회사 블로그 공급 마이크로칩 IGBT 모듈 시리즈: IGBT 트렌치 3, IGBT 트렌치 4, IGBT 트렌치 5, IGBT 트렌치 7

공급 마이크로칩 IGBT 모듈 시리즈: IGBT Trench 3, IGBT Trench 4, IGBT Trench 5, IGBT Trench 7

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.,중국의 선도적인 전자 부품 유통업체로서, ‘고객에게 봉사하고 고객에게 이익을 제공’한다는 원칙을 준수하며, 고객에게 고품질의 다양한 전자 부품을 제공합니다.

주요 제품은 다음과 같습니다: 5G 칩, 신에너지 IC, IoT IC, Bluetooth IC, 차량 네트워킹 IC, 자동차 등급 IC, 통신 IC, 인공 지능 IC 등. 또한, 메모리 IC, 센서 IC, 마이크로컨트롤러 IC, 트랜시버 IC, 이더넷 IC, WiFi 칩, 무선 통신 모듈, 커넥터 및 기타 전자 부품을 공급합니다.

공급 장점

1. 정품 보장

모든 제품은 공식 채널에서 공급되며, 완전한 품질 추적 보고서와 원본 제조업체 인증이 제공되어 고객이 100% 정품 제품을 받을 수 있도록 보장합니다.

2. 충분한 재고

회사는 200만 개 이상의 재고 모델을 유지하여 고객의 R&D 파일럿 생산부터 대량 생산까지의 요구 사항을 충족할 수 있는 충분한 재고를 보장합니다.

3. 경쟁력 있는 가격

대규모 조달의 이점을 활용하여 시장 가격보다 낮은 가격을 제공하고 구매량에 따라 계층별 가격 책정 전략을 구현합니다. 장기 파트너는 구매 비용을 효과적으로 제어하기 위해 가격 고정 서비스도 이용할 수 있습니다.

4. 신속한 배송 서비스

24시간 배송: 표준 주문 신속 처리

4시간 긴급 대응: 특별 긴급 서비스

익일 배송 범위: 주요 지역으로의 신속 배송

5. 유연한 조달 모델

소량 조달: R&D 요구 사항을 충족하기 위한 최소 주문 1개

대량 주문: VMI(Vendor-Managed Inventory) 및 기타 협업 모델 지원

장기 계약: 안정적인 공급 보장 제공

IGBT Trench 3 모듈

IGBT Trench 3 모듈은 초기 트렌치 게이트 기술의 성숙한 결과를 나타냅니다.

기술 아키텍처 관점에서, IGBT Trench 3 모듈은 기본 트렌치 게이트 설계를 채택하여 수직 게이트 구조를 통해 평면 게이트 IGBT에 비해 우수한 전도 특성을 달성합니다. 일반적인 매개변수에는 1.8~2.2V 범위의 전도 전압(Vce(sat)), 최대 20kHz의 스위칭 주파수, 최대 작동 온도 150°C가 포함됩니다. 이러한 성능 지표는 오늘날의 기준으로는 눈에 띄지 않을 수 있지만, 대부분의 산업용 가변 주파수 응용 분야에 충분히 적합합니다.

IGBT Trench 4 및 Trench 5 모듈

IGBT Trench 4 및 Trench 5 모듈은 트렌치 게이트 기술의 중요한 진화를 나타내며, Trench 3 모듈에 비해 성능 매개변수 및 응용 범위에서 상당한 개선을 제공합니다.

IGBT Trench 4 모듈은 Field Stop 기술을 도입하여 칩 두께를 크게 줄이는 혁신적인 구조를 도입하여 여러 성능 개선을 이끌었습니다. 온 상태 전압(Vce(sat))은 1.5~1.8V 범위로 감소하여 Trench 3 제품보다 약 15% 낮습니다. 스위칭 주파수는 30-40kHz로 증가하여 고주파 응용 분야의 가능성을 확장했습니다. 시스템 신뢰성을 보장하기 위해 우수한 단락 내성을 유지합니다.

기술 진화의 또 다른 이정표로서, IGBT Trench 5 모듈은 Trench 4를 기반으로 캐리어 제어 기술을 더욱 최적화하여 전도 손실과 스위칭 손실 사이의 최적의 균형을 달성했습니다. 핵심 기술 특징에는 다음과 같은 사항이 포함됩니다. 미세 트렌치 구조를 채택하여 셀 밀도를 높임; 스위칭 특성을 개선하기 위해 버퍼 레이어 설계를 최적화; 고급 수명 제어 프로세스를 사용하여 소수 캐리어 농도를 정밀하게 조절. 이러한 기술 발전으로 Trench 5 모듈의 전체 손실이 Trench 4 모듈에 비해 추가로 10-15% 감소하여 98% 이상의 효율성을 달성하여 고효율 응용 분야에 이상적인 선택이 되었습니다.

IGBT Trench 7 모듈

IGBT Trench 7 모듈은 여러 최첨단 설계 개념과 제조 공정을 통합하여 트렌치 게이트 기술의 현재 최첨단을 나타냅니다.

기술적 관점에서, IGBT Trench 7 모듈의 혁신은 주로 세 가지 측면에서 반영됩니다. 첫째, 마이크로 트렌치 설계를 채택하여 셀 크기를 더욱 줄여 트렌치 밀도를 크게 높이고 전도 저항을 현저히 낮춥니다. 둘째, 고급 캐리어 저장 레이어 기술을 도입하여 온 상태에서 캐리어 분포를 최적화하여 낮은 전도 손실을 달성합니다. 셋째, 개선된 게이트 구조 및 패시베이션 공정은 이전 세대에 비해 스위칭 손실을 15% 줄이면서 고온 안정성을 향상시킵니다. 이러한 기술 발전으로 트렌치 7 모듈의 전반적인 성능이 새로운 차원으로 향상되었습니다. 온 상태 전압은 1.2~1.5V까지 낮아질 수 있으며, 스위칭 주파수는 쉽게 50kHz를 초과하며, 최대 작동 온도는 175°C까지 증가했습니다.