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회사 블로그 재활용 ON 전원 모듈 평가 보드: IGBT 모듈, MOSFET 모듈, IPM, SiC 모듈

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중국 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 인증
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재활용 ON 전원 모듈 평가 보드: IGBT 모듈, MOSFET 모듈, IPM, SiC 모듈
에 대한 최신 회사 뉴스 재활용 ON 전원 모듈 평가 보드: IGBT 모듈, MOSFET 모듈, IPM, SiC 모듈

재활용 ON 전력 모듈 평가 보드: IGBT 모듈, MOSFET 모듈, IPM, SiC 모듈

 

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.는 전자 부품의 세계적인 재활용 업체입니다. 전문적인 재활용 서비스를 통해 고객이 유휴 전자 부품의 가치를 실현하도록 돕고, 강력한 경제력과 완벽한 서비스 시스템을 통해 많은 공장 고객과 거래업체의 장기적인 신뢰와 협력을 얻었습니다.

 

재활용 제품 포함:5G 칩, 신에너지 IC, IoT IC, Bluetooth IC, 텔레매틱스 IC, 자동차 IC, 자동차 등급 IC, 통신 IC, 인공 지능 IC, 메모리 IC, 센서 IC, 마이크로컨트롤러 IC, 트랜시버 IC, 이더넷 IC, WiFi 칩, 무선 통신 모듈, 커넥터 및 기타 전자 부품.

 

재활용 프로세스:

1、재고 분류 및 목록 제출

고객은 먼저 재고의 미처리분을 분류하여 모델, 브랜드, 생산 날짜, 수량, 패키지 형태 및 포장 상태를 결정합니다. 고객은 자세한 재고 목록을 이메일 또는 팩스를 통해 당사 평가팀에 보낼 수 있습니다.

 

2、전문 평가 및 견적

재고 목록을 수령하면 회사는 24시간 이내에 초기 평가를 완료하고 견적 제안에 대한 피드백을 제공합니다.

 

3、계약 체결 및 물류 준비

양 당사자가 가격에 동의하면 공식 재활용 계약을 체결하여 거래 세부 사항을 명확히 합니다.

 

4、상품 검사 및 신속한 결제

상품이 창고에 도착하면 제품의 최종 품질 검증이 수행됩니다. 검사를 통과하면 회사는 고객이 자본으로 신속하게 돌아갈 수 있도록 3 영업일 이내에 결제를 완료할 것을 약속합니다. 결제 방법은 유연하며 전신 송금, 현금 및 기타 형태로 고객의 요구에 따라 준비할 수 있습니다.

 

I. IGBT 모듈 평가 보드: 절연 드라이브 및 시스템 통합에 중점

IGBT(절연 게이트 양극성 트랜지스터)는 중주파, 고전력 응용 분야의 중추를 형성합니다. IGBT를 평가하는 것은 장치 자체뿐만 아니라 게이트 드라이브 및 절연 전원 공급 장치가 중요합니다.

 

핵심 평가 보드 예: SECO-LVDCDC3064-IGBT-GEVB

이 평가 보드는 IGBT 구동의 핵심 요구 사항인 안정적인 절연 게이트 드라이브 전원 공급 장치를 제공합니다.

 

설계 핵심: 입력 절연 DC-DC 컨버터를 구축하기 위해 온보드 ON Semiconductor 자동차 등급 NCV3064 컨트롤러(산업 등급 등가: NCP3064)를 통합합니다.

 

주요 출력: 안정적인 -7.5V/15V 전압 레일을 제공하며, 음극 레일은 안정적인 IGBT 턴오프를 보장하고 의도하지 않은 전도 현상을 방지합니다. 추가 7.5V 보조 전원 레일도 제공됩니다.

 

고성능 사양: 6V ~ 18V의 넓은 입력 범위를 지원하고, 최대 150kHz의 스위칭 주파수에서 작동하며, 최대 4000VAC의 유전체 절연을 달성하여 고전압 및 저전압 측면 간의 안전하고 안정적인 절연을 보장합니다.

