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중국 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 인증
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SAMSUNG DRAM 메모리 K3KL3L30DM-BGCU 128Gb 저전력 동적 무작위 액세스 메모리 IC
에 대한 최신 회사 뉴스 SAMSUNG DRAM 메모리 K3KL3L30DM-BGCU 128Gb 저전력 동적 무작위 액세스 메모리 IC

SAMSUNG DRAM 메모리 K3KL3L30DM-BGCU 128Gb 저전력 동적 무작위 액세스 메모리 IC

 

에 대한 최신 회사 뉴스 SAMSUNG DRAM 메모리 K3KL3L30DM-BGCU 128Gb 저전력 동적 무작위 액세스 메모리 IC 0

 

설명

K3KL3L30DM-BGCU는 모바일 및 차량 내 장치용 128 Gb 저전력 동적 무작위 액세스 메모리입니다.

 

이전 세대보다 1.3배 더 빠른 속도와 20% 더 높은 에너지 효율으로프리미엄 저전력 DRAM LPDDR5X는 모바일 이상으로 이동합니다. 저전력 DRAM 시장에서 그 어느 때보다 높은 성능의 PC를 지원합니다., 서버, 그리고 모든 새로운 방법으로 차량.

 

사양
밀도:128 GB
조직:x64
속도: 8533 Mbps
전압:10.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5V
온도:-25 ~ 85 °C
패키지:496-FBGA

선술집 시간 : 2024-06-20 10:53:11 >> 뉴스 명부
연락처 세부 사항
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

담당자: Mr. Sales Manager

전화 번호: 86-13410018555

팩스: 86-0755-83957753

회사에 직접 문의 보내기 (0 / 3000)

약

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ADG1433YCPZ 통합 회로 칩 iCMOSTM 스위치 4.7Ohm 산업 CMOS 아날로그 스위치

LT6700CS6-1 융합 회로 칩 마이크로 전력 저전압 듀얼 비교기 400mV 참조

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