회사 블로그 재활용 ST 게이트 드라이버: 하프 브리지 게이트 드라이버, 절연 게이트 드라이버, 다중 채널 드라이버

Recycle ST 게이트 드라이버: 하프 브리지 게이트 드라이버, 절연 게이트 드라이버, 다중 채널 드라이버

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.는 강력한 글로벌 전자 부품 재고 재활용 업체입니다. 고객에게 전문적인 전자 부품 재활용 서비스를 제공하여 재고 소화, 창고 보관 감소, 창고 보관 비용 및 관리 비용 절감을 지원하는 데 전념해 왔습니다.

재활용 분야는 다음과 같은 핵심적인 장점을 가지고 있습니다.

1. 전체 모델 커버리지 능력

집적 회로 IC, 5G 칩, 신에너지 IC, IoT 칩, Bluetooth 칩, 자동차 칩, 인공 지능 IC, 이더넷 IC, 메모리 칩, 센서, IGBT 모듈 등 다양한 브랜드 및 모델의 전자 부품 재활용을 지원하며, 자동차 전자, 산업 제어, 통신, AI 등 분야를 포괄합니다.

2. 전문적인 평가 및 고가 회수

정확한 가격 책정을 위해 진위 테스트 및 성능 검증을 수행하는 숙련된 기술 팀을 보유하고 있습니다.

3. 효율적이고 유연한 서비스 프로세스

24시간 빠른 견적을 제공하고 "당일 검사, 당일 결제" 모드를 지원합니다.

전체 배치/대량 재료의 혼합 재활용을 허용하며, 방문 수거, 국경 간 물류 및 창고 수집 서비스를 지원합니다.

게이트 드라이버

개별 전력 MOSFET 및 IGBT, 디지털 – 마이크로컨트롤러, DSP 및 FPGA – 또는 모든 스위치 모드 전력 변환기의 아날로그 컨트롤러에 필요한 구성 요소인 STDRIVE 게이트 드라이버는 산업, 소비자, 컴퓨터 및 자동차 응용 분야에서 전력 단계를 정확하고 효율적으로 활성화하는 데 필요한 전압 및 전류 레벨을 생성합니다.

단일에서 하프 브리지 및 다중 채널 드라이버에 이르기까지 다양한 범위의 드라이버는 저전압 또는 고전압(최대 1500V) 응용 분야에 적합하며, ST는 안전 및 기능 요구 사항을 위한 갈바닉 절연 게이트 드라이버 IC, 높은 수준의 통합 및 낮은 개발 비용을 향한 산업 시장 추세에 대응하는 하이 및 로우 사이드 게이트 드라이버 및 MOSFET 기반 전력 단계를 통합하는 System-in-Package (SiP) 솔루션도 제공합니다.

많은 경우, 스위치 모드 전력 변환기 설계를 완벽하게 맞추도록 설계된 STDRIVE가 있습니다. STDRIVE는 시장 출시 시간을 최소화하는 데 도움이 되는 광범위한 평가 하드웨어 및 소프트웨어와 기술 문서 도구 상자를 제공합니다.

하프 브리지 게이트 드라이버

ST의 고전압 드라이버는 벡터 모터 구동 시스템을 최적화하도록 설계되었으며, 높은 스위칭 주파수에서 뛰어난 성능과 최종 응용 분야를 보호하기 위한 스마트 셧다운 기능을 갖추고 있습니다.

STDRIVE MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버는 보호를 위한 비교기, 전류 감지를 위한 연산 증폭기 및 통합 부트스트랩 다이오드를 통합하여 시스템 수준에서 필요한 외부 부품 수를 줄일 수 있습니다.

절연 게이트 드라이버

ST는 시스템의 제어 부분에 연결되는 입력 섹션과 구동되는 MOSFET 또는 IGBT 간에 갈바닉 절연을 제공하는 STGAP 시리즈의 절연 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버를 제공합니다. 갈바닉 절연은 접지에 대해 부동인 회로 섹션에서 명령 및 진단 정보가 안정적으로 전송되도록 하는 고전압, 온칩, 마이크로 변압기를 사용하여 달성됩니다.

STGAP 갈바닉 절연 게이트 드라이버는 선택한 MOSFET 또는 IGBT 및 시스템 요구 사항에 가장 잘 맞도록 조정할 수 있는 많은 매개변수를 제공하므로 매우 유연합니다. 또한 시스템의 견고성과 신뢰성을 향상시키는 데 도움이 되는 광범위한 진단 기능을 제공합니다. 시장 출시 시간을 최소화하는 데 도움이 되는 평가 하드웨어, 소프트웨어 및 기술 문서를 사용할 수 있습니다.

다중 채널 드라이버

ST의 IGBT/MOSFET 다중(트리플) 드라이버는 과전류 이벤트가 알람 라인에 의해 신호될 때 출력을 억제하는 전류 감지 비교기가 제공되는 전력 펄스 변압기 드라이버입니다. 또한 프로그래밍 가능한 저전압 록아웃 기능과 대기 모드를 갖추고 있습니다. 로우 사이드 또는 하프 브리지 구성에서 전원 스위치가 있는 인터페이스 제어 IC에 완벽하게 적합합니다. 일반적인 응용 분야에는 3상 시스템의 로우 사이드 IGBT 및 전력 MOSFET 드라이버, 펄스 변압기 드라이버 및 범용 펄스 드라이버가 포함됩니다.