 

응용 가치: “플러그 앤 플레이 솔루션”으로 기능하며, 핀아웃은 상용 IGBT DC/DC 전원 공급 장치와 호환되므로 엔지니어가 인버터 또는 모터 드라이브 보드에 신속하게 통합할 수 있습니다. 이를 통해 드라이버 전원 공급 장치를 처음부터 설계하는 대신 시스템 수준 디버깅에 집중할 수 있습니다. 높은 절연성과 AEC-Q 준수는 자동차 파워트레인 및 산업용 인버터와 같은 까다로운 응용 분야에 특히 적합합니다.

 

또한 ON Semiconductor의 혁신적인 하이브리드 기술 IGBT(AFGHL50T65SQDC와 같이 단일 패키지에 필드 스톱 IGBT와 SiC 쇼트키 다이오드를 통합한 제품)는 스위칭 성능과 손실 간의 최적의 균형을 달성하기 위해 특수 드라이브 평가가 필요합니다.

 

II. MOSFET 모듈 평가 보드: 최적화된 레이아웃 및 테스트 편의성

전력 MOSFET 모듈은 고주파, 고효율 응용 분야에 필수적입니다. 해당 평가 보드는 기생 파라미터 최소화, 포괄적인 테스트 인터페이스 제공, 고급 성능 검증 방법론 지원을 우선시합니다.

 

핵심 평가 보드 예: EVBUM2878G-EVB

이 보드는 F2 패키징의 1200V M3S 풀 브리지(4-PACK) MOSFET 모듈을 평가하도록 특별히 설계되었습니다.

 

설계 핵심: 70μm 구리 두께의 4층 FR4 PCB를 사용하여 전력 루프의 기생 인덕턴스 및 저항을 최소화하기 위한 저인덕턴스 레이아웃과 결합 - 고주파 스위칭 응용 분야에 중요합니다.

 

주요 기능: 각 브리지 암의 독립적이고 안정적인 구동을 보장하기 위해 4개의 절연된 단일 채널 게이트 드라이버(2.5kV 내전압)를 통합합니다. 이 보드는 이중 펄스 테스트(DPT) 및 개방 루프 전력 테스트, 스위칭 손실 및 오버슈트 전압과 같은 전력 장치 동적 스위칭 특성을 평가하기 위한 표준 방법론을 지원합니다.

 

사용자 친화적인 설계: 입력/출력 신호 커넥터 소켓은 외부 컨트롤러(PWM 신호 제공) 및 오류 신호 관리에 연결을 용이하게 합니다. 여러 테스트 지점이 통합되어 중요한 파형의 편리한 오실로스코프 프로브 측정을 지원합니다.

 

응용 분야 초점: 주로 무정전 전원 공급 장치, 에너지 저장 시스템, 전기 자동차 충전소 및 태양광 인버터와 같이 높은 전력 밀도와 효율성이 필요한 부문을 대상으로 합니다.

 

III. 지능형 전력 모듈 평가 보드: 설계 단순화, 신뢰성 향상

IPM(지능형 전력 모듈)은 단일 패키지 내에서 IGBT 또는 MOSFET, 드라이버 회로 및 보호 회로(예: 과전류, 저전압, 과온도)를 고도로 통합합니다. 평가 보드를 통해 사용자는 모든 지능형 모듈 기능을 신속하게 검증하고 완전한 응용 시스템을 구축할 수 있습니다.

 

핵심 평가 구성 요소 및 기술: FOD848x 옵토 절연 IPM

ON Semiconductor IPM 평가 보드에 대한 자세한 정보는 검색 결과에서 제한적이지만, 핵심 FOD848x 시리즈 옵토 절연 IPM 구성 요소는 IPM 평가의 핵심을 보여줍니다.

 

기능 핵심: 이 장치는 디지털 컨트롤러를 전력 모듈에 연결하는 ‘브리지’ 역할을 하여 제어 신호의 안전하고 안정적인 전송을 보장합니다.

