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공급 [인피니언] IGBT 트랜지스터IKW40N65H5: 650V, 40A 고속 하드 스위치 트렌치 스톱® IGBT5 트랜지스터
첸젠 밍기아다 전자제품 회사공급자 [인피니언]IKW40N65H5: 650V IGBT 트랜지스터와 TO-247 패키지 안티 평행 다이오드
부문 번호:IKW40N65H5
패키지: TO-247-3
타입: IGBT 트랜지스터
제품 개요IKW40N65H5
IKW40N65H5고속 650V, 40A 하드 스위칭 TRENCHSTOPTM IGBT5 트랜지스터는 TO-247 패키지에 RAPID 1 빠르고 부드러운 반 병렬 다이오드와 함께 포장되어 있으며, "최고급" IGBT로 정의됩니다.
IKW40N65H5인피니온의 트렌치 스톱® 기술을 탑재한 N 채널 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 로 고성능 스위칭 애플리케이션을 위해 설계되었습니다.
IKW40N65H5높은 전압, 높은 전류 및 낮은 손실 특성으로 산업 드라이브, 재생 에너지 및 가전 기기와 같은 분야에서 뛰어난 성능을 발휘합니다.
IKW40N65H5스펙트럼 매개 변수
| 매개 변수 | IKW40N65H5 |
|---|---|
| E켜(힘든 전환) | 0.12mJ |
| E에 | 00.39mJ |
| 난C(@ 25°)최대 | 74A |
| 난C(@ 100°)최대 | 46 A |
| 난Cpuls 최대 | 120A |
| 난F 최대 | 36A |
| 난Fpuls 최대 | 120A |
| 난rm | 12.5A |
| P잇 최대 | 255W |
| 패키지 | TO-247-3 |
| Q게이트 | 95 nC |
| Qrr | 기원전 450년 |
| RG | 15 Ω |
| 전환 주파수분 최대 | 30kHz 100kHz |
| 전환 주파수 | TRENCHSTOPTM5 30~100 kHz |
| 기술 | IGBT TRENCHSTOPTM 5 |
| VCE (sat) | 1.65V |
| VCE 최대 | 650V |
| VF | 1.45V |
| td(off) | 165 ns |
| td ((on) | 22 ns |
| tf | 13 ns |
| tr | 12 ns |
주요 특징IKW40N65H5
정압: 650V
전류등급: 40A
낮은 전도성 손실: 트렌치 스톱® 기술로 전도성 손실을 줄이십시오.
빠른 전환: 효율성을 향상시키기 위해 높은 전환 주파수
높은 신뢰성: 가혹 한 환경 에 대한 견고 한 설계
전기적 특성IKW40N65H5
콜렉터-에미터 전압: 650V
전류: 40A
최대 전력 소모량: 300W
전압 하락 상태: 1.7V (기반)
응용 분야IKW40N65H5
산업용 드라이브: 모터 제어, 인버터
재생 에너지: 태양광 인버터, 풍력 발전
용접 장비: 고효율의 용접 전원 공급 장치
가전제품: 인버터 에어컨, 세탁기
IKW40N65H5트렌치 스톱® 기술을 탑재한 IGBT 트랜지스터로 산업용 드라이브, 태양광 인버터 및 용접 장비와 같은 광범위한 응용 분야에서 고효율 스위칭 응용 프로그램을 제공합니다.
IKW40N65H5트렌치 스톱® 기술과 TO-247 패키지를 결합한 고성능 IGBT 트랜지스터로 고효율, 고신뢰성 스위칭 애플리케이션을 위해 사용된다.
IKW40N65H5- 낮은 손실, 빠른 전환 및 높은 전력 밀도의 특성으로 산업, 재생 에너지 및 가전 기기와 같은 분야에서 광범위한 응용 프로그램을 제공합니다.
제품 속성IKW40N65H5
시리즈: 트렌치 스톱®
전압 - 컬렉터 방출기 분해 (최대): 650 V
전류 - 컬렉터 (Ic) (최대): 74A
전류 - 콜렉터 펄스 (Icm): 120A
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
전력 - 최대 255W
스위치 에너지: 390μJ (연동), 120μJ ( 꺼)
입력 타입: 표준
게이트 충전: 95 nC
Td (켜고 끄는) @ 25°C: 22ns/165ns
시험 조건: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
역회복 시간 (trr): 62 ns
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: 구멍을 통해
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자의 장치 패키지: PG-TO247-3
IKW40N65H5요약자료
650V 돌파전압
최고급의 하이스피드 3 시리즈와 비교하면
요인 2.5 더 낮은 Qg
변동 손실의 요인 2 감소
VCEsat의 200mV 감소
급속한 시 다이오드 기술로 함께 포장
낮은 COES/EOSS
가벼운 양성 온도 계수 VCEsat
Vf의 온도 안정성
전형적인 응용 회로IKW40N65H5
의IKW40N65H5일반적으로 반대교 또는 풀대교 토폴로지에서 사용됩니다. 예를 들어:
- 반 브릿지 인버터: 모터 드라이브 또는 태양광 인버터에 사용됩니다.
- 풀 브릿지 직렬기: 고 주파수 스위치 전원 공급 장치.
첸젠 밍기아다 전자제품 회사[인피니언]IKW40N65H5IGBT 트랜지스터, 우리 회사는 안정성 및 제품 공급의 신뢰성을 보장하기 위해 견고하고 신뢰할 수있는 공급 채널을 가지고 있습니다.
높은 전압, 높은 전류 및 낮은 손실 특성으로,IKW40N65H5매우 넓은 범위의 고성능 스위칭 애플리케이션에 이상적입니다.
다양한 산업용 및 소비자 전자 응용 프로그램
더 자세한 내용은 미나자타 전자제품 홈페이지 (https://www.integrated-ic.com/) 의 내용입니다.
담당자: Mr. Sales Manager
전화 번호: 86-13410018555
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