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회사 블로그 ST Low Side Switch VND3NV04TR OMNIFET II™ 시리즈 완전 자동 보호 전력 MOSFET

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중국 ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. 인증
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ST Low Side Switch VND3NV04TR OMNIFET II™ 시리즈 완전 자동 보호 전력 MOSFET
에 대한 최신 회사 뉴스 ST Low Side Switch VND3NV04TR OMNIFET II™ 시리즈 완전 자동 보호 전력 MOSFET

ST 로우 사이드 스위치VND3NV04TR OMNIFET II™ 시리즈 완전 자동 보호 전원 MOSFET

 

STVND3NV04TR 공급업체: Mingjiada Electronics 는 고급 보호 기능을 통합한 전원 MOSFET 장치입니다. STMicroelectronics의 OMNIFET II™ 시리즈에 속하며, VIPower™ M0-3 공정 기술을 사용하여 제조되었습니다. 이 VND3NV04TR은 표준 전원 MOSFET을 대체하는 애플리케이션을 위해 특별히 설계되었으며, DC에서 50kHz 주파수 범위에 걸쳐 작동 시나리오에 적합합니다.

 

제품 설명 세부 정보
기본 아키텍처: VND3NV04TR는 TO-252-3(DPAK) 패키지에 2-리드 및 탭 구성으로 하우징된 단일 채널 로우 사이드 드라이버입니다. 이 완전 자체 보호 전원 스위치는 여러 보호 기능을 통합하여 기존 전원 MOSFET을 직접 대체할 수 있습니다.
입/출력 특성: VND3NV04TR은 1:1 입/출력 비율과 비반전 입력 구성을 특징으로 하며, 간단한 온/오프 제어 인터페이스를 사용합니다. 이 설계는 표준 전원 MOSFET 사용과의 호환성을 보장하여 기존 설계에서 원활한 업그레이드 및 교체를 용이하게 합니다.
기술 공정: OMNIFET II 시리즈의 주력 제품인 VND3NV04TR은 STMicroelectronics의 고급 VIPower M0-3 기술을 사용하여 모놀리식 통합 스마트 전원 스위치 솔루션을 제공합니다.

 

사양
전기적 특성: VND3NV04TR는 최대 36V의 부하 전압, 40V의 정격 드레인-소스 항복 전압, 3.5A의 연속 드레인 전류 및 5A의 피크 출력 전류 제한을 지원합니다. 120mΩ의 일반적인 온 저항으로 낮은 전력 소모를 제공합니다.
스위칭 특성: VND3NV04TR은 1.35μs의 턴온 시간과 10μs의 턴오프 시간을 나타내며, 상승 및 하강 시간은 모두 250ns입니다. 이러한 매개변수는 중간 주파수 스위칭 애플리케이션에 적합함을 나타냅니다.
열 성능: VND3NV04TR은 최대 35W의 전력 소모를 제공하며 -40°C ~ 150°C의 접합 온도 범위 내에서 안정적으로 작동합니다. 이를 통해 까다로운 작동 환경에서 배포할 수 있습니다.

 

제품 기능
통합 보호: VND3NV04TR는 선형 전류 제한, 열 차단, 단락 보호 및 통합 클램핑을 포함한 포괄적인 내장 보호 기능을 제공합니다. 이러한 기능을 통해 VND3NV04TR은 까다로운 작동 조건을 견딜 수 있어 시스템 안정성을 향상시킵니다.
진단 피드백: VND3NV04TR은 입력 핀을 통해 고장 상태를 감지하여 진단 피드백 기능을 제공합니다. 이 기능을 통해 상태 모니터링이 가능하여 시스템 유지 관리가 개선됩니다.
낮은 대기 전력 소비: VND3NV04TR은 ESD 보호 기능을 통합하면서 최소한의 입력 핀 전류 소비를 나타내며, 유럽 지침 2002/95/EC의 요구 사항을 준수합니다. 이러한 특성은 에너지 효율성과 신뢰성을 특히 강조합니다.

 

응용 분야
산업 제어 시스템: VND3NV04TR는 산업용 저항성, 유도성 및 용량성 부하를 구동하는 데 적합하며, 전력 관리 및 모터 제어와 같은 시나리오에 적용할 수 있습니다. 이러한 애플리케이션에서 VND3NV04TR의 보호 기능은 과전류 또는 과열로 인한 장치 손상을 방지합니다.
자동차 전자 장치: -40°C ~ 150°C의 넓은 작동 온도 범위를 갖춘 VND3NV04TR은 자동차 환경 내에서 다양한 부하 구동 애플리케이션에 적합합니다. 견고성으로 인해 자동차 전자 장치의 까다로운 조건을 견딜 수 있습니다.
기존 MOSFET 교체: VND3NV04TR은 특히 DC에서 50kHz 애플리케이션에서 향상된 신뢰성과 통합을 제공하여 표준 전원 MOSFET을 대체하도록 특별히 설계되었습니다. VND3NV04TR을 사용하면 회로 설계를 단순화하고 필요한 외부 부품 수를 줄일 수 있습니다.

 

요약
OMNIFET II™ 제품군 내의 완전 보호 전원 MOSFET인 ST VND3NV04TR는 포괄적인 보호 기능과 우수한 전기적 특성을 통합하여 산업 제어 및 자동차 전자 장치 애플리케이션을 위한 매우 신뢰할 수 있는 솔루션을 제공합니다.

 

Mingjiada ElectronicsVND3NV04TR 장치의 장기적인 공급을 유지합니다. 추가 제품 정보 또는 샘플 문의는 Mingjiada Electronics 웹사이트(https://www.integrated-ic.com/)를 방문하여 공급 세부 정보를 확인하십시오.

선술집 시간 : 2025-11-05 14:57:26 >> 뉴스 명부
연락처 세부 사항
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

담당자: Mr. Sales Manager

전화 번호: 86-13410018555

팩스: 86-0755-83957753

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