 

주요 성능: 최소 20kV/µs의 매우 높은 공통 모드 과도 내성(CMTI)을 특징으로 하여 전력 측 스위칭 작업으로 생성된 고주파 노이즈 간섭을 효과적으로 억제하여 논리 측 오작동을 방지합니다. 최대 5000VAC의 전기적 절연을 제공하여 시스템 안전을 보장합니다.

 

평가 보드 가치: 포괄적인 IPM 평가 보드(예: 다른 제조업체의 EVAL-M1-IM818-A 설계와 유사)는 이러한 절연체를 기반으로 IPM 모듈, 전류 감지, 버스 전압 샘플링 및 EMI 필터링을 위한 회로를 통합합니다. 사용자에게 단상 또는 3상 전력 인버터 프런트 엔드를 거의 완벽하게 제공합니다. 개발자는 MCU 제어 보드와 모터를 연결하기만 하면 센서리스 필드 지향 제어와 같은 고급 알고리즘의 검증을 신속하게 시작할 수 있습니다.

 

IV. SiC 모듈 평가 보드: 고전압, 고속 과제에 대한 최첨단 플랫폼

탄화 규소(SiC) 장치는 고전압, 고온 및 고주파 기능을 통해 광전지, 전기 자동차 및 고급 전원 공급 장치에 혁명을 일으키고 있습니다. 해당 평가 보드는 더 높은 dV/dt 관리, 더 엄격한 게이트 드라이브 요구 사항 및 강력한 보호 기능이 필요한 가장 까다로운 설계 과제와 복잡성을 제시합니다.

 

핵심 평가 보드 예: EVBUM2880G-EVB

이 고급 플랫폼은 ON Semiconductor의 1200V M3S EliteSiC 하프 브리지(2-PACK) MOSFET 모듈을 평가합니다.

 

설계 목표: SiC 모듈의 극한 성능 및 기능을 평가하기 위한 강력하고 유연한 테스트 플랫폼을 제공합니다.

 

핵심 기능: 이중 펄스 테스트 및 개방 루프 전원 공급 장치 테스트에 대한 포괄적인 지원. 온보드 게이트 드라이버는 SiC MOSFET에 필요한 양 및 음 게이트 전압(예: +15V/-3V ~ -5V)을 제공해야 하며, SiC의 고속 이점을 활용하기 위해 초저 전파 지연 및 탁월한 CMTI 성능을 제공해야 합니다.

 

시스템 인터페이스: PWM 입력 수신 및 모듈에서 반환된 오류 신호 처리를 위해 외부 컨트롤러에 연결하여 보다 복잡한 디지털 제어 시스템에 통합을 용이하게 합니다.

 

호환성 및 응용 분야: 전기 자동차 파워트레인, 트랙션 인버터, 태양광 인버터 및 고급 산업용 전원 공급 장치를 포함한 거의 모든 차세대 고효율, 고전력 밀도 응용 분야를 포괄하는 여러 전류 정격 모듈 변형(예: NXH010P120M3F1PTG)과 호환됩니다.

 

전용 드라이버 평가 보드: NCP51705 미니 SMD 평가 보드

모듈 수준 평가 외에도 ON Semiconductor는 NCP51705 미니 SMD 평가 보드와 같은 드라이버 수준 솔루션을 제공합니다. 이 보드는 SiC MOSFET 구동에 최적화된 NCP51705 드라이버와 모든 주변 회로 및 디지털 절연체를 통합하고 TO-247 패키징을 위한 예약된 패드를 특징으로 합니다. 토폴로지 독립적이므로 엔지니어가 사용자 지정 전력 스테이지에서 드라이버 회로 성능을 신속하게 검증하는 데 도움이 되는 범용 로우 사이드 또는 하이 사이드 드라이버 평가 모듈 역할을 합니다.

선술집 시간 : 2025-12-29 13:22:41 >> 뉴스 명부
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