회사 블로그 EPC 갈륨 질화물 공급 제품:GaN IC,자동차용 GaN FET,Rad-Hard GaN

EPC 갈륨 질화물 공급 제품:GaN IC,자동차용 GaN FET,Rad-Hard GaN

심천 Mingjiada 전자 유한 공사,전자 부품의 유명한 독립 유통업체로서 5G 칩, 신에너지 IC, IoT IC, Bluetooth IC, V2X IC, 자동차 등급 IC, 통신 IC, AI IC, 메모리 IC, 센서 IC, 마이크로 컨트롤러 IC, 트랜시버 IC, 이더넷 IC, Wi-Fi 칩, 무선 통신 모듈, 커넥터 등을 포괄하는 다양한 전자 부품 시리즈의 장기 재고를 유지하여 고객에게 고품질 제품과 서비스를 제공합니다.

I. EPC GaN 집적 회로(ePower™ 시리즈)

EPC ePower™ 전력단 IC는 입력 로직, 레벨 변환, 부트스트랩 회로 및 게이트 드라이버를 eGaN® 전력 FET와 모놀리식으로 통합하여 전원 공급 장치 설계를 크게 단순화하는 업계 최고의 GaN 통합 솔루션입니다.

주요 특징: 전압 범위: 15V-100V, 플래그십 모델 EPC23102(100V/35A);

초고주파: 최대 97% 이상의 효율과 역회복 손실이 없는 1MHz+ 스위칭을 지원합니다.

최고의 통합: 단일 칩에서 하프 브리지 전력 스테이지를 달성하여 PCB 설치 공간을 50% 이상 줄입니다.

일반적인 응용 분야: 48V DC/DC 변환기, BLDC 모터 드라이브, 클래스 D 오디오 증폭기, LiDAR 펄스 전원 공급 장치.

II. 자동차 등급 GaN 전계 효과 트랜지스터(AEC-Q101 인증)

EPC의 전체 자동차 등급 eGaN® FET 제품군은 AEC-Q101 인증을 받았으며 가혹한 자동차 환경을 견딜 수 있도록 설계되었습니다.

주요 특징: 인증 표준: AEC-Q101 등급 1(-40°C ~ 150°C), 높은 진동과 넓은 온도 범위를 포함하는 자동차 애플리케이션에 적합합니다.

초저손실: 1.5mΩ의 낮은 RDS(on), 최대 530A의 피크 펄스 전류, 실리콘 MOSFET보다 10배 빠른 스위칭 속도.

마이크로 패키지: CSP(칩 스케일 패키지), 크기가 0.9 × 0.9mm에 불과하고 전력 밀도가 30배 증가합니다.

주류 모델: EPC2202(80V/16mΩ/75A): 자동차 LiDAR, 48V~12V DC/DC;

EPC2212(100V/25mΩ/37A): OBC(온보드 충전기), 고전압 헤드라이트 드라이버.

III. 방사선 강화 GaN(EPC 우주 시리즈)

항공우주 및 국방과 같은 고신뢰성 애플리케이션을 목표로 하는 Mingjiada는 우주 등급 방사선 인증을 통과하고 6년 넘게 궤도에서 안정적으로 작동한 EPC 우주 방사선 경화(Rad-Hard) GaN 장치를 제공합니다.

핵심 기능: 방사선 내성: 총 조사량(TID) ≥300 kRad, 단일 사건 효과(SEE) 내성, 저궤도 위성 및 심우주 탐사에 적합합니다.

높은 안정성: 100V~200V 내전압, -55°C~125°C의 넓은 작동 온도 범위, 실리콘 기반 장치와 관련된 방사선 저하 문제가 없음

통합 솔루션: 방사선 경화 게이트 드라이버(예: FBS-GAM01P) 및 전력 스테이지 모듈이 포함되어 항공우주 전원 공급 장치 설계를 단순화합니다.

일반적인 응용 분야: 위성 전원 버스, 온보드 DC/DC 변환기, 항공우주 모터 드라이브 및 군용 레이더 전원 공급 장치.

IV. 밍자다 공급 보증

전체 재고 보유: 당사는 즉시 배송을 위해 칩 재고를 유지하여 소량 배치 샘플과 대량 주문을 모두 지원합니다.

원래 제조업체 품질: 100% 정품 제품, 공장 테스트 보고서 및 품질 인증, 추적성 지원이 모두 포함되어 있습니다.

글로벌 배송: 심천, 홍콩 및 해외 창고 네트워크를 활용하여 국내 및 해외 고객의 주문 요구 사항에 신속하게 대응합니다.

경쟁력 있는 가격: 공급업체와의 긴밀한 협력과 효율적인 공급망 관리를 통해 경쟁력 있는 가격을 제공할 수 있습니다.