회사 블로그 TI 전력 단 재활용: GaN 전력 단, Si 전력 단

TI 전력단 재활용: GaN 전력단, Si 전력단

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.는 수년간 전자 부품 재활용 분야를 전문으로 해왔으며 중국의 선도적인 재고 솔루션 제공업체입니다. 전 세계 광범위한 전자 부품 및 칩에 대해 장기적이고 고부가가치의 현금 재활용 서비스를 제공하며, 공급망의 모든 단계에 걸쳐 고객에게 효율적이고 안전하며 투명한 재고 정리 및 유휴 재고 관리 서비스를 제공합니다.

당사의 바이백 서비스 주요 장점

1. 높은 현금 구매 가격 및 매우 경쟁력 있는 견적

당사의 글로벌 시장 데이터베이스와 전문 평가 팀을 활용하여 현재 칩 시장 상황을 반영하는 실시간 견적을 제공합니다. 중개 수수료 없이 즉시 현금 결제를 통해 자산 가치를 극대화합니다. 원자재 제조업체(OEM), 대리점, 최종 사용자 공장 및 유통업체와의 파트너십을 환영합니다.

2. 사양 제한 없는 포괄적인 바이백

전체 릴 재고: 원래 포장 상태의 고가 칩, 전체 릴 및 전체 카톤을 우선적으로 바이백합니다.

개별 부품 및 구형 재고: 샘플, 단종된 재고, 수명이 다한 제품 및 프로젝트의 잉여 자재를 받습니다.

모든 상태: 새 제품, 미개봉 제품, 원래의 개별 부품, 분해된 장비의 완전 작동 부품 및 모든 종류의 구형 재고를 받습니다.

3. 효율적인 프로세스, 안전 및 규정 준수

요구 사항 조정: 고객은 부품 번호, 수량, 배치 번호 및 상태 목록을 제공합니다.

신속한 견적: 1~2시간 이내에 정확한 견적 발행

검사 및 인수: 현장 검사 또는 샘플 테스트, 즉시 확인

즉시 결제: 성공적인 인수 즉시 현금 또는 은행 송금 결제

4. 글로벌 서비스, 유연한 솔루션

심천에 본사를 두고 있으며 국내 및 해외 시장을 모두 다룹니다. 현장 수거, 무료 택배 배송 및 국경 간 거래를 지원합니다. 전체 프로세스 동안 절대적인 기밀을 유지하여 고객 공급망의 개인 정보를 보호하고 업계 관련 위험을 제거합니다.

TI의 전력단 제품은 GaN(질화갈륨) 통합 전력단과 Si(실리콘 MOSFET) 통합 전력단이라는 두 가지 주요 제품 라인으로 나뉩니다. 두 제품 모두 멀티칩 통합 솔루션을 활용하여 전력 스위치, 게이트 드라이버, 전류 감지 및 보호 회로를 단일 장치에 통합하여 완전한 스위칭 장치를 직접 제공합니다. 이를 통해 외부 부품 수를 크게 줄이고 PCB 레이아웃을 단순화하며 서버 전원 공급 장치, 산업용 전원 공급 장치, 자동차 전력 시스템, 휴머노이드 로봇 전원 장치 및 통신 전원 공급 장치와 같은 다양한 전력 변환 시나리오에 적합합니다.

I. TI GaN 전력단 (질화갈륨 통합 전력단)

TI GaN 전력단은 실리콘 기반 GaN(GaN-on-Si) 강화 모드 GaN FET 공정을 사용하여 개발되었으며 광대역 갭 전력 통합 장치로 분류됩니다. 일반적인 모델에는 LMG3410R050, LMG5200, LMG708B0 및 DRV7308이 포함되며, 80V ~ 650V의 전압 등급을 다루고 하프 브리지, 풀 브리지 및 3상 IPM 아키텍처를 선택할 수 있습니다.

주요 특징

1. 제로 역회복 전하: GaN FET는 실리콘 MOSFET의 바디 다이오드에 존재하는 역회복 효과를 나타내지 않습니다. 스위칭 손실은 기존 실리콘 MOSFET에 비해 최대 80%까지 줄일 수 있으며, MHz 수준의 고주파 스위칭을 지원하여 인덕터 및 커패시터 크기를 줄이고 전력 밀도를 크게 향상시킵니다.

2. 고도로 통합된 온칩 드라이버: GaN 전력 장치, 게이트 드라이버, 과전류, 과열 및 저전압 보호, 전류 감지를 단일 패키지에 통합합니다. 이는 개별 솔루션에서 게이트 루프 기생 인덕턴스로 인한 링잉 및 EMI 문제를 제거하고 시운전 복잡성을 줄입니다.

3. 낮은 기생 커패시턴스: 최소한의 입력 및 출력 커패시턴스로 스위칭 노드 링잉이 줄어들고 EMI 필터링 비용이 낮아져 토템폴 PFC, 고주파 LLC 및 고주파 모터 인버터와 같은 토폴로지에 적합합니다.

