 은행과 같은 장치에서 널리 사용됩니다.충전기의 크기를 줄이고 컴팩트한 형태 요소에서 높은 전력을 제공하는 제품 업그레이드를 가능하게 합니다..

3주요 응용 시나리오

Nexperia GaN FET는 전압 커버리지, 낮은 및 높은 손실 특성, 그리고 높은 신뢰성으로 여러 산업에 걸쳐 핵심 애플리케이션에 적합합니다.소비자 전자제품 부문, 그들은 소형화와 고효율 충전을 달성하기 위해 고전력 GaN 빠른 충전기, 전력 어댑터 및 휴대용 에너지 저장 장치에서 사용되고 있습니다.그들은 서버 전원 공급 장치와 데이터 센터 전원 모듈에서 사용됩니다.높은 주파수와 고효율성 특성이 에너지 소비를 줄이고 전력 밀도를 높이는 산업 및 신 에너지 부문에서그들은 산업용 전원 공급 장치에서 사용됩니다.광전지 마이크로 인버터, 모터 드라이브 및 충전 지점의 보조 전력 공급 장치그들은 5G 기지 스테이션 전원 공급 모듈과 통신 전원 공급 장치에 사용됩니다.높은 주파수, 높은 안정성, 긴 서비스 수명

두 제품 카테고리와 선택 추천 사이의 주요 차이점

넥스페리아의 GaN 쌍방향 스위치와 GaN 현역효과 트랜지스터는 명확하게 위치하고 서로를 보완하며, 애플리케이션 시나리오에 기반한 정확한 선택을 허용합니다.GaN 쌍방향 스위치는 저전압 쌍방향 제어 및 회로 단순화를 위해 설계되었습니다.그들의 핵심 장점은 하나의 칩으로 두 개의 MOSFET를 대체하는 데 있습니다. 그들은 배터리 충전/배출 보호,쌍방향 부하 전환 및 저전압 역전 보호GaN FET은 단방향 고주파 전력 변환과 전압 전력 애플리케이션을 위해 설계되었습니다.저전압에서 높은 전압, 저전압에서 높은 전력까지그들은 다양한 전원 공급 인버터, 직렬기 및 전력 변환 애플리케이션에 적합하며, 높은 효율, 높은 전력 밀도 및 광범위한 운영 조건 호환성을 우선 순위에 두고 있습니다.