회사 블로그 공급 인피니온 쿨시CTM 제품:실리콘 탄화물 MOSFET 디스크리트, 실리콘 탄화물 MOSFET 모듈

공급 인피니온 쿨시CTM 제품:실리콘 탄화물 MOSFET 디스크리트, 실리콘 탄화물 MOSFET 모듈

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실리콘 탄화물 MOSFET 디스크리트 장치 설명
인피니온 쿨시크 (Infineon CoolSiCTM MOSFET) 디스크리트 디바이스들은 파워 반도체 기술에서 중요한 돌파구를 나타냅니다.이 디스크리트 장치들은 전통적인 평면 게이트 SiC MOSFET보다 낮은 온 저항과 더 높은 스위칭 효율을 제공하기 위해 고급 트렌치 게이트 기술을 사용합니다.구조적으로, CoolSiCTM MOSFET는 실리콘 카바이드 기판에 고품질의 게이트 옥시드 및 트렌치 영역을 형성함으로써 우수한 게이트 제어 및 캐리어 이동성을 달성합니다.이 혁신적인 디자인은 장치가 SiC 물질의 고유 한 장점을 유지하면서 전환 성능과 신뢰성을 더욱 향상시킬 수 있습니다..

전기적 특성 측면에서, Infineon CoolSiCTM MOSFET 디스크리트 장치는 뛰어난 성능 매개 변수를 보여줍니다. 그들의 광범위한 온 저항 (RDS(on) 은 52.9mΩ에서 1.44mΩ까지,각기 다른 전력 레벨의 애플리케이션의 요구를 충족합니다.기존의 실리콘 기반 MOSFET에 비해, CoolSiCTM 장치는 동일한 칩 영역에 대해 현저히 낮은 온 저항을 제공하며, 이는 낮은 전도 손실과 더 높은 운영 효율을 의미합니다.전환 특성에 있어서이 장치들은 MHz 수준의 스위치 속도를 지원하며, 인덕터와 콘덴서와 같은 시스템의 수동 구성 요소의 크기와 비용을 크게 줄입니다.쿨시크TM MOSFET는 매우 낮은 역 회수 전하 (Qrr) 를 갖는다., 이는 브릿지 토폴로지 응용 프로그램에서 스위칭 손실과 전자기 간섭 (EMI) 을 크게 줄입니다.

열 성능은 CoolSiCTM MOSFET 디스크리트 장치의 또 다른 주요 장점이다.SiC 물질의 높은 열 전도성 (실리콘의 약 3배) 과 최적화된 패키지 디자인 덕분에, 이 장치들은 175°C까지의 결합 온도 작동을 지원할 수 있으며, 이는 일반적인 실리콘 장치의 전형적인 125°C 제한보다 훨씬 높습니다.이 특징은 시스템 설계자가 동일한 온도 싱크 조건에서 온도 싱크의 크기와 비용을 줄이거나 시스템의 전력 밀도를 증가시킬 수 있습니다.실제로 이것은 더 컴팩트한 전원 공급 설계 또는 더 높은 출력 전력 능력을 의미 할 수 있습니다. The detailed thermal impedance parameters and derating curves are included in the technical data provided by Minjata Electronics to help customers accurately assess the thermal performance of the devices under real operating conditions.

신뢰성 측면에서 인피니온 쿨시크TM 디스크리트 MOSFET 장치는 엄격한 품질 인증 및 신뢰성 테스트를 거칩니다.제품들은 산업 및 자동차 등급 (AEC-Q101) 표준을 준수합니다., 다양한 열악한 환경에서 안정적인 장기 작동을 보장합니다.특히 주목할 점은 인피니온이 초기 SiC MOSFET의 일반적인 임계 전압 불안정 문제를 게이트 옥시드 프로세스를 최적화함으로써 해결했다는 것입니다., 이는 장치의 사용 수명을 크게 연장합니다.

실리콘 카비드 MOSFET 모듈의 기술 분석
인피니온 CoolSiCTM MOSFET 모듈은 고전력 애플리케이션을 위한 시스템 수준의 솔루션을 제공합니다. 이 모듈은 최적의 설계 게이트 드라이버와 여러 CoolSiCTM MOSFET 칩을 통합합니다.같은 패키지에 온도 센서 및 보호 회로, 고전력 전력 전자 시스템의 설계 복잡성을 크게 단순화합니다. 분리 장치에 비해 모듈형 설계는 더 높은 전력 밀도를 제공합니다.더 나은 열 성능과 더 신뢰할 수있는 시스템 통합, 특히 산업용 모터 드라이브, 태양광 인버터, 전기 차량 전기 드라이브 시스템 및 빠른 충전 스파일과 같은 까다로운 응용 시나리오에 적합합니다.

기술적인 건축 관점에서, 인피니온의 CoolSiCTM MOSFET 모듈은 혁신적인 패키지 디자인과 낮은 인덕턴스 레이아웃을 특징으로합니다. 모듈 내부에는고성능 세라믹 기판 (DCB 또는 AMB) 이 단열 및 열전도 매체로 사용됩니다., 그 위에 SiC MOSFET 칩, 연속성 다이오드 칩 및 필요한 수동 구성 요소가 배치되어 있습니다.모듈의 전원 단말기는 낮은 접촉 저항과 높은 기계적 신뢰성을 보장하기 위해 크림 또는 용접특히 주목할 점은 기생충 인덕턴스를 최소화하기 위해 모듈 내부의 배선의 신중한 최적화입니다. 이는 SiC 장치의 높은 주파수를 활용하는 데 필수적입니다.

전기 성능 측면에서, CoolSiCTM MOSFET 모듈은 훌륭한 시스템 효율을 보여줍니다.측정된 데이터에 따르면 CoolSiCTM 모듈의 시스템 효율은 기존 실리콘 기반 IGBT 모듈에 비해 3-5% 향상될 수 있습니다., 이는 메가와트 전력 애플리케이션에서 상당한 에너지 절감으로 번역됩니다.모듈의 매우 낮은 스위치 손실은 시스템이 더 높은 주파수 (일반적으로 50-100kHz까지) 에서 작동 할 수 있도록합니다., 이는 필터와 트랜스포머의 크기와 무게를 크게 줄입니다. 또한 모듈 내부에 통합된 SiC Schottky 다이오드는 역 회수 특성을 0으로 나타냅니다.전환 중 손실과 소음을 더 줄이세요.

열 관리 측면에서, CoolSiCTM MOSFET 모듈은 뛰어난 열 성능을 제공합니다. 모듈은 낮은 열 저항으로 설계되었습니다.열 저항성 (Rth ((j-c)) 은 일반적으로 동등한 실리콘 기반 모듈보다 30% 이상 낮습니다.. SiC 물질 자체의 높은 열 전도성과 결합,모듈은 더 높은 주변 온도에서 안정적으로 작동하거나 더 작은 히트 싱크로 동일한 온도 상승 한도를 달성 할 수 있습니다.일부 고급 모듈은 또한 실시간 연결 온도 모니터링을 제공하는 통합 온도 센서 (NTC 또는 PTC) 를 가지고 있습니다.시스템 과온 보호 및 수명 예측을 촉진하는.