4. 철저히 검증된 신뢰성: 장치는 4천만 시간 이상의 가속 신뢰성 테스트를 거쳤습니다. 고전압 버전은 포괄적인 보호 메커니즘을 특징으로 하며 산업 및 자동차 AEC-Q100 Grade 1 애플리케이션과 같은 고신뢰성 요구 사항을 충족합니다.

일반적인 애플리케이션

AI 컴퓨팅 서버 전원 공급 장치, 1U 데이터 센터 전원 공급 장치, 자동차 온보드 충전기(OBC), 산업용 고주파 전원 공급 장치, 드론 전원 인버터, 휴머노이드 로봇 서보 드라이브, 통신 기지국 전원 공급 장치 및 고급 어댑터.

II. TI Si 전력단 (통합 실리콘 MOSFET 전력단)

TI Si 전력단은 성숙한 실리콘 MOSFET 공정을 기반으로 하며, 하이 사이드 및 로우 사이드 실리콘 MOSFET, 게이트 드라이버 및 전류 감지 회로를 통합합니다. 이는 DC-DC 스텝다운 애플리케이션을 위한 고전적인 통합 전력단 솔루션을 나타내며, 중저전압, 고전류 시나리오를 대상으로 합니다. 다양한 모델, 제어 가능한 비용 및 성숙한 엔지니어링 생태계를 제공합니다.

주요 특징

1. 성숙한 실리콘 기반 공정: 최적화된 온 저항(Rds(on))을 가진 실리콘 MOSFET을 사용하여 중저전압 및 중저 스위칭 주파수 애플리케이션에서 우수한 전도 손실 성능을 제공하며, 안정적인 공급과 다양한 장치 옵션을 제공합니다.

2. 통합 하프 브리지 스위칭 장치: 내장 드라이버, 하이 사이드 및 로우 사이드 실리콘 MOSFET 및 전류 감지를 특징으로 하며, 벅 컨버터를 위해 설계되었습니다. 이를 통해 외부 드라이버 칩이 필요 없으며 고전류 POL(Point-of-Load) 전원 공급 장치의 설계를 단순화합니다.

3. 포괄적인 보호 기능: 통합 과전류 보호, 열 차단 및 저전압 잠금 기능은 단락 및 과부하와 같은 비정상적인 작동 조건에 대한 강력한 보호 기능을 제공합니다.

4. 주파수 제한: 실리콘 MOSFET의 바디 다이오드 역회복으로 인해 스위칭 주파수는 일반적으로 수백 kHz 이내로 제한됩니다. 주파수가 증가함에 따라 스위칭 손실이 급격히 증가하여 전력 밀도 향상에 제한이 있습니다.

일반적인 애플리케이션

서버 마더보드용 POL(Point-of-Load) 전원 공급 장치; FPGA 및 프로세서용 전원 공급 장치; 산업 제어 보드용 전원 공급 장치; 보안 시스템 전원 공급 장치; 소비자 전자 제품용 DC-DC 벅 컨버터; 자동화 장비용 보조 전원 공급 장치.

III. TI GaN 전력단 vs Si 전력단 비교

1. 스위칭 주파수

GaN 전력단: MHz 범위에 도달할 수 있으며 고주파 토폴로지를 지원합니다.

Si 전력단: 주로 수십 kHz에서 수백 kHz에서 작동하며, 고주파에서 손실이 크게 증가합니다.

2. 전력 밀도

GaN 전력단: 수동 부품의 부피가 크게 줄어들어 동일한 전력 출력에 대해 솔루션 크기가 작아집니다.

Si 전력단: 수동 부품이 상대적으로 커서 솔루션의 전력 밀도가 낮습니다.

3. 손실 특성

GaN 전력단: 매우 낮은 스위칭 손실과 제로 역회복으로 고주파, 고전압 애플리케이션에 적합합니다.

Si 전력단: 저주파 및 중저전압에서 온 상태 손실에 이점이 있지만, 고주파에서 상당한 역회복 손실이 발생합니다.

4. 시스템 비용

GaN 전력단: 부품 단위 가격은 높지만, 방열판, EMI 필터, 인덕터 및 커패시터의 필요성이 줄어들어 고주파, 고전압 완전 시스템 솔루션에 비용 이점을 제공합니다.

Si 전력단: 부품 자체의 비용이 저렴하여 저주파, 중저전압 애플리케이션의 전체 BOM이 더 경제적입니다.

5. 적합한 토폴로지

GaN 전력단: 토템폴 브리지리스 PFC, 고주파 LLC, 3상 모터 인버터, 고주파 하프 브리지/풀 브리지.

Si 전력단: 벅 컨버터, 전통적인 부스트 컨버터, 저주파 풀 브